Автор работы: Пользователь скрыл имя, 17 Сентября 2013 в 14:48, курсовая работа
Малые габариты интегральных микросхем и малое потребление электроэнергии позволяет осуществить комплексную микроминиатюрную реализацию всех компонентов электронной аппаратуры. Также повышает надёжность аппаратуры.
Целью данной курсовой работы является разработка цифрового интегрального устройства, и закрепления основных положений курса технической электроники.
Введение 3
1. Разработка структурной схемы 4
Исходные данные 4
Минимизация функций 4
Общая функциональная схема устройства 4
Выбор типа логики и ИМС 4
Принципиальная схема на основе выбранных элементов 6
Расчёт параметров цифрового устройства 7
Электрический расчёт ЦИМС 8
исходные данные 8
Анализ работы логического элемента 8
Расчёт токов и напряжений 9
При комбинации на входе: 0000 10
При комбинации на входе: 1111 11
При комбинации на входе: 0111 12
расчёт потребляемых мощностей 13
Результаты расчёта ЦИМС 14
Разработка топологии ИМС 14
Выбор активных элементов 14
выбор материала для плёночных элементов 15
Выбор типа подложки и её нанесение 16
Выбор метода заданной конфигурации плёночных элементов 16
Выбор метода нанесения тонких плёнок 16
Выбор подложки 16
Составление топологического чертежа 17
Заключение 19
Список используемой литературы
Министерство Российской Федерации по Связи и
Информатизации
Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и
Информатики,
кафедра Технической Электроники.
Курсовая работа:
Разработка интегрального
Проверил:
Содержание:
Стр.
Введение
1. Разработка структурной схемы
Заключение
Список используемой литературы
Введение:
Основной задачей современной
микроэлектроники является
Применение интегральных
Малые габариты интегральных
микросхем и малое потребление
электроэнергии позволяет осуществить
комплексную микроминиатюрную
Целью данной курсовой работы
является разработка цифрового
интегрального устройства, и закрепления
основных положений курса
Разработка цифрового
1.2. Минимизация функций:
Для преобразования выражений будем использовать: законы дуальности, неравнозначность. При упрощении будем стремиться к большему использованию элементов «И-НЕ» так как для данных выражений это будет более рационально.
Дело в том, что одновременная инверсия сигналов на выходе элемента «исключающее ИЛИ» не изменяет сигнал на выходе. Согласно таблице истинности:
Поэтому одно отрицание мы убираем.
В последнем выражении оставляем как исходное так как это будет более рационально.
Выбор микросхем для устройства, достаточно ограничить логикой ТТЛ, ТТЛШ и КМДП широкого применения. По заданию ограничение по мощности равное 5 мВт. Значит можно сразу исключить микросхемы логики ТТЛ и ТТЛШ, так как у этих ЦИМС потребляемая мощность минимум 10-20 мВт на один логический элемент. Значит, остаются микросхемы КМДП логики.
При выборе конкретны микросхем на устройство необходимо использовать минимальное количество микросхем. Поэтому с учётом конкретных уже микросхем схема может немного изменится.
Необходимо:
Три логических элемента «3И»:
КР1564ЛИ3
Шесть логических элементов «
КР1564ЛН2
Четыре логических элемента «2И»:
КР1554ЛИ1
Четыре логических элемента «исключающее ИЛИ»:
КР1554ЛП5
Из выбранных микросхем составим обую функциональную схему устройства с учётом микросхем.
Расчёт максимального времени задержки сигнала:
Максимальная задержка сигнала будет при прохождении сигналом пути с наибольшим количеством логических элементов.
Суммарная мощность равна:
Наша ИМС выдерживает выходной ток до 20мА, так как:
в данном случае этот выбор микросхем является оптимальным для более точного приближения к заданным параметрам:
Принципиальная схема:
Наборы: x1 x2 x3 x4
0 0 0 0
1 1 1 1
0 1 1 1
2.2. Анализы работы логического элемента:
Анализ принципиальной
схемы логического элемента
Входные сигналы |
VD1 |
VD2 |
VD3 |
VD4 |
VD5 |
VD6 |
VD7 |
VD8 |
VT1 |
VT2 |
Y |
0000 |
Открыт |
Открыт |
Закрыт |
Закрыт |
Закрыт |
Открыт |
Открыт |
Закрыт |
Отсеч. |
Отсеч. |
Логич 1 |
1111 |
Закрыт |
Закрыт |
Открыт |
Открыт |
Открыт |
Закрыт |
Закрыт |
Открыт |
Насыщ. |
Насыщ. |
Логич 0 |
0111 |
Открыт |
Закрыт |
Закрыт |
Закрыт |
Открыт |
Закрыт |
Закрыт |
Открыт |
Отсеч. |
Насыщ. |
Логич 0 |
Обозначение режимов работы транзисторов и диодов:
По результатам анализа
Таблица истинности:
x1 |
x2 |
x3 |
x4 |
y |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
Информация о работе Разработка интегрального цифрового устройства