Автор работы: Пользователь скрыл имя, 09 Июня 2015 в 23:59, контрольная работа
Заготовительные процессы: получение монокристаллических полупроводниковых слитков определенного типа электропроводности и заданного удельного сопротивления, резка слитков на пластины, обработка их поверхностей с заданной микро и макро геометрией, а также качеством поверхности, изготовление отдельных деталей и узлов корпуса ИМС.
Характеристика полупроводниковых пластин
Полупроводниковая пластина, являясь частью конструкции микросхемы, выполняет функции механического основания и теплоотвода.
1. Заготовительные, обрабатывающие, сборочно-контрольные технологические процессы, их особенности.
1.1 заготовительные ……………….………………………………………..3
1.2 обрабатывающие процессы …………………………………………….6
1.3 сборочно-контрольныетехнологические процессы………………..14
2. Радиационные повреждения при ионной имплантации. Термический отжиг структур после И.И. Достоинства и недостатки ионного легирования.
2.1 Радиационные повреждения при ионной имплантации……………15
2.2 Термический отжиг структур послеионной имплантации………..17
2.3 Достоинства и недостатки ионного легирования…………………..20
3. Методы сухого травления.Удаление материала методом ионного травления. Плазмо-химическое травление (ПХТ). Пути повышения анизотропии ПХТ.
3.1 Методы сухого травления…………………………………………….22
3.2 Удаление материала методом ионного травления. Плазмо-химическое травление (ПХТ)…………………………………………….24
3.3Пути повышения анизотропии ПХТ………………………………..