Автор работы: Пользователь скрыл имя, 28 Марта 2014 в 14:31, контрольная работа
Параметр
Обозначение
Значение
Максимальная температура окружающей среды
Θ
60°C
Значение температуры для расчетов
T
T = Θ + 10°C = 70°C; *
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное
образовательное учреждение
высшего профессионального образования
Национальный минерально-сырьевой университет «Горный»
Энергетический факультет
Кафедра электронных систем
Контрольная работа
по дисциплине:
Надёжность информационных систем
Специальность: 230201
Группа: ИСТБз-08
Студент: Сивак А.М.
Шифр: 8404130017
Преподаватель: Винников В.В.
Санкт-Петербург
2014
Необходимо произвести расчет надежности устройства, выполненного на печатной плате (ПП). Условно принято, что на каждой ПП имеется 7 рядов элементов, причем в каждом ряду элементы одинаковые, и их число в ряду равно 10. Кроме этого, на некоторых ПП установлен разъем.
Требуется рассчитать: T, время наработки на отказ.
Параметр |
Обозначение |
Значение |
Максимальная температура окружающей среды |
Θ |
60°C |
Значение температуры для расчетов |
T |
T = Θ + 10°C = 70°C; * |
Коэффициент электрической нагрузки резистора |
Кн |
0,4 |
Группа по влажности |
1 |
1 |
Амортизация |
2 |
есть |
Герметизация |
3 |
нет |
Атмосферное давление |
4 |
пониженное |
Тип корпуса |
5 |
Me |
Кн резистора |
0,6 | |
Интенсивность отказов одной пайки |
0,05·10-6 1/ч | |
* взято с учетом максимальной температуры окружающей среды и возможным перегревом |
Коэффициент |
Обозначение |
Значение | |
учитывающий условия работы |
a1 |
2,4336 | |
учитывающий температурные поля и тип корпуса микросхемы |
Для микросхем |
a2 |
2,0 |
Для резисторов |
1,2 | ||
учитывающий конструкцию микросхем и полупроводниковых элементов |
Для микросхем |
a3 |
1,0 |
Для резисторов |
1,0 | ||
влияния вибраций |
b1 |
1,2 | |
влияния ударов |
b2 |
1,2 | |
влияния влажности |
b3 |
1,00 | |
влияния атмосферного давления |
b4 |
1,3 | |
влияния климатических факторов |
b5 |
1,3 |
Наименование |
Обозначение на схеме |
Число паек М, шт. |
Интенсивность отказов λ0·106, 1/ч |
Кол-во элементов в ряду N, шт. |
Позиция на схеме |
Расчетная формула интенсивности отказов с учетом пайки |
Микросхема |
МС |
16 |
0,1 |
10 |
1, 2, 5,7 |
|
Резистор |
R |
2 |
0,2 |
10 |
3, 4, 6 |
|
Разъем |
Р |
64 |
0,6 |
1 |
Р |
Наименование |
Схема |
Формула |
Вероятность безотказной работы (ВБР) элемента |
P(t) = e-λt; | |
ВБР последовательно соединенных элементов |
||
ВБР параллельно соединенных элементов |
Интенсивность отказов ряда микросхем:
Где N=10, =0,1*10-6, a1=2,4336, a2=2,0, a3=1,0, =0.05*10-6, M=16
Интенсивность отказов ряда резисторов:
Где N=10, =0,2*10-6, a1=2,4336, a2=2,0, a3=1,0, =0.05*10-6, M=2,
Интенсивность отказов разъема:
Где =0,6*10-6, a1=2,4336, =0.05*10-6, M=64
P(t) = e-λt;
ВБР ряда микросхем:
ВБР ряда резисторов:
ВБР разъема:
Схема при абсолютно надежном элементе 5:
Вероятность безотказной работы данной схемы:
РI= [(1-(1-P1)(1-P2)) *P5*((1-(1-P3)(1-P4))(1-(1-P6)
P1=P2=P5=P7=0.9760
P3=P4=P6=0.9918
Рр = 0.9908
РI= [(1-(1-0.9760)(1-0.9760))*0.
(1-1)*0.9760]*0.9908=0.9754
Схема при ненадежном элементе 5:
Вероятность безотказной работы данной схемы:
PII= (1-(1-P1)(1-P2))*(1-P5)*(1-(1-
PII= (1-(1-0.9760)(1-0.9760))*(1-0.
Робщ = РI + PII = 0.9754+0.0232=0.9986
Р(t=100)=0,9986
lпп=-ln(P)/t=-ln(0.9986)/100=
T=1/lпп =71377.5874
Вывод:
По заданию контрольной работы, необходимо произвести расчет времени наработки на отказ, Т. Для удобного и быстрого расчета, исходная схема была разделена на несколько структур по ключевым элементам. В качестве «элемента разложения» был выбран элемент 5, с наибольшим количеством связей. Этот элемент был рассмотрен в двух состояниях: первое - в работоспособном, второе - в состоянии отказа. В результате расчетов время наработки на отказ равно 71377,5874ч.
Информация о работе Расчет надежности устройства, выполненного на печатной плате (ПП)