Расчет параметров и характеристик однофазного управляемого несимметричного мостового выпрямителя

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 07 Ноября 2013 в 14:14, курсовая работа

Описание работы

Целью работы является углубление знаний курса “Электронная преобразовательная техника” и получение навыков расчета однофазного управляемого выпрямителя для регулирования напряжения на тяговых двигателях электроподвижного состава, его характеристик и других параметров, выявление качественных и количественных зависимостей между отдельными параметрами.
Кроме того, работа знакомит с некоторыми требованиями, которые предъявляются к оформлению инженерного расчетно-графического материала.

Скачать архив (874.92 Кб) Сколько стоит заказать работу?

Файлы: 1 файл

курсовой).docx

— 896.89 Кб (Скачать файл)

6.9.3 Продолжительность импульса управления. В соответствии с 5, рассчитать t_и при I_d=I_dн, I_L = 1A.

(37)

0,0386с

6.9.4 Диаграммы процессов в элементах управления. Изобразить диаграмму (см. рис.11) для заданного α_р. Если α_р=γ₁, принять α_р=γ₁. Рекомендуемые масштабы: напряжения управления U_упр 1мм:0,4В, времени ωt-1мм:0,2мс, остальные масштабы выбрать произвольно.

Классификация полупроводниковых приборов

Полупроводниковые приборы - электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике полупроводниковые приборы служат для преобразования различных сигналов, в энергетике - для непосредственного преобразования одних видов энергии в другие.
К основным классам полупроводниковых приборов относят следующие:

электропреобразовательные приборы, преобразующие одни электрические величины в др. электрические величины (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор);
оптоэлектронные приборы, преобразующие световые сигналы в электрические и наоборот (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор, полупроводниковый лазер, светоизлучающий диод, твердотельный преобразователь изображения - аналог видикона и т.п.);
термоэлектрические приборы, преобразующие тепловую энергию в электрическую и наоборот (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея, термистор и т.п.);
магнитоэлектрические приборы (датчик, использующий эффект Холла и т.п.);
пьезоэлектрический и тензометрический приборы, которые реагируют на давление или механическое смещение.

К отдельному классу полупроводниковых приборов следует отнести интегральные схемы, которые могут быть электропреобразующими, оптоэлектронными и т.д. либо смешанными, сочетающими самые различные эффекты в одном приборе.

Основные характеристики полупроводниковых приборов

ООО "Элмиком-ТВС" предлагает полупроводниковые приборы импортного и отечественного производства. На сайте представлена подробная техническая информация по фотодиодам, фототранзисторам, оптопарам, фотоприемным устройствам и микросхемам от производителей России и СНГ.

Тип прибора	Характеристика основная	Габаритные размеры, мм	Документ на поставку
СВЧ полупроводниковые диоды и транзисторы
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна	Диапазон частот: 4 - 30 ГГц. Мощность: менее 100 мВт.
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна	Диапазон частот: 4 - 30 ГГц. Мощность: более 100 мВт.
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна	Диапазон частот: 30 - 150 ГГц. Мощность: менее 100 мВт.
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна	Диапазон частот: 30 - 150 ГГц. Мощность: более 100 мВт.
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна	Импульсные диоды. Импульсная мощность: до 30 Вт. Импульсный рабочий ток: до 25 А.
Диоды СВЧ импульсные	Допустимый импульсный прямой ток: до 50 мА. Допустимое импульсное обратное напряжение: до 30 В.
Диоды СВЧ импульсные лавинные	Допустимый импульсный ток в открытом состоянии: до 50 А.
Диоды СВЧ настроечные	Общая емкость диода до 4,7 пФ
Диоды СВЧ смесительные и детекторные с барьером Шоттки	Максимальная рабочая частота 178,8 ГГц
Диоды СВЧ умножительные	Предельная частота при напряжении смещения -6В: до 500ГГц
Варикапы и варикапные матрицы	Общая емкость варикапа: от 2,3 пФ до 620 пФ
Транзисторы СВЧ полевые с барьером Шоттки	Коэффициент усиления на частоте 2 ГГц: 13 - 17
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
Диоды излучающие ИК-диапазона	Мощность излучения: 0,9...610 мВт
Индикаторы знакосинтезирующие единичные	Сила света: 0,4...16 мкд
Инфракрасные излучающие диоды АЛ147А, АЛ147А1	Мощность излучения 15 мВт	5,3 х 5,5	аАО.336.856 ТУ
Диодные оптопары АОД158, АОД158А1	Коэфф. передачи по току 1% 3%	7,9 x 7 x 5 9 x 10 x 5,5
Оптопары АОР113А, АОРС113А	Позиционная чувствительность 2 мкА / мкм	11,65x9,45x2,7	аАО.336.339 ТУ
Транзисторная оптопара АОТ159	Время нарастания выходного сигнала 80 мкс	7 x 5,6 x 5
Фотоприемник герметизированный многоспектральный ФМ-611	Максимум спектральной чувствительности 2-4 мкм	Рабочее напряжение В, 15±1	ОЖО.468.266 ТУ
Фотоприемное устройство ФУО-614-5	Размер фоточувствительной площадки 1 х 1 мм²	Ø45 х 46	ОЖО.468.234 ТУ
Фотоприемное устройство УФУР01 (ФУЛ113)	Размеры фоточувствительных площадок: 0,58 мм²и 17,74 мм²	ØO25 х 17,1
Фоточувствительные приборы
Кремниевые фотодиоды КДФ101А	Рабочее напряжение (10+0,1)В	5x2,5x5,5	аАО.336.857 .ТУ
Кремниевый фотодиод ФД-23К	S_I= 7 x 10^-3мкА/Лк	Ø5,5 x 9,5
Кремниевый фотодиод ФД-24К	S_I= 6 x 10^-3А/Лм	Ø19,6 x 6,5
Кремниевый фотодиод ФД-265	S_I= 7 x 10^-3мкА/Лк	Ø4 x 8
Кремниевый фотодиод ФД-265-02	S_I= 4 x 10^-2мкА/Лк	Ø4,05 x 7
Кремниевый фотодиод ФД-320	S_I= 0,12 мкА/Лк	11 x 11 x 9,5
Кремниевый фотодиод ФД-320-01	S_I= 3,5 x 10^-2мкА/Лк	7 x 6,5 x 2,5
Кремниевый фототранзистор ФТ-8	h^Э₂₃= 2 мкА/Лк	Ø4,05 x 7,5
Полупроводниковые приборы
Бескорпусные индикаторные преобразователи Холла АМ202А-5, АМ202Б-5, АМ2019	Остаточное напряжение <=2мВ <=2мВ <=15мВ	0,7 х 0,7 0,7 х 0,7 1,9x1,9x1	АДБК.432. 120.066 ТУ АДБК.432. 120.066 ТУ ТЦАФ.432. 129.002 ТУ
Микросхемы 317НФ1А, 317НФ1Б	- 60...+125⁰С	30,5x11,65x2,5	6КО.347.332. ТУ

Информация о работе Расчет параметров и характеристик однофазного управляемого несимметричного мостового выпрямителя