Усилители постоянного тока

U_{остК =} U_ост1 - U_ост2  (2)

где U_ост1 , U_ост2 остаточные напряжения транзисторов Т1 и Т2 соответственно. Из (2) следует, что снижения U_остК , а следовательно, и дрейфа всего УПТ можно достичь за счет того, что U_ост1 ≈ U_ост2. Минимальный разброс параметров транзисторов можно получить при их изготовлении на одной подложке в едином технологическом цикле. Такие модуляторные транзисторы, являющиеся простейшими ИС, и получили основное применение в современных УПТ с МДМ (например, ИС К101КТ1). Остаточное напряжение в них обычно не превышает 100 мкВ.

Рис.8

С точки зрения современных  требований к электронным устройствам рассмотренные модуляторы имеют существенный недостаток, состоящий в присутствии электромагнитных трансформаторов, которые очень трудно изготовить в виде ИС. Отметим, что иногда трансформаторы в модуляторах удается заменить оптронами.

При работе с источниками  входного сигнала с малыми U_вх и большими внутренними сопротивлениями R_г лучшие результаты получаются, когда модулятор выполняется на полевых транзисторах. Дело в том, что при токе стока, равном нулю, они имеют нулевое остаточное напряжение (чего нет в биполярных транзисторах). Это обусловлено тем, что проводимость цепи между стоком и истоком имеет, как правило, резистивный характер (сопротивление канала). Кроме того, большое R_вх позволяет использовать управляющие сигналы малой мощности. Однако с возрастанием U_вх и уменьшением R_г преимущества таких модуляторов исчезают.

В качестве демодулятора ДМ можно использовать различные электронные  Устройства. Простейшим демодулятором  является обычный двухполупериодный  или мостовой выпрямитель с фильтром на выходе. Более совершенным следует  считать демодулятор, выполненный  как фазочувствительный выпрямитель.

На рис. 9 приведена принципиальная схема одного из вариантов демодулятора — фазочувствительного выпрямителя. Она удобна тем, что ее основу составляет уже использованный в модуляторе модуляторный транзистор, состоящий из двух транзисторных структур в инверсном включении.

Рис. 9

На вход демодулятора поступает  переменное напряжение U₂ с усилителя. В базовые цепи транзисторов посредством трансформатора поступает общий управляющий сигнал U_упр. Транзисторы здесь открываются лишь при положительных потенциалах баз, что происходит именно в момент поступления на вход информационного сигнала, усиленного с помощью усилителя Ус. Такой модулятор успешно функционирует в широком диапазоне рабочих сигналов. Емкость С_ф выполняет функции сглаживающего фильтра. Достичь существенного улучшения электрических, эксплуатационных и массогабаритных показателей УПТ можно за счет их построения по балансным схемам.

4.    ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ

В настоящее время наибольшее распространение получили дифференциальные (параллельно-балансные или разностные) усилители. Такие усилители просто реализуются в виде монолитных ИС и широко выпускаются отечественной промышленностью: К118УД, КР198УТ1 и др. Их отличает высокая стабильность работы, малый дрейф нуля, большой коэффициент усиления дифференциального сигнала и большой коэффициент подавления синфазных помех.

На рис. 10 приведена принципиальная схема простейшего варианта дифференциального  усилителя (ДУ). Любой ДУ выполняется по принципу сбалансированного моста, два плеча которого образованы резисторами R_к1 и R_к1 , а два других — транзисторами Т1 и Т2. Сопротивление нагрузки включается между коллекторами транзисторов, т. е. в диагональ моста. Сразу отметим, что резисторы R₀₁ и R₀₂ имеют небольшие величины, а часто и вообще отсутствуют. Можно считать, что резистор R_Э подключен к эмиттерам транзисторов. Обращает на себя внимание то обстоятельство, что питание ДУ осуществляется от двух источников, напряжения которых  равны (по модулю) друг другу. Таким образом, суммарное напряжение питания ДУ равно 2Е.

Рис. 10

Использование второго источника (—Е) позволяет снизить потенциалы эмиттеров Т1 и Т2 до потенциала общей шины. Это обстоятельство дает возможность подавать сигналы на входы ДУ без введения дополнительных  компенсирующих напряжений (что требуется, например, для усилителя на рис. 3). При анализе работы ДУ принято выделять в нем два общих плеча, одно из которых состоит из транзистора Т1 и резистора R_к1 (и R₀₁), второе —из транзистора Т2 и резистора R_к2(и R₀₂). Каждое общее плечо ДУ является каскадом ОЭ. Таким образом, можно заключить, что ДУ состоит из двух каскадов ОЭ. В общую цепь эмиттеров транзисторов включен резистор R_Э, которым и задается их общий ток. Для того чтобы ДУ мог качественно и надежно выполнять свои функции, а также в процессе длительной работы сохранить свои параметры и уникальные свойства, в реальных усилителях требуется выполнить два основных требования. Рассмотрим эти требования последовательно.

Первое требование состоит  в симметрии обоих плеч ДУ. По нему необходимо обеспечить идентичность параметров каскадов ОЭ, образующих ДУ. При этом должны быть одинаковы параметры  транзисторов Т1 и Т2, а также R_к1 = R_к2 (и R₀₁ = R₀₂). Если первое требование выполнено полностью, то больше ничего и не требуется для получения идеального ДУ. Действительно, при U_вх1 = U_вх2 = 0 достигается полный баланс моста, т. е. потенциалы коллекторов транзисторов Т1 и Т2 одинаковы, следовательно, напряжение на нагрузке равно нулю. При одинаковом дрейфе нуля в обоих каскадах, ОЭ (плечах ДУ) потенциалы коллекторов будут изменяться всегда одинаково, поэтому на выходе ДУ дрейф нуля будет отсутствовать. За счет симметрии общих плеч ДУ будет обеспечиваться высокая стабильность при изменении напряжения питания, температуры, радиационного воздействия и т.д. Все это абсолютно верно, но возникает вопрос: «Как обеспечить симметрию общих плеч в ДУ?» На первый взгляд может показаться, что решить этот вопрос довольно просто. Действительно, всегда можно подобрать пары транзисторов и резисторов с весьма близкими параметрами.. Если собрать ДУ на таких дискретных элементах, то он может быть и продемонстрируете желаемый результат, но только в относительно небольшой промежуток времени. С течением времени параметры транзисторов и резисторов будут изменяться различным образом в соответствии с законами своей собственной структуры, естественно, что на них различным образом будут влиять и внешние факторы, а следовательно, нарушится симметрия плеч со всеми вытекающими отсюда последствиями. В конечном счете можно заключить, что на дискретных элементах (изготовленных в разное время и в разных условиях) осуществить выполнение первого требования для ДУ практически невозможно. Это и обусловили тот факт, что прекрасные свойства ДУ не нашли должного использования в дискретной электронике. Приблизиться к выполнению первого основного требования для ДУ позволила микроэлектроника. Ясно, что симметрию общих плеч ДУ могут, обеспечив лишь идентичные элементы в которых все одинаково и которые были изготовлены в абсолютно одинаковых условиях. Так, в монолитной ИС близко расположенные элементы действительно имеют почти одинаковые параметры. Следовательно, в монолитных ИС первое требование к ДУ почти выполнено. Это «почти» позволяет реализовать ДУ пусть не с идеальными, но все же с хорошими параметрами, но при непременном условии выполнения второго основного требования к ДУ.

Второе основное требование состоит в обеспечении глубокой ООС для синфазного сигнала. Синфазными называются одинаковые сигналы, т. е. сигналы, имеющие равные амплитуды, формы и фазы. Если на входах ДУ (рис. 10) присутствуют U_вх1=U_вх2, причем с совпадающими фазами, то можно говорить о поступлении на вход ДУ синфазного сигнала. Синфазные сигналы обычно обусловлены наличием помех, наводок и т. д. Часто они имеют большие амплитуды (значительно превышающие полезный сигнал) и являются крайне нежелательными, вредными для работы любого усилителя.

Выполнить второе основное требование позволяет введение в  ДУ резистора R_Э , (или его электронного эквивалента). Если на вход ДУ поступает сигнал синфазной помехи, например, положительной полярности, то транзисторы Т1 и Т2 приоткроются и токи их эмиттеров возрастут. В результате по резистору R_Э будет протекать суммарное приращение этих токов, образующее на нем сигнал ООС. Нетрудно показать, что R_Э образует в ДУ последовательную ООС по току. При этом будет наблюдаться уменьшение коэффициента усиления по напряжению для синфазного сигнала каскадов ОЭ, образующих общие плечи ДУ, K_исф1 и К_исф2 . Поскольку коэффициент усиления ДУ для синфазного сигнала К_исф = К_исф1 - К_исф2 и за счет выполнения первого основного требования К_исф1 ≈ К_исф2 удается получить весьма малое значение К_исф, т. е. значительно подавить синфазную помеху.

Так как в монолитном ДУ с достаточным приближением можно выполнить оба основных требования, удается не только подавить синфазную внешнюю помеху, но и снизить влияние внутренних факторов, проявляющихся через изменения параметров элементов схемы. Конечно, параметры составляющих каскадов будут изменяться, но по весьма близким зависимостям, влияние которых будет дополнительно ослабляться наличием ООС.

Теперь рассмотрим работу ДУ для основного рабочего входного сигнала — дифференциального. Дифференциальными (противофазными) принято называть сигналы, имеющие равные амплитуды, но противоположные фазы. Будем считать, что входное напряжение подано между входами ДУ, т. е. на каждый вход поступает половина амплитудного значения входного сигнала, причем в противоположных фазах. Если U_вх1 в рассматриваемый момент представляется положительной полуволной, то U_вх2  — отрицательной.

За счет действия U_вх1 транзистор Т1 приоткрывается, и ток его эмиттера получает положительное приращение ∆I_Э1, а за счет действия U_вх2 транзистор Т2 закрывается, и ток его эмиттера получает отрицательное приращение, т.е. — ∆I_Э2. В результате приращение тока в цепи резистора R_Э ∆I_RЭ = ∆I_Э1 - ∆I_Э1. Если общие плечи ДУ идеально симметричны, то ∆I_RЭ = 0 и, следовательно, ООС для дифференциального сигнала отсутствует. Это обстоятельство позволяет получать от каждого каскада ОЭ в рассматриваемом усилителе, а следовательно, и от всего ДУ большое усиление. Отсюда происходит и название усилителя — дифференциальный. Так как для дифференциального входного сигнала в любой момент напряжения на коллекторах транзисторов Т1 и Т2 будут находиться в противофазе, то на нагрузке происходит выделение удвоенного выходного сигнала. Итак, резистор R_Э, образует ООС только для синфазного сигнала.

Поскольку в реальных ДУ идеальную симметрию плеч осуществить нельзя, то R_Э все же будет и для дифференциального сигнала создавать ООС, но незначительной глубины, причем чем лучше симметрия плеч, тем меньше ООС. Небольшую последовательную ООС по току задают в каскадах ДУ с помощью резисторов R₀₁ и R₀₂. Как отмечалось выше, эти резисторы имеют небольшие номиналы (участки полупроводниковой подложки), поэтому создаваемая ими ООС невелика и существенно не влияет на усилительные свойства ДУ.

Таким образом, при выполнении в ДУ двух основных требований он обеспечивает стабильную работу с малым дрейфом нуля, с хорошим усилением дифференциального сигнала и со значительным подавлением синфазной помехи. В зависимости от того, как подключены в ДУ источник входного сигнала и сопротивление нагрузки, следует различать схемы его включения.

5.    СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ

Можно выделить четыре схемы  включения ДУ: симметричный вход и  выход, симметричный вход и несимметричный выход, несимметричный вход и симметричный выход, несимметричный вход и выход. Рассмотрим их последовательно при  воздействии рабочего входного сигнала.

При симметричном входе источник входного сигнала подключается между входами ДУ (между базами транзисторов Т1 и Т2). При симметричном выходе сопротивление нагрузки подключается между выходами ДУ (между коллекторами транзисторов Т1 и Т2). Такое включение ДУ и было рассмотрено в предыдущем разделе. Теперь остановимся на определении параметров симметричного включения ДУ.

Рис. 12                                                 Рис. 11

Проанализируем работу одного плеча, т. е. одного каскада ОЭ, входящего  в ДУ. Для этого представим плечо  ДУ в виде, изображенном на рис. 11. Здесь  отсутствует резистор R_Э, поскольку, он не участвует в работе на дифференциальном сигнале. Для входного сопротивления плеча ДУ R_вхпл, можно записать:

  (3)

Здесь опущены индексы  для номеров резисторов, так как  плечи ДУ практически симметричны. Слагаемое βR₀ вносится за счет последовательной ООС. При R₀=0 уравнение (3) для нашего случая можно упростить до следующего вида:

Меньшую погрешность при  расчете   формула (4) обеспечивает для ДУ, работающего на малых токах. Поскольку при симметричном входе источник входного сигнала включается между входами ДУ, то общее входное сопротивление ДУ будет равно .

Для рассматриваемого включения  ДУ коэффициент усиления его плеча  можно представить как  , т.е. коэффициент усиления по напряжению всего ДУ равен K_ипл. В нашем случае для K_ипл можно переписать (4) в несколько измененном виде:

Здесь учтено, что к выходу одного плеча подключается только половина R_H. Действительно, средняя точка резистора R_H  для рассматриваемого режима ДУ всегда будет иметь нулевой потенциал (потенциал общей шины).

Если R_H <(R_H/2), R_{вх пл} >R_r и β велико, то (5) можно переписать в следующем приближенном виде:

К_идиф = R_K/r_э (6)

Учитывая изложенное выше, коэффициент усиления ДУ по току можно представить в виде (6), заменив R_Н на R_Н /2. Нетрудно показать, что выходное сопротивление ДУ для рассматриваемой схемы его включения равно удвоенной величине выходного сопротивления плеча R_{вых пл} , которое для каскада ОЭ можно считать равным R_К.

Теперь остановимся на схеме включения ДУ с симметричным входом и несимметричным выходом. В  этом случае источник входного сигнала  подключается между входами ДУ; сопротивление нагрузки подключается одним концом к коллектору одного из транзисторов, а другим—к общей шине. При этом в коллекторной цепи второго транзистора может отсутствовать резистор R_K. Поскольку способ подачи входного сигнала здесь совпадает с ранее рассмотренным случаем, то входное сопротивление также можно определить с помощью (3) или (4). Однако выходной сигнал снимается лишь с одного выхода ДУ, следовательно, выходное сопротивление ДУ – R_выхпл = R_K. По той же причине К_идиф оказывается в 2 раза меньше, чем при симметричном выходе.

Интересна схема включения  ДУ с несимметричным входом и симметричным выходом. Для удобства восприятия специфики  этого включения ДУ на рис. 12 приведена  его принципиальная схема. Здесь R_о=0, а входной сигнал подается на базу транзистора Т1. Плечо, образованное транзистором Т1, является каскадом ОЭ с ООС, образуемой резистором R_э, К_ипл для него может быть рассчитано по формуле (5), а R_выхпл - формуле (3), где R₀ следует заменить на R_э. У этого плеча ДУ есть и выход с эмиттера, где коэффициент усиления по напряжению для эмиттерного выхода К_ик < К_ипл. С эмиттерного выхода плеча ДУ будет сниматься неинвертированный сигнал с К_{ик ,} который можно представить в следующем виде:

где  — входное сопротивление каскада ОБ, который является плечом ДУ, образованным транзистором Т2. Для эмиттерного выхода первого плеча  является сопротивлением нагрузки. Формула (7) справедлива при R_э > R_вхб. Для каскада ОБ, образованного транзистором Т2, коэффициент усиления по напряжению

Формула (8) записана для условия R_вхб > R_выхк, где R_выхк выходное сопротивление по цепи эмиттера каскада на транзисторе Т1. При получении значения К_ипл для выхода с коллектора Т2 следует перемножить (7) и (8). После проведения преобразований нетрудно записать и для этого плеча ДУ формулу (5). Таким образом, несмотря на то, что входной сигнал подается лишь на один вход ДУ, его усиливают оба плеча, причем плечо, на базу транзистора которого подан входной сигнал, инвертирует, а другое плечо не инвертирует сигнал. В данном случае общий K_идиф=2K_ипл.