Разработка структурной схемы

V этап - установка дискретных элементов. Для соединения навесных активных элементов с пленочным монтажом применяется пайка низкотемпературными припоями, что исключает повреждение приборов и нарушение адгезии металлизированных участков подложки из-за перегрева. Пайка производится миниатюрными механизированными паяльниками с автоматической дозировкой припоя и авторегулированием температуры нагрева зоны соединения. Для соединения выводов бескорпусных полупроводниковых приборов с контактными площадками микросхем разработано большое количество способов сварки и пайки (термокомпрессия, сварка давлением с косвенным импульсным нагревом, ультразвуковая сварка, пайка волной припоя, оптический способ пайки, способ электронно-лучевой сварки и сварки лучом лазера и т.д.). Для крепления к подложке приборов с гибкими и жесткими выводами используются специальные термостойкие клеи на основе компаундов.

VI этап – конструктивное оформление микросхем. Применяются два способа защиты пленочных гибридных микросхем от повреждений: бескорпусная защита (герметизация компаундами) и корпусная защита (герметизация с помощью прочных корпусов различного типа). Корпусную защиту рекомендуется применять при длительной (более десяти суток) эксплуатации микросхем в условиях повышенной влажности. Корпус должен обладать достаточной механической прочностью, малой массой и габаритами, хорошей электрической изоляцией. Кроме того, внутри него следует поддерживать достаточно стабильные температурные условия.

 

 

 

 

 

 

Заключение

Широкое применение гибридно-пленочной технологии, а также гибкость схемотехнической и конструктивной реализации различных электронных устройств обеспечиваются тонкопленочной и толстопленочной разновидностями этого направления.

     С помощью гибридно-пленочной  технологии удается найти компромиссное  решение вопроса об основном  противоречии, содержащемся в требованиях  к монолитным ИМС – противоречия  между степенью интеграции и  выходом годных ИМС. Реализуя  сложное устройство в виде  нескольких кристаллов с экономически  целесообразной степенью интеграции, их объединяют в общем корпусе  на общей изолирующей подложке, несущей систему пленочных межсоединений. Таким образом, создаются многокристальные гибридные микросхемы или микросборки.

     Относительно большие  размеры пассивных элементов  и наличие пассивной подложки  позволяют (в отличие от диффузионных  резисторов полупроводниковых ИМС) осуществить их подгонку, например, с помощью лазера. При лазерной  подгонке точность сопротивления  резисторов может составлять  сотые доли процента, что необходимо  в ряде устройств измерительной  техники.

     К недостаткам гибридно-пленочной  ИМС по сравнению с монолитными  полупроводниковыми ИМС относятся  увеличенные габариты, меньшая плотность  упаковки, меньшая технологичность  производства и более низкая надежность.

В проекте разработана гибридная ИМС размером 12х10 мм., представляет собой двухкаскадный усилитель звуковой частоты с заданными в техническом задании  характеристиками. На первом каскаде использован полевой транзистор 2П201А-1, на втором каскаде – биполярный транзистор КТ370А-1.

        

 

 

 

Список литературы

1. Игнатов А.Н. Методическое указание «Разработка интегрального аналогового устройства», Новосибирск, 1999;
2. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник под редакцией Б.Л. Перельмана – Москва: Радио и связь, 1981;
3. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под редакцией Н.Н. Горюнова – Москва: Энергия, 1976;
4. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники – Москва: Радио и связь, 1983;
5. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей – Москва: Связь, 1976.

 

 

 

 

					Д.240.02.1.00.011.0000 ПЗ
Изм.	Лист	№ докум.	Подп.	Дата
Разраб.		Тангаева А.В.			Пояснительная записка	Лит.			Лист	Листов
Пров.		Хаптаев А.П.							2	25
Н. контр.						ВСГУТУ гр.2130
Утв.

 

 

 

					Д.240.02.1.00.011.0000 ПЗ	Лист
Изм.	Лист	№ документа	Подпись	Дата