Автор работы: Пользователь скрыл имя, 22 Ноября 2013 в 15:43, курсовая работа
Как видно из рисунка, транзистор имеет три области полупроводника, причем две крайние области имеют одинаковый тип проводимости, а средняя область - противоположный. Одна из крайних областей транзистора называется эмиттером (Э), другая крайняя область транзистора называется коллектором (К). Коллектор имеет наибольшие размеры среди областей транзистора. Средняя область транзистора называется базой (Б). Внешние выводы, с помощью которых транзистор включается в электрическую схему, называются электродами.
1. Теоретическая часть 3
1.1. Транзисторы 3
1.2. Усилители на биполярных транзисторах 5
1.3. Операционные усилители 14
2. Практическая часть 14
2.1. Выбор транзистора 14
2.2. Расчет h-параметров транзистора 14
2.3. Выбор рабочей точки 16
2.4. Расчет элементов каскада 18
Ограниченная выходная мощность
По типу элементной базы
По области применения
Выпускаемые промышленностью операционные усилители постоянно совершенствуются, параметры ОУ приближаются к идеальным. Однако улучшить все параметры одновременно технически невозможно или нецелесообразно из-за дороговизны полученного чипа. Для того, чтобы расширить область применения ОУ, выпускаются различные их типы, в каждом из которых один или несколько параметров являются выдающимися, а остальные на обычном уровне (или даже чуть хуже). Это оправдано, так как в зависимости от сферы применения от ОУ требуется высокое значение того или иного параметра, но не всех сразу. Отсюда вытекает классификация ОУ по областям применения.
Индустриальный стандарт. Так называют широко применяемые, очень дешевые ОУ общего применения со средними характеристиками.
Прецизионные ОУ имеют очень малые напряжения смещения, применяются в точных измерительных схемах. Обычно ОУ на биполярных транзисторах по этому показателю несколько лучше, чем на полевых. Также от прецизионных ОУ требуется долговременная стабильность параметров. Исключительно малыми смещениями обладают стабилизированные прерыванием ОУ.
С малым входным током (электроме
Микромощные и программируемые
Мощные (сильноточные) ОУ могут отдавать большой ток в нагрузку, то есть допустимое сопротивление нагрузки меньше стандартных 2 кОм, и может составлять до 50 Ом.
Низковольтные ОУ работоспособны при напряжении питания 3 В и даже ниже. Как правило, они имеют rail-to-rail выход.
Высоковольтные ОУ. Все напряжения для них (питания, синфазное входное, максимальное выходное) значительно больше, чем для ОУ широкого применения.
Быстродействующие ОУ имеют высокую скорость нарастания и частоту единичного усиления. Такие ОУ не могут быть микромощными, и как правило выполнены на биполярных транзисторах.
Малошумящие ОУ.
Звуковые ОУ. Имеют минимально возможный коэффициент гармоник (THD).
Для однополярного питания. CMOS ОУ обеспечивают выходное напряжение, практически равное напряжению питания (rail-to-rail, R2R), биполярные ОУ - примерно на 1.2 В меньше, что существенно при небольших значениях Ucc.
Специализированные ОУ. Обычно разработаны для конкретных задач (подключение фотодатчика, магнитной головки, и др.). Могут содержать в себе готовые цепи ООС или отдельные необходимые для этого прецизионные резисторы.
Возможны также комбинации данных категорий, например, прецизионный быстродействующий ОУ.
Использование ОУ как схемотехнического элемента гораздо проще и понятнее, чем оперирование отдельными элементами, его составляющими (транзисторов, резисторов и т. д.). При проектировании устройств на первом (приближённом) этапе операционные усилители можно считать идеальными. Далее для каждого ОУ определяются требования, которые накладывает на него схема, и подбирается ОУ, удовлетворяющий этим требованиям. Если получается, что требования к ОУ слишком жёсткие, то можно частично перепроектировать схему для обхода данной проблемы.
Дано: каскад с общим коллектором, Rвх = 1 кОм, Rвых = 110 Ом, KI = 11
Необходимо выбрать транзистор, рассчитать значения R1 , R2, Rэ, Rн, Rг, С1, С2
Так как дан коэффициент усиления по току KI = 11, а для схемы с общим коллектором он определяется как , необходимо выбрать из справочника транзистор с параметром h21э = 10. Выбираю КТ104А.
Для расчета h-параметров транзистора необходимо построить входную характеристику транзистора и семейство выходных характеристик.
По входным характеристикам определяем:
По выходным характеристикам определяем
Таким образом, нашли:
Rвх.тр. = h11 = 66 Ом
β = h21 = 30
Rвых.тр. = 1/h22 = 4,6 кОм
Рабочая точка определяется по входным и выходным характеристикам.
На выходных характеристиках необходимо сначала построить гиперболу предельно допустимой мощности, исходя из предельно допустимых значений тока, напряжения и мощности для транзистора КТ104А. Эти значения берутся из справочника:
Uкэ max = 30 В, Iк max = 50 мА, Pк max = 150 мВт
Выбираем значение напряжения источника питания Eк в пределах
(0,7 ÷ 0,9) * Uкэ max = (0,7 ÷ 0,9) * 30 =21В ÷ 27В. Пусть Eк = 24В
Далее строится линия нагрузки по постоянному току, ее уравнение:
Uкэ = Ек - IкRк
Рассматриваются два предельных случая:
Uкэ = 0, Iк =
Iк = 0, Uкэ = Ек = 24В
На середине этой линии берется точка (Uкэ0, Iк0) при определенном Iб0
При этом же Iб0 по входной характеристике определяется Uбэ0
Рабочая точка:
Uкэ0 = 10,6 В, Iк0 = 11,23 мА, Uбэ0 = 0,2375 В, Iб0 = 0,3593 мА
Сопротивление эмиттерного перехода:
, где ϕт – тепловой потенциал при T=300К
= 1156 Ом
Ток базового делителя: Iд = 10*Iб0 = 3,6 мА
Базовый делитель:
= 3758 Ом
= 2598 Ом
1536 Ом
Входное и выходное сопротивления каскада без входного сигнала и без нагрузки:
Без учета делителя:
С учетом делителя:
= 1472 Ом
Чтобы сопротивления каскада были Rвх = 1кОм, и Rвых = 110 Ом, добавим сопротивление Rг последовательно генератору входных импульсов и сопротивление нагрузки Rн параллельно резистору в цепи эмиттера.
Тогда
Rэ||Rн = 110 => Rн = 123 Ом
Rг = 1000 – Rд||h21э * Rнэ = 653 Ом
Чтобы ограничить постоянные
составляющие входного напряжения и
напряжения питания, нужно последовательно
с генератором и
Rг + XC1 = 653 Ом
Rн + XC2 = 123 Ом
Частота входного сигнала f = 60 Гц
Пусть С1 = 10 мкФ, тогда