Автор работы: Пользователь скрыл имя, 09 Апреля 2015 в 01:56, реферат
Прогресс в развитии наноэлектроники обусловлен развитием техники осаждения очень тонких пленок, образующих гетероструктуры, и новых технологий, таких, как молекулярно- пучковая эпитаксия (МПЭ) и газофазная эпитаксия на основе металлоорганических соединений (МОС ГФЭ). Метод МПЭ позволяет получать сверхтонкие пленки одноэлементных полупроводников и соединений, и послойно выращивать пленки и сверхрешетки, а также легировать их атомами заданного типа. При создании приборных структур учитываются технологические пределы, которые определяются тепловыделением работающего электронного прибора, которое не может быть сведено к нулю, поскольку тепловой баланс системы ограничивается соответствующими коэффициентами теплопроводности используемых материалов и числом молекулярных слоев и фактором разброса параметров в производственном процессе.
ВВЕДЕНИЕ
1 ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ
3 ФОТОПРИЕМНИК НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ
4 ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1 РАБОТА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С N-КАНАЛОМ
5 ОДНОЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНЗИСТОР
ЗАКЛЮЧЕНИЕ