Контрольная работа по "Информатике"

Object Modules [.obj]: new.obj Run File [new.exe]:  "new.exe" List File [mil.map]: NUL Libraries  [.lib] : Definitions File  [nul.def]:

C:\MASM611\FILES>

Транслятор (ML) программасының атынан кейін орындалатын файл аты көрсетіледі. /FI ауысып қосқышы файла-листингінің атын LST кеңейтуімен және NEW.LST – атымен бірге көрсетеді. Файл-листингін (ол әрине міндетті емес) алу қателерді локалдауға мүмкіндік береді. Файл-листингінде ассемблерлеу жайындағы ақпараттар, генерацияланған машиналық кодтағы, оналтылық формада есепберулер нәтижесі көрсетіледі.

Компоновщик (linker program), ML программасының екінші кезегінде шақырылады,  ассемблермен құрылған объектілік файлдармен оқылады, және ЕХЕ кеңейтуіндегі орныдалатын файлдарға біріктіреді.

Өлшемі 64 Кбайт орындалатын  файлды кеңейтуі СОМ форматтағы орындлатын файлға өзгертуге болады. СОМ-форматтағы программалар 100Н ығысуынан басталады (сол себепті, ауысатын файл өлшемінің  максимальды бірілігі 64К—ЮОН байтты құрайды). ML программасы  СОМ кеңейтуіндегі файлды  генерациялайды, егер tiny модельіндегі жады таңдалса және кіріс нүктесі ЮОН ығысуымен беріледі. СОМ-файлдардың артықшылықтары негізінен орындалатын фалйдардың жадыға тез жүктелуінде. Сонымен қатар, ЕХЕ-форматтағы файлдармен салыстырғанда  СОМ-программалар дискіде аз орын алады. 7.2 мысалда ML программасының шығысы үш  NEW, WHAT және DONUT модулдерін трансляциялау кезі көрсетілген. ML программасы ассемблирлеуді орныдайды, және компоновкалайды.

7.2. Мысал. Бірнеше  модулден тұратын программа трансляциясы

C:\MASM611\FILES>ml new,asm what.asm donut.asm

Microsoft  (R) Macro Assembler Version 6.11

Copyright  (C) Microsoft Corp 1981-1993. All rights reserved.

Assembling: new.asm Assembling: what.asm Assembling: donut.asm

Microsoft (R)  Segmented Executable Linker Version 5.31.009 Jul 13 1992 Copyright  (C) Microsoft Corp 1984-1992. All rights reserved.

Object Modules  [.obj]: new.obj+ Object Modules  [.obj]:  "what.obj"+ Object Modules [.obj]: "donut.obj" Run File  [new.exe]:  "new.exe"

List File [nul.map]: NUL Libraries  [.lib]: Definitions File  [nul.def]:

C:\MASM611\FILES>

ML программасынан шақырылатын компоновщик, ассемблермен құылған объектілік модулдердің ("Object Modules") аттарын енгізуді сұрайды. Бұл мысалда үш объектілік модулді: NEW, WHAT және DONUT қолданамыз. Бастапқы модулдің аты (NEW) бірінші енгізіледі.

Кітапханалық файлдардың аттары ML программасын жіберген кезде орындалатын файлдардың және /LINK ауыстырғыштың  соңынан енгізіледі. (Мысалда кітапхана көрсетілмеген.) Айталық, NEW.ASM программасы  NUMB.LIB кітапханасына қатынасын дейік. Бұл жағдайда транслятор келесі командалар жолымен шақырылады:

ML MEW.ASM /LINK NUMB.LIB.

PUBLIC және EXTRN директивалары

public және extrn директиваларының модульдік программалаудағы атқаратын рольі маңызды. Біз public директивасын басқа программа модульдерінде қолдануға болатын  инструкция атын, деректер және сегменттер атын беру үшін қолданамыз. extrn директивасы сыртқы аттарды көрсеті үшін қолданылады, оларға берілген модульдер сілтеме жасайды. Бұл операторларсыз -public және extrm — модулдерсіз, әдетте компоновкаланған блса да бір- бірімен байланыса алмайды.

Кітапханалар — бұл жалпы міндетті процедуралар коллекциясы, олар әртүрлі программаларда қолданылады. Процедуралар тобы ассемблирленгеннен кейін бір кітапханалық файлға кітапхана – программасымен LIB бірігеді, олар MASM пакетінің құрамына кіреді. Кітапхана файлдар орындалатын программа компоновкасы кезінде кітапхана процедураларына сілтемеленеді.

Негізгі әдебиеттер: [1] – 31- 800 б, [2] – 15-600 б.

Бақылау сұрақтары:

1. Құрылған ассемблер макрокомандаларды оқи ала ма?
2. Құрылған ассемблер  DВ директивасымен байттарды анықтауды оқи ала ма?
3. құрылған ассемблерді қолдану кезінде меткалар қалай анықталады?
4. Қандай регистрде процедура оны шақырған программаға С/С++ тілінде нәтижені қайтарады?

 

8-Дәріс. Жады интерфейсі. Енгізу-шығарудың негізгі  интерфейсі.

Әрбір жүйе микропроцессора (жай және күрделі) негізінде есте сақтау жүйесіне ие. Intel микропроцессорлар тобы бұл бойынша басқа топтардан ерекшеленбейді.

Барлық жүйелер  жадтың негізгі 2 түріне ие: тұрақты  есте сақтау құрылымы (ТЕҚ) және жедел есте сақтау құрылғысы (ЖЕҚ). ТЕҚ жүйелік программалық қамтаманы иелейді, ал ЖЕҚ уақытша мәліметтерді және қолданбалы программалық қамтаманы сақтауға арналған. Бұл бөлімде 8-, 16-және 32-разрядты мәліметтер шиналы жадтардың өзара әрекеті қарастырылған.

Есте сақтау құрылғысы

Жадтардың жалпы  төрт типі қарастырылған:

тұрақты есте сақтау құрылымы (ТЕҚ) немесе ағылшыша ROM (readonly memory);

Флэш-жад ;

Статикалық ЖЕҚ (SRAM — Static Random Access Memory);

Динамикалық ЖЕҚ (DRAM — Dynamic Random Access Memory).

Есте сақтау құрылғысының барлық элементтерінің жалпы  қорытындысы  ( 8.1-сурет).

 

8.1-сурет. ТЕҚ ретінде де, ЖЕҚ ретінде де адрес, мәліметтер және басқаруға сәйкес псевдожадтың қандай да бір жалпыланған элементі

Адрес қорытындысы 

Есте сақтау құрылғысының барлық элементтері адрес түсетін және ЕҚ-да жадтың белгілі бір ұяшығын таңдау үшін арналған қорытындыға ие. Адрес қорытындысы А0 –ден Ап -ға дейін белгіленеді.

ЕҚ-ның қазіргі  заманғы элементтерінің көпшілігі 1 (1024)-тан 64 Мбит (67 108 864)-қа дейінгі жадқа ие. ЕҚ

Он алтылық  адрес 400Н 1 Кбайт жад жүйесі секциясын  көрсетуі мүмкін.

Мәліметтер  адресі

ЕҚ-ның барлық элементтері шығуға(О) және енгізу-шығуға (I/O) арналған қорытындылар жиынына  ие.  Қазіргі кезде көп ЕҚ екі  ағыттағы мәліметтер қорытындысына ие: жазу амалы кезіндегі мәліметтер енгізу үшін және оқу кезіндегі шығару үшін.  ЕҚ элементтнрінің мәліметтерінің қорытындысы графикалық сұлбада 8-разрядты жад ұйымдастырылуы үшін  DO—D7 деп белгіленеді.

Таңдау қорытындылары

ЕҚ әрбір элементі кіру сигналы үшін қорытындыға ие. Қорытындының  мұндай типі кристалл таңдауы CS (chip select), таңдау кристалының мүмкіндігі СЕ (chip enable) немесе жай таңдау S (select) деп аталады.  ЖЕҚ элементтері бірден кем емес CS немесе S, ал ТЕҚ СЕ бірден кем емес кіруге ие. СЕ , CS немесе S қорытындысында белсенді сигналда ЕҚ элементі оқу немесе жазу амалдарын орындайды. Пассивті сигналда бұл қорытындыда элемент оқу не жазуды орындай алмайды, өйткені ол өшеді немесе оның жұмысына тыйым беріледі.

Басқарушы қорытындылар

ЕҚ барлық элементтері басқарушы қорытындылардың бірнеше түріне ие. ТЕҚ элементі тек бір басқарушы кіруге ие, онда ЖЕҚ элементі – бір немесе екі асқарушы кіруге ие.  ТЕҚ басқарушы қорытындысы  ОЕ (output enable) шығу мүмкіндіктері немесе сұлба жұмысының мүмкіндігі G (gate)  жад элементі ақпараттық қорытындыларында шығуына мүмкіндік береді.

 Егер ОЕ және CS шығуындағы  сигналдар белсенді болса, мәліметтер  шығу мүмкін. Егер ОЕ шығуында  пассивті болса, онда мәліметтер  шығуы өшірілген және жоғары  импеданс жағдайында тұрады. ОЕ сигналы ЕҚ элементіндегі орнатылған буферлік сұлбалар жағдайларына мүмкіндік береді және тыйым салады және мәліметтерді оқу үшін белсенді болуы керек. ЖЕҚ жады элементі бір немесе екі басқарушы кіруге ие.  Егер бір басқарушы кіру бар болса, онда ол R/W (оқу/жазу) деп белгіленеді. 

Егер ЖЕҚ жады элементі екі басқарушы шығуға ие болса, онда олар WE (немесе W ) и ОЕ (немесе G ) белгіленеді.

ТЕҚ жүйе үшін резидентті боп табылатын және тоқ көзін  ажыратқанда өзгермеуі тиіс программалар мен мәліметтерді сақтайды. ТЕҚ бір ғана рет программаланады. Жадтың бұл типі энергия тәуелді жад деп аталады (nonvolatile memory). Қазіргі кезде Теқ түрлері көп. EPROM (erasable programmable read-only memory) типіндегі ТЕҚ ультрафиолетті өшірумен(РПЗУ-УФ) программалық қамтаманы жиі өзгерту үшін қолданылады.  Жаңа ТЕҚ қолдану тиімді болуы үшін программалау бойынша завод шығындарын компенсациялау мақсатында 10000 нан кем емес санда бұйыртпа беру керек.  РПЗУ-УФ қолданушының өзімен программаланады. Жазылған ақпаратты қажет жағдайда жоғары интенсивті ультрафиолет сәулелену ықпалымен өшіруге болады. ТЕҚ және РПЗУ –дан басқа бір еселі программаланушы ТЕҚ лар бар, басқаша айтқанда PROM (programmable read-only memory).

Тағы бір жаңа тип RMM (read-mostly memory — жартылай тұрақты ЕҚ) флэш-жадпен (flash memory) тұрады.Флэш-жад элементтерін  репрограммаланушы ТЕҚ электрлік өшірушісі бар(РПЗУ-ЭС) немесе EEPROM (electrically erasable programmable ROM) басқаша энерготәуелді ТЕҚ (nonvolatile ROM) деп атайды. Бұл ЕҚ-дағы ақпарат электлік өшіріледі, бірақ көп уақыт кетеді. Флэш-жад, мысалы, видео-плат ақпараттарын сақтауға арналған.

8.2-сурет  2716 типіндегі EPROM көрсетедіі, ол неғұрлым  сипатты репрограммалаушы құрылғы.  Бұл ЕҚ 11 адрестік қорытындыға  және 8 мәліметтер шығуына ие.  2716 типіндегі EPROM 2К х 8 ұйымдастылуымен 16 Кбит сиымдылықтағы ТЕҚ боп табылады. Серия 27ХХХ РПЗУ-УФ (EPROM) келесі түрдегі микросхемаларды қамтиды: 2704 (512 х 8), 2708 (1К х 8), 2716 (2К х 8), 2732 (4К х 8), 2764 (8К х 8), 27128 (16К х 8), 27256 (32К % 8), 27512 (64К х 8) и 271024 (I28K х 8). Әр компонент адреса шығуына, 8 мәліметтер шығуына, бір немесе одан көп кристалл таңдау мүмкіндігі шығуына (СЕ) және мәліметтер шығуы мүмкіндігі қорытындысына(ОЕ) ие.

Тест шарттары:

Т_А = 0—70 'С, Vcc = +5 В +5%, V_PP = V_Cc ±0,6 В Шығу жүктемесі: 1 TTL микросхема және C_L = 100 пф Сигналдар фронттары: < 20 не Сигналдар деңгейі: 0,8 -ден 2,2 В-ға дейін

8.2-Кесте.

2716 типіндегі  РПЗУ-УФ (EPROM) микросхемасының уақытша  сипаттамасы

Белгілеу	Сипаттама	Орнатылған  шектер		Тест  шарттары
			Мин.		Макс.
tACC	Мәліметтерді  алуға дейінорнатылған мезеттен бастап нақты адресті алу (Мәліметтерге кіру уақыты)		450	CE=OE=ViL
Ice	СЕ сигналын активизациядан мәліметтер алуға дейін кідірту		450	OE = VlL
tOE	ОЕ сигналын активизациядан мәліметтер алуға дейін кідірту		120	CE = V,l
tDF	Задержка от момента сброса сигнала ОЕ сигналын түсіру мезетінен мәліметтерді жоғары импеданс күйіне ауыструға дейін кідірту	0	100	CE = Vil
1он	Адресті алу  мезетінен мәліметтер қорытындысын жоғары импеданс күйіне ауыстыруға дейін кідірту	0		CE = OE = Vil

Статикалық жад

Жадтың статикалық элементтері тоқтың тұрақты көзінен қорек беру уақыты аралығында міліметтерді сақтайды.Бұл құрылғыларда мәліметтерді сақтау үшін қоректен басқа ештеңе керек болмағандықтан олар статикалық деп аталады, ал жад статикалық (static memory). Мұндай жад энергияға тәуелді(volatile memory) деп те аталады, өйткені ол қорек болмаса мәліметтерді сақтамайды. ТЕҚ элементтері мен RAM элементтері арасындағы негізгі өзгеелік сонда, ТЕҚ компьютеор сыртында программаланады және оларды тек оқу жүзеге асады, ал RAM элементтері ақпараттарды жедел жазу және оқуға арналған. SRAM элементтері аз сиымдылыққа салыстырғандағы жадтарды құруда қоданылады. Бүгінгі күнде жадтың кіші көлемі  1 Мбайттан аз емес саналады.

 

8.4-сурет. TMS4016 типіндегі 2Кбайт сиымдылықты SRAM микросхемасы шығулары

Texas Instruments Incorporated

8.3-Кесте

4016 типіндегі SRAM микросхемасының шығуларын белгілеу

Шығу                                              Белгілеу                                                                                                        

АО—А10                                      Адрестік сызықтар

DQ1—DQ8                                   Мәлімттерді енгізу-шығару

q                                                                 мәліметтердің шығу мүмкіндігі (output enable)

   S                                                              Кристалл таңдау (chip select)

Vcc                                                Қорек кернеуі

Vss                                                Жерлік шығу(ground) тұрақты ток көзінен                                                                                                                           

W                                                   Жазу мүмкіндігі шығуы (write enable)

 

Динамикалық жад

Сиымдылығы  бойынша ең үлкен микросхема SRAM 128К  х 8 ұйымдастырылуымен 128 Кбайт⁶  құрайды. DRAM(dynamic memory) –ның бар микросхемалары64 Мбит⁷ дейінгі жад сиымдылығына ие.

Динамикалық элементтер статикалық элементтерге көп жағдайларды ұқсас. Статикалық жад үшін есте сақтау элементтері болып триггерлер, ал динамикалық жад үшін сиымдылық боп табылады.

DRAM микросхемасының   өндірушісі жақсы ішкі құрылым  жасады.

8.5-суретте орналасу  көрсетілген.