Автор работы: Пользователь скрыл имя, 25 Ноября 2013 в 23:32, контрольная работа
Повышение производительности труда обусловлено в первую очередь совершенствованием технологии, внедрением прогрессивных технологических методов, стандартизацией технологического оборудования и оснастки, механизацией ручного труда на основе автоматизации технологических процессов. Значимость технологии в производстве полупроводниковых приборов и ИС особенно велика. Именно постоянное совершенствование технологии полупроводниковых приборов привело на определенном этапе ее развития к созданию ИС, а в дальнейшем — к широкому их производству.
1.Тенденции совершенствования ИМС.________________________3
2. ЦАП с переключателями и матрицей постоянного импеданса.__6
3.Литература.________________________________________________9
Поскольку
нижние выводы резисторов 2R матрицы
при любом состоянии
Точность этой схемы снижает то обстоятельство, что для ЦАП, имеющих высокую разрядность, необходимо согласовывать сопротивления R0 ключей с разрядными токами. Особенно это важно для ключей старших разрядов. Например, в 10-разрядном ЦАП AD7520 ключевые МОП-транзисторы шести старших разрядов сделаны разными по площади и их сопротивление R0 нарастает согласно двоичному коду (20, 40, 80, : , 640 Ом). Таким способом уравниваются (до 10 мВ) падения напряжения на ключах первых шести разрядов, что обеспечивает монотонность и линейность переходной характеристики ЦАП. 12-разрядный ЦАП 572ПА2 имеет дифференциальную нелинейность до 0,025% (1 МЗР).
ЦАП
на МОП ключах имеют относительно
низкое быстродействие из-за большой
входной емкости МОП-ключей. Тот
же 572ПА2 имеет время установления
выходного тока при смене входного
кода от 000...0 до 111...1, равное 15 мкс. 12-разрядный
DAC7611 фирмы Burr-Braun имеет время установления
выходного напряжения 10 мкс. В то
же время ЦАП на МОП-ключах имеют
минимальную мощность потребления.
Тот же DAC7611 потребляет всего 2,5 мВт.
В последнее время появились
модели ЦАП рассмотренного выше типа
с более высоким
Информация о работе Технология изготовления интегральных микросхем