Автор работы: Пользователь скрыл имя, 29 Апреля 2014 в 04:58, курсовая работа
Данный тип приборов создан в начале 1980-х гг, запатентован International Rectifier в 1983. Первые IGBT не получили распространения из-за врождённых пороков — медленного переключения и низкой надёжности. Второе (1990-е гг) и третье (современное) поколения IGBT в целом избавились от этих пороков. IGBT сочетает достоинства двух основных видов транзисторов
Введение.........................................................................................................4
Специальная часть
1.1 Обоснование и выбор силовой части. Разработка функциональной схемы преобразователя частоты..........................7
1.2 Разработка принципиальной схемы силовой части...................9
1.3 Разработка структурной схемы системы управления..............11
1.4 Разработка принципиальной схемы системы управления......16
Расчётная часть
2.1 Обоснование и выбор элементов силовой схемы....................20
2.2 Расчёт и выбор элементов системы управления......................30
2.3 Расчёт электромагнитных процессов. Построение диаграмм действующих и мгновенных значений U, I....................................37
Заключение..................................................................................................41
Список использованных источников........................................................42
Расчёт генератора модулирующего напряжения (ГМН)
Генератор на основе моста Вина, схема на рисунке 2.2.4.
Рисунок 2.2.4 – Схема ГМН с расчитанными параметрами
Рисунок 2.2.5 – Осциллограмма выходного сигнала
Расчёт и выбор драйвера
Драйвер верхнего и нижнего ключей IR2110 содержит на одном кристалле как схему драйвера верхнего ключа, так и схему драйвера нижнего ключа. Управление обоими ключами независимое. Отличие данного драйвера заключается в том, что в IR2110 введена дополнительная схема преобразования уровня как в нижнем, так и верхнем каналах, позволяющая разделить по уровню питание логики микросхемы от напряжения питания драйвера. Содержится также защита от пониженного напряжения питания драйвера и высоковольтного «плавающего» источника.
Схема подключения драйвера IR2110 к стойке моста приведена на рисунке 2.2.6. Конденсаторы СD, СС предназначены для подавления высокочастотных помех по цепям питания логики и драйвера соответственно. Высоковольтный плавающий источник образован конденсатором С1 и диодом VD1.
Подключение выходов драйвера к силовым транзисторам осуществляется при помощи затворных резисторов RG1 и RG2.
Рисунок 2.2.6 - Типовая схема включения драйвера IR2110 (а) и временные диаграммы его сигналов на входах и выходах (б)
VDD – питание
логики микросхемы; VSS – общая
точка логической части
отключения драйвера; VCC – напряжение питания драйвера; COM – отрицательный полюс источника питания VCC; HO, LO – выходные сигналы драйвера, управляющие верхним и нижним транзисторами соответственно; VB – напряжение питания высоковольтного «плавающего» источника; VS – общая точка отрицательного полюса высоковольтного «плавающего» источника.
Расчёт и выбор блока питания
Структурная схема ИВЭП, получающего энергию от сети переменного тока, показана на рисунке 2.2.7. Трансформатор Тр предназначен для изменения уровня переменного напряжения и гальванической развязки выпрямителя и питающей сети. Выпрямитель преобразует переменное напряжение синусоидальной формы в пульсирующее напряжение одной полярности. Сглаживающий фильтр уменьшает пульсации напряжения на выходе выпрямителя. Стабилизатор уменьшает колебания напряжения на нагрузке.
Рисунок 2.2.7 – Структурная схема ИВЭП
Применение микросхемы КР142ЕН12А и унифицированного трансформатора ТПП255-380-50 позволяет изготовить простой и надежный источник питания для различных устройств.
Выходное напряжение источника может плавно регулироваться в пределах от 2 до 12 В. Максимальный ток нагрузки 1 А, при этом амплитуда пульсации выходного напряжения не превышает 2 мВ.
Принципиальная схема блока питания на рисунке 2.2.8.
Рисунок 2.2.8 – Принципиальная схема блока питания
Блок собран по типовой схеме последовательного компенсационного стабилизатора напряжения. Для того чтобы на микросхеме DA1 не рассеивать слишком большую тепловую мощность, в стабилизаторе предусмотрено дискретное переключение выводов вторичных обмоток трансформатора секцией S2.1 переключателя. Одновременно переключаются и резисторы R4...R7 делителей обратной связи для установки границы регулировки выходного напряжения. На каждом из поддиапазонов нужное напряжение можно устанавливать переменным резистором R3. Переключатель обеспечивает установку диапазонов выходных напряжений 2...5, 5...7, 7...9, 9...12 В.
Микросхема DA1 имеет внутреннюю защиту от перегрузки. Индикатором работы источника является светодиод HL1.
2.3 Расчёт электромагнитных процессов
1) Треугольное опорное напряжение задаём уравнением
Трехфазная система синусоидальных напряжений управления, сдвинутых друг относительно друга на угол 120º, задаём уравнениями
По этим уравнениям строим графики, которые приведены на рисунке 2.3.1
Рисунок 2.3.1 – Опорное напряжение треугольной формы и напряжения управления для ШИМ
2) Выходные напряжения на компараторах приведены на рисунке 2.3.2, напряжение питания
Рисунок 2.3.2 – Выходные напряжения компараторов, и они же модулированные фазные напряжения инвертора
Импульсы управления показаны на рисунке 2.3.3
а) управляющие импульсы для транзисторов VT1 и VT4:
б) управляющие импульсы для транзисторов VT5 и VT2:
в) управляющие импульсы для транзисторов VT3 и VT6:
Рисунок 2.3.3 – Сигналы управления транзисторными ключами
3) Фазные напряжения двигателя с обмоткой статора, включенной в звезду без нулевого провода, находим по формулам:
Форму тока можно определить, решив дифференциальное уравнение:
На рисунке 2.3.4 изображены фазные напряжения и токи на выходе АИН с ШИМ.
Рисунок 2.3.4 – Фазные напряжения и токи на выходе АИН с ШИМ
4) Линейные напряжения и токи на нагрузке
Рисунок 2.3.5 – Линейные напряжения и токи
Наибольшие частоты в тиристорных АИ могут быть получены при применении резонансных АИ. Они получили применение в электротермии и электротехнологии.
Автономные инверторы тока выполняются на тиристорах и применимы в электроприводе переменного тока, но в последнее время это направление мало развивается в связи с недостатками АИТ и бурным развитием транзисторов.
АИН имеют наилучшие внешние и регулировочные характеристики.
Применение ШИМ в АИН позволяет формировать на выходах достаточно синусоидальные токи и напряжения.
При отсутствии ШИМ максимальное действующее напряжение на выходе трехфазного АИН (Uнл = 0,816Ud , Uнл(1) = 0,78Ud ), но в нем очень велико содержание высших гармоник (3, 5, 7 и т.д.). Амплитуды пятой и седьмой гармоник составляют 20 и 14% от амплитуды основной гармоники.
Регулирование выходного напряжения возможно только регулированием напряжения источника питания. Коммутационные потери в транзисторах минимальные.
При формировании фазных напряжений с помощью пространственного вектора максимальное напряжение на нагрузке меньше в (2 3) раз (на 13,4%), чем без модуляции (без ШИМ). Система управления наиболее сложная, практически реализуется только на микроконтроллерах.
Формирование средних напряжений на выводах по отношению к средней точке источника питания уменьшает максимальное напряжение на нагрузке по сравнению с предыдущим способом еще в (2 3) раз (на 13,4%).
При формировании фазных токов максимальные напряжения и потери близки к соответствующим показателям при формировании фазных напряжений.
Список использованной литературы
ПРИЛОЖЕНИЕ А
Поз. обознач. |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
Асинхронный двигатель |
|||
M |
RA 280S2 |
1 |
|
Датчики |
|||
ДН1..ДН2 |
ДНХ - 600 |
2 |
|
Диодный полумост |
|||
VD1..VD6 |
M5060CC600 |
3 |
Crydom |
Диоды ГОСТ 15133-77 |
|||
VD4..VD12 |
2Д101 |
6 |
|
VD13 |
КА286 |
4 |
|
Катушки индуктивности |
|||
L1 |
10 Гн ± 5% |
1 |
|
L2..L4 |
0,8 Гн ± 5% |
3 |
|
Конденсаторы ГОСТ 11074.008-64 |
|||
С1 |
МБГВ – 1 – 400 В 0,22мкФ ± 5% |
1 |
|
С2 |
К50-12 1мкФ 50В 10 % |
1 |
|
С3 |
К50-15 10 мкФ 6,3 В 10 % |
1 |
|
С4, С9 |
К50 – 35 2,5 мкФ, 50 В 10 % |
2 |
|
С5 |
К50-20 20 мкФ 5,3 В 10 % |
1 |
|
С8 |
К50-20 20 мкФ 5,3 В 10 % |
1 |
|
С10 |
К50-37 1 мкФ 63 В 10 % |
1 |
|
Микросхемы |
|||
КР142ЕН12А |
1 |
блок пит. | |
IR2110 |
3 |
драйвер | |
Операционные усилители |
|||
DA1 |
КР154УД4 |
1 |
|
DA2, DA5 |
554СА1 |
2 |
|
DA3, DA6 |
К140УД24 |
2 |
Поз. обознач. |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
DA4, DA7 |
К140УД24 |
2 |
|
DA8 |
554СА1 |
1 |
|
DA9 |
КФ140УД1 |
1 |
|
Резисторы ГОСТ 2825-67 |
|||
R1 |
МЛТ- 44 кОм, 10 Вт 5 % |
1 |
|
R2 |
МЛТ- 41 кОм, 10 Вт 5 % |
1 |
|
R3 |
МЛТ- 500 Ом, 10 Вт 5 % |
1 |
|
R4 |
МЛТ- 1 кОм, 10 Вт 5 % |
1 |
|
R5, R18 |
Сп4-1б 1,5 МОм 5 % |
2 |
|
R6, R20 |
Сп4-1б 3 МОм 5 % |
2 |
|
R7, R19 |
МЛТ-0,125 10 кОм 5 % |
2 |
|
R8..R12 |
МЛТ-0,125 150 кОм 5 % |
4 |
|
R13..R17 |
МЛТ-0,125 150 кОм 5 % |
4 |
|
Транзисторы |
|||
VT7 |
КТ914А |
1 |
|
VT8, VT9 |
МДП – КП715 |
2 |
|
Трансформатор |
|||
Тр1 |
ТПП255 – 380 - 50 |
1 |
|
IGBT - модуль |
|||
DRV |
CM100D-Y-12H |
3 |
|
Информация о работе Расчёт и проектирование инвертора напряжения с ШИМ для асинхронного двигателя