Автор работы: Пользователь скрыл имя, 21 Июня 2013 в 21:42, курсовая работа
Целью данной работы является разработка и описание технологического процесса изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры (КНК). Поэтапно, начиная с механической обработки подложки и заканчивая эпитаксией, описать все методы, используемые при изготовлении структуры КНК. Задачи
Механическая и химическая обработка подложки, методы и их описание;
Выбрать метод получения эпитаксиальной пленки кремния;
Выбрать тип реактора для эпитаксиального наращивания и материал для пьедестала;
Выбрать оптимальный режим процесса;
ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………. 4
1 Механическая обработка подложки………………………………... 6
1.1 Калибровка монокристалла………………………………………… 6
1.2 Резка слитка монокристалла на пластины………………………… 6
1.3 Шлифовка пластины………………………………………………… 11
1.4 Полировка пластины………………………………………………... 12
1.5 Межоперационная и финишная очистка пластины………………... 13
2 Эпитаксиальное наращивание………………………………………. 15
2.1 Метод получения эпитаксиальной пленки кремния…………........ 17
2.2 Тип используемого реактора. Материал пьедестала……………... 21
2.3 Режимы эпитаксиального процесса………………………………... 23
2.4 Метод введения легирующей примеси и вид легирующей примеси…………………………………………................................ 26
2.5 Метод очистки водорода………………………………………........ 28
3 Расчет легирования эпитаксиальной пленки………………………. 29
3.1 Параметры процесса эпитаксии………………………………… 29
3.2 Расчет легирования переходного слоя пленка – подложка за счет диффузии……………………………………………………………… 32
3.3 Марка полученной структуры……………………………………... 37
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………………………... 39
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ…………………………... 40