Автор работы: Пользователь скрыл имя, 30 Марта 2014 в 10:21, задача
1.1- кестеде көрсетілген бастапқы деректерді пайдаланып, дәріптелген кремнийден немесе германиден тұратын (берілген вариант бойынша анықталады) диод үшін келесі тапсырмаларды орындаңдар:
1) Диодтың вольт-амперлік сипаттамасын (ВАС) есептеп тұрғызыңдар. Диодқа берілетін кернеудің өзгеру диапазоны -5 вольттан +0,7 вольтқа шейін алуға болады.
2) Uтура, - диодқа берілген тура кернеуі және Т1 – диодттың алғашқы температурасы бойынша R0 статикалық және rдиф дифференциалдық кедергілерін есептеп анықтаңдар.
3) диодттың температурасы Т1 - ден Т2 –ге шейін көтерілгенде R0 статикалық және rдиф дифференциалдық кедергілері қалайша өзгеретінін есептеп анықтаңдар.
Диодтың 1 және 2-кестелерде берілген бастапқы деректерді: I0 - диодтың кері тогы; Uтура, - диодқа берілген тура кернеу; Т1 – диодттың алғашқы температурасы; Т2 – диодтың кейінгі температурасы.
5 – тапсырма
Берілгені.
Биполярлы транзистордың тегі берілген. Оның толық параметрлерін жазып келтіру керек. Осы транзистордың ортақ эмитер арқылы, ортақ база арқылы және ортақ коллектор арқылы қосылған сұлбаларын сызып салу керек. Ортақ эмиттерлі сұлбамен қосылған транзистордың кіріс және шығыс статикалық сипаттамасын анықтама арқылы тауып, оларды сызып тұрғызу керек.
Тұрғызылған кіріс және шығыс статикалық сипаттамасында өзіңнің қалауынша жұмыс нүктесін анықтай отырып, осы анықталған жұмыс нүктесіне сәйкес транзистордың h11э, h12э, h21э, h22э параметрлерін есептеп анықтау қажет. Анықталған h11э, h12э, h21э, h22э параметрлерінің сандық мәндерін пайдаланып Т-тәрізді балама схемасының параметрын есептеп шығарып, сол схеманы сызып келтіру керек.
Есепті шығару тәртібі.
1) Биполярлы транзистордың тегін анықтап, оның толық параметрлерін жазып келтіреміз.
2) Осы транзистордың ортақ
3) Ортақ эмиттерлі сұлбамен
4) Тұрғызылған кіріс және шығыс
статикалық сипаттамасында
5) Анықталған h11э, h12э, h21э, h22э параметрлерінің сандық мәндерін пайдаланып Т-тәрізді балама схемасының параметрын есептеп шығарып, сол схеманы сызып келтіреміз.
Шешуі:
Транзистордың тегі - КТ342А. Бұл транзистордың статикалық кіріс және шығыс сипаттамасы 5.1 – суретте көрсетілген.
Анықтама кітапшасынан КТ342А транзисторының параметрлерін анықтап аламыз да 5.1- кестені толтырамыз.
1- кесте. КТ342А транзисторының параметрлері.
Тоқ бойынша күшею коэффициенті |
Коллектор –эмиттерде максималды рұқсат етілген кернеу, В |
Коллекторда рұқсат етілген максималды тоқ, мА |
Коллектордағы максималды тарау қуаты, мВт |
Транзистордың шекаралық жиілігі, МГц |
100 |
15 |
100-300 |
150 |
300 |
Биполярлы транзисторлардың h-параметрлерін есептеп анықтауға олардың кіріс және шығыс статикалық сипаттамаларын қолданған ынғайлы.
Биполярлы транзистордың ОЭ сұлбасымен қосылғандағы h-параметрлерін есептеп анықтауға графо-аналитикалық әдісіңің пайдалану жолын қарастырамыз.
Биполярлы транзистордың дифференциалдық параметрі h11э и h12э
анықтау үшін, бірінші оның кіріс сипаттамасында А (UБЭ0 , IБ0 , UКЭ0 ) жұмыс нүктесін белгілейміз (5.1, а –суретті қараңыз).
5.1 – сурет. Транзистордың статикалық кіріс және шығыс сипаттамасы.
5.1, а –суретте көрсеткендей ток пен кернеудің өсімдерін тұрғызамыз. Тұрғызған өсімдер h11э және h12э параметрлерін анықтайды:
h21э и h22э параметрін 5.1, ә –суретте көрсеткендей ток пен кернеудің өсімдерін тұрғызамыз. Тұрғызған өсімдер h21э и h22э параметрлерін анықтайды:
Анықталған h11э , h12э 6 h21э және h22э параметрлері арқылы, транзистордың балама схемасының параметрлерін анықтап, схеманың өзін сызып келтіреміз.
Балама схемасының параметрлері:
1.2-сурет: Биполярлық транзистордың балама схемасы.
6 - тапсырма
1.6- кестеде көрсетілген бастапқы дерек бойынша, «Еlectronics Workbench» бағдарламасын пайдаланып қолдану арқылы берілген стабилитронды зерттеу қажет.
1.6- кесте. Бастапқы деректердің тобы
Сынақ кітапшаның соңғы екі саны |
21 |
47 | |
Биполярлық транзистордың типі |
2N3415 |
Шығыстық кернеудің осциллограммасы
Қорытынды: коллектордағы токтың біршама өзгеруі кезінде тыныштық нүктесі кесілме аумағына жақындайды.
7 – тапсырма
1.7- кестеде көрсетілген бастапқы
дерек бойынша өрістік
Тұрғызылған кіріс және шығыс статикалық сипаттамасында өзіңнің қалауынша жұмыс нүктесін анықтай отырып, осы анықталған жұмыс нүктесіне сәйкес өрістік транзистордың аз S, Ri и μ параметрлерін есептеп анықтаңдар.
1.5-кесте. Бастапқы деректердің тобы
Сынақ кітапшаның соңғы екі саны |
21 |
47 | |
Биполярлық транзистордың типі |
2П301А |
7 – тапсырма
Берілгені.
Бастапқы дерек бойынша өрістік транзистордың типін анықтап, оның толық параметрлерін жазып келтіру керек. Осы өрістік транзистордың ортақ құйма арқылы, ортақ тиек арқылы және ортақ бастау арқылы қосылған сұлбаларын сызып келтіру керек. Ортақ бастау сұлбамен қосылған өрістік транзистордың кіріс және шығыс статикалық сипаттамасын анықтама арқылы тауып, оларды сызып келтіру керек. Тұрғызылған кіріс және шығыс статикалық сипаттамасында өзіңнің қалауынша жұмыс нүктесін анықтай отырып, осы анықталған жұмыс нүктесіне сәйкес өрістік транзистордың аз S, Ri и μ параметрлерін есептеп анықту керек.
Есепті шығару тәртібі.
1) Өрістік транзистордың тегін анықтап, оның толық параметрлерін жазып келтіреміз.
2) Осы транзистордың ортақ құйма арқылы, ортақ тиек арқылы және ортақ бастау арқылы қосылған сұлбаларын сызып саламыз.
3) Ортақ бастау сұлбасымен
4) Тұрғызылған кіріс және шығыс с
Шешуі:
Өрістік транзистордың тегі – 2П301А. Бұл транзистордың статикалық кіріс және шығыс сипаттамасы 7.1 – суретте көрсетілген.
Анықтама кітапшасынан 2П301А транзисторының параметрлерін анықтап аламыз да 5.1- кестені толтырамыз.
7.1 – сурет. Транзистордың статикалық кіріс және шығыс сипаттамасы
1- кесте. 2П301A транзисторының параметрлері.
р-п
ауысуы бар п арналы өрістік транзитордың
құлдыйлық параметрі
**=∆
табу
үшін, оның
құйма – тиектік
сипаттамасын пайдаланамыз.
Ол үшін транзистордың құйма – бастаудағы кернеуін Uқб = 10 В деп аламыз. Онда құймадағы ток DIқ = 1,5×10-3 А және тиекпен бастаудағы кернеудің D Uтб = 0,15 В өсімдерін (7.1,ә –суреттегі а,б,в нүктелерін қараңыз) анықтап, құлдыйлық параметрін есептеп табамыз:
Дифференциальдық кедергіні табу үшін, оның
ұйма сипаттамасын пайдаланамыз. Онда құймадағы ток және тиек пен бастаудағы кернеудің өсімдерін (7.1,а –суреттегі ж,е,г нүктелерін қараңыз) DIқ = 0,1×10-3, DUтб = 5 В анықтап, дифференциалдық кедергіні есептеп табамыз:
Өрістік транзистордың күшейту коэффициентін анықтаймыз: m = S×rc = 0,01×50000 = 500.
8 - тапсырма
1.8- кестеде көрсетілген бастапқы дерек бойынша, «Еlectronics Workbench» бағдарламасын пайдаланып қолдану арқылы берілген стабилитронды зерттеу қажет.
1.8- кесте. Бастапқы деректердің тобы
Сынақ кітапшаның соңғы екі саны |
21 |
47 | |
Биполярлық транзистордың типі |
J2N5020 |
Өрістік (арналық)
транзистор – жұмыстық токтың өзгеруі кіріс
сигналы тудыратын, оған перпендикуляр
бағытталған электр өрісі әрекетінен
болатын транзистор. Өрістік транзисторларда
кристалл арқылы өтетін токты тек бір
таңбалы заряд тасушы –электрон немесе кемтік тудыра
Информация о работе Электроника пәнінен №1 есептеу- сызба жұмыс