Проектирование электронной схемы на цифровых ИМС

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 12 Ноября 2012 в 12:50, курсовая работа

Описание работы

В данной работе необходимо спроектировать электронную схему на цифровых ИМС. Схема должна осуществлять генерацию пятибитного кода неполного алфавита русского языка, а также выводить последовательности этих кодов в соответствии с наименованием и количеством букв фамилии исполнителя, с целью последующей обработки и отображения на буквенно-цифровом индикаторе.

Содержание работы

Ведение
1. Постановка задачи
2. Составление таблицы истинности
3. Схема генератора импульсов
4. Выбор счетчика
5. Схемы совпадений
6. Регистры памяти
7. Минимизация Булева выражения
8. Расчет энергетических параметров
Заключение
Литература

Файлы: 1 файл

Курсовой Пекурин.doc

— 645.00 Кб (Скачать файл)

Каждый из корпусов ИС типа ЛА содержит от 2 до 4 логических элементов т И-НЕ. Количество элементов в корпусе определяется количеством входов и выходов всех элементов и ограничивается количеством выводов корпуса.

Цоколевка микросхемы типа ЛА8 и её условное обозначение изображены на рис.12.

                                                                                                                                                                                                                                  

Основные параметры:

 


 

Микросхемы типа К561ЛЕ5 выполняют логическую функцию т ИЛИ-НЕ, где т - количество входов. Реализация ее обеспечивается последовательным соединением т МДП-транзисторов с каналом р-типа и параллельным соединением т МДП-транзисторов с каналом n-типа.

 На рис.13 приведена принципиальная электрическая схема 2ИЛИ-НЕ, являющегося одним из элементов ИС ЛЕ5. Этот тип элементов также имеет более высокий уровень и более низкий уровень , по сравнению с простейшим КМДП-инвертором. Чтобы величина не была ниже предельно допустимого уровня, ширина каналов МДП-транзисторов с каналом р-типа (по схеме рис.11 VT1 и VT2) больше в т раз, чем у МДП-транзисторов с каналом n-тина.

Каждая из микросхем  тина ЛЕ содержит от 2 до 4 логических элементов т ИЛИ-НЕ. Количество элементов в корпусе определяется количеством выводов. Цоколевка и условные обозначения ИС типа ЛЕ приведены на рис.13.


Основные параметры:

                                                                                                                    

 
6. Регистры памяти

 

В качестве регистров  памяти (DD11– DD15) применена микросхема [1]: К561ИР6.

Микросхема К561ИР6 содержит восьмиразрядный регистр сдвига с последовательным и параллельным вводом информации. Кроме этого регистр имеет переключатель направления обмена информацией. Структурная схема регистра сдвига типа ИР6 приведена на рис.14 , а его условное обозначение и цоколевка — на рис.15 .

Рис.10 Структурная схема регистра сдвига типа ИР6

 

Выбор направления передачи информации определяется входом А/В. При высоком уровне на входе А/В шины А1...А8 подключаются к входам триггеров регистра, а шины В1...В8 — к выходам триггеров регистра. При этом выходы триггеров подключены постоянно, а входы триггеров подключаются к шинам А1...А8 при наличии разрешающего высокого уровня на входе ЕА и разрешающего высокого уровня на входе P/S (переключатель «параллельная — последовательная запись информации»). Запись информации в триггеры производится с шин А1...А8 синхронно с фронтом синхроимпульса на входе С, если на входе A/S (переключатель «асинхронный — синхронный режим записи») присутствует низкий уровень, и асинхронно (независимо от импульсов на входе С) — при высоком уровне на входе A/S.


 

 

При низком уровне на входе А/В шины BI...B8 подключаются  ко  входам   триггеров   регистра   и   параллельная  запись  в регистр с шин В1...В8 может производиться синхронно с фронтом импульса на входе С, если на входе P/S высокий уровень, а на входе A/S — низкий. Асинхронная запись информации производится с шин В1...В8, если на входах P/S и A/S высокие уровни Параллельное считывание информации с триггеров регистра в этом режиме производится при высоком уровне на входе ЕА.

Последовательный ввод информации с входа D и ее сдвиг осуществляется при низком уровне на входе P/S по фронтам синхроимпульсов на входе С. Асинхронный последовательный ввод информации в регистр сдвига невозможен.

При использовании ИС типа ИР6 следует помнить, что шины AI...A8 имеют разрешающий вход ЕА, а шины В1...В8 такого входа не имеют, поэтому при записи информации с шин А1...А8 на шины В1...В8 будет выводиться эта информация. Зависимость режимов работы от состояния входов ЕА, P/S, А/В и A/S сведена в табл.5 .

                                                                                                             Таблица 3

Вход

Режим

ЕА

Р/

А/В

А/

0

0

0

X

Последовательный синхронный ввод данных; данных на параллельных выходах  А нет

0

0

1

X

Последовательный синхронный ввод данных; данные появляются на выходе В

0

1

0

1

Параллельный режим  синхронных входов В; данных на выходах  А нет

1

1

0

0

Параллельный режим  асинхронных входов В; данных на выходах  А нет

0

1

1

1

Параллельные входы  данных А отключены; параллельные данные на выходах В; данные синхронно рециркулируются

0

1

1

0

Параллельные входы  данных А отключены; есть данные на выходах В; данные асинхронно рециркулируются

1

1

0

X

Синхронный последовательный ввод данных; есть данные на параллельных выходах А

1

0

1

X

Синхронный последовательный ввод данных; есть данные на  выходах  В

1

1

0

0

Входы В синхронно  параллельно принимают данные; на выходах А есть данные

1

1

0

1

Входы А асинхронно принимают  данные; на выходах А есть параллельные данные

1

1

1

0

Входы А синхронно параллельно принимают данные; на выходах В – параллельные данные

1

1

1

1

Входы А асинхронно принимают  данные; на выходах В – параллельные данные


 

 

7.   Минимизация Булева выражения

 

   Пользуясь таблицей 1, составляем Булево выражение:                                                   

 

 

   Заполняем карту Карно (рис.16):

Рис.12 Карта Карно

 

Проводим минимизацию  и записываем минимизированное Булево выражение:

            

 

 

8. Расчет  энергетических параметров

 

Микросхемы (при напряжении питания +5 В):

 

  1. К561ЛН2:
  2. К561ИЕ10:
  3. К561ЛА8:
  4. К561ЛЕ5:
  5. К561ИР6:

Средний ток потребления  всего устройства будет складываться из токов потребления всех используемых в устройстве микросхем:

Питание устройства осуществляется источником с напряжением 

Средняя потребляемая при  этом мощность устройства:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Заключение

 

 

 

 

В проделанной работе была спроектирована электронная схема  по исходной блок-схеме представленной на рис.1.1. В качестве элементной базы, а также в соответствии с заданием была выбрана серия ИМС К561. Данная серия получила большое распространение благодаря широкому функциональному ряду микросхем, и хорошим эксплуатационным параметрам:

1) потребляемый ток в статическом режиме составляет десятки наноампер;

2) широкий диапазон питающих напряжений;

3) коэффициент разветвления ограничен в основном только паразитной емкостью монтажа;

К сожалению, серия К561 наряду с перечисленными достоинствами  обладает таким недостатком, как  малое быстродействие, ограниченное для большинства микросхем частотой f≈1 МГц . Последнее не явилось причиной отказа от данной серии в нашей работе, т.к по условию задания максимальные частоты в отдельных точках схемы на порядок меньше допустимой. Так по условию номинальная частота генератора  fг = 100 кГц. Максимальное время, необходимое схеме для прохождения полного цикла преобразования, с появлением  параллельных данных на выходах всех регистров составляет:  

Tпр= N/fг

     где N -  общее число разрядов счетчиков

 

Для наихудшего варианта- в фамилии присутствует буква  “Я” на последнем месте (код b”11111111”) время преобразования составит Tпр=256/100кГц = 2,56 mс. Это время можно считать временем между отображением первой и последней буквы на индикаторе. При этом наблюдателю вследствие инерционности зрения будет казаться, что все буквы фамилии отобразились одновременно.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Литература

 

 

1.     Цифровые  интегральные микросхемы: Справ./ М.  И. Богданович, И.Н.   

        Грель, В.А. Прохоренко, В. В. Шалимо.- Мн.: Беларусь. 1991.- 493с.: ил.

 

2.     Янсен Й.  Курс цифровой электроники: В 4-х т. Т. 1. Основы цифровой     

        электроники на ИС. Пер. с голланд.- М.: Мир, 1987.- 334 с.:, ил.

 

3.     Храбров  Е.А. Методы и средства конструирования  электронных  

         устройств: Практическое руководство  по курсу “ Конструирование  

         электронных устройств” для студентов специальности Т.07.02.00 

        “Промышленная электроника”. Часть 1.-Гомель: УО “ ГГТУ

         им. П.О. Сухого”, 2003. - 29с.  

   

4.      Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели,          

         коммутационные устройства РЭА: Справочник/ Н.Н. Акимов и др.              

       Мн.: Беларусь, 1994.


Информация о работе Проектирование электронной схемы на цифровых ИМС