Мультивибраторлар

 

Сурет-6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Қорытынды

 

        Қазіргі электрондық құрылғылар  өте күрделі және көп элементті  болып келеді. Мысалы, элктрнды есептеу  машиналарының құрамында шамамен  10000000 элемент бар. Әрине элементтер  саны көбейген сайын құрылғының салмағы, көлемі және бағасы артады, ал сенімді жұмыс жасау мүмкіндігі азаяды.  Аталған мәселелерді шешуде электрондық құрылғыға кіретін элементерді кішірейтуге және олрды атқартын қызметіне қарай топтастырып жасау маңызды орын алады. Мәселен күшейткіш каскадты,түрлендіргішті т.б. бір элемент  етіп жасаса, құрылғыны жинастыру, жөндеу жұмыстарының жеілдейтіні хақ. Бірнеше ұсақ электронды элементтерден тұратын және белгілі бір жұмысты атқаратын электрондық аспаты интеггралдық микросұлба деп атайды. Мұндағы «интегралдық » сөзі «жиынды» деген мағынаны береді.  Интегралдық микросұлбаның негізгі параметрлері жинастыру тығыздығы мен интеграциялық дәрәжесі. Жинастыру тығыздығы деп интегралдық микросұлбаның бір текше сантиметр көлемінде орналасқан элементтердің санын айтады. Микросұлбаның интеграциялық дәрежесі оның құрамындағы элементтердің жалпы санымен анықталады.  Әдетте, егер микросұлбаның құрамында он элементке дейін болса,-бірінші интеграциялық дәрежелі, онннан жүзге дейін болса екінші интеграциялық дәрежелі, жүзден мыңға дейін элемент  болса- үшінші интеграциялық  дәрежелі  деп саналады. Интегралдық дәрежесі мыңнан артық элементпен анықталадын сұлбалар үлкен интегралдық микросұлба деп аталады.  Жасалу технологиясына қарай интегралдық микросұлбалар жартылай өткізгішті және гибритті болып екіге бөлінеді.  Жартылай өткізгішті интегралдық микросұлбаларда оның барлық элементтері және оларды  жалғау  жартылай өткізгіш  материалының ішінде немесе үстінде орындалады.  Жартылай өткізгіштің үсті диэлектрик болып есептелетін силицийдің  қос тотығымен жабылған, ал элементтердің арасындағы изоляция міндетін Р-типті силиций атқарады. Элементтер метал қабықшалармен жалғанған. Жартылай өткізгіштің көлемі ішінде диодтарды, транзисторларды, резисторларды және конденсатрларды жасауға болады. Конденсаторлардың сыйымдылығы ретінде р-п өтпесінің сыйымдылығы пайдаланылады. Жартылай өткізгішті  интегралдық микросұлбаларды жасау технологиясы өте күрделі және көп қаржы жұмсауды керек етеді.  Сондықтан оларды пайдалану өте көп мөлшерде шығарғанда ғана тиімді.

Қазіргі интегралдық  микросұлбалардың интеграциялық дәрежесі өте жоғары және функциялық қолданымы  жан- жақты болып келеді. Интегралдық  микросұлбалардың басты кемшілігі  берер қуатының аздығы. 

 

 

 

 

 

 

Пайдаланылған әдебиеттер

1. Г.А. Иванов. Жартылай өткізгіштер; Алматы, Мектеп, 1989
2. М.И. Мұхити; Электротехника; Алматы, 2005 ж
3. К. Исмаилов; Жартылай өткізгіштер; Тараз, 2008 ж
4. А.С Енохович; Справочник по полупроводниковым материалам, Москва, Высшая школа, 1976
5. Автоматизация; И.Ю. Пивоваров; Автоматизация, Высшая школа, 1998
6. Савелев И.В. Жалпы физика курсы 2-том, 1977
7. Калашников; Электричество; Москва, Просвещение,1980
8. Электротехнический справочник / Под. ред В.Г. Герасимова
9. Құсайнов А.Қ, Энергетика, Высшая школа, 2003
10. М.Ш.Нұрманов. Автоматиканың электорндық құрылғылары – Алматы: ҚазҰТУ, 1993
11. У.Титце, К.Шейн. Полупроводникавая схемотехника – Москва: Мир, 1983
12. Е.Н.Богаров, К.Ф.Колесников, С.К.Жебреков. Рассчет электонных усторйств – М: 1990
13. М.Н.Ляшко. Задачи и упражнения по радиотехнике – Минск: 1993

14. Журавлева Л.В. Радиоэлектроника. М.: Высшая школа, 2005

15. Бобровников Л.З. Радиотехника и электроника – М.: Недра, 1990, 374 с.

16. Прянишников В.А. электроника – С-Пб: Корона – принт. 2003, 412 с.
17. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. –  М.:  Физматгиз, 1963.
18. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. –  М.: Мир, 1966.
19. Элементарный учебник физики. Т. 2. Электричество и магнетизм/Под ред.  Г.С. Ландсберга. –  М.: Наука, 1967.
20. Сахаров Д.И., Блудов М.И. Физика для техникумов. –  М.: Наука, 1967.
21. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп. – М.: Мир, 1967.
22. Жданов Л.С., Маранджян В.А. Курс физики для средних специальных  учебных заведений. Ч. 2. Электричество. Оптика. Атомная физика. –  М.:  Наука, 1968.
23. Блудов М.И. Физика жайлы әңгімелер. 2 бөлім. –  Алматы: Мектеп, 1969.
24. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. –  М.:  Наука, 1972.
25. Тамм И.Е. Основы теории электричества. –  М.: Наука, 1976.
26. Зеегер К. Физика полупроводников. –  М.: Мир, 1977.
27. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. –  М.: Наука, 1978.
28. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. –  М.-Л.: Наука,  1978
29. Смит Р. Поупроводники. –  М.: Мир, 1982.
30. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. –  М.: Мир, 1984.
31. Буравихин В.А., Егоров В.А. Биография электрона. –  М.: Знание, 1985.
32. Мустафаев Р.А., Кривцов В.Г. Физика в помощь поступающим в вузы. –   М.: Высшая школа, 1989. 
33. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. –  М.:  Наука, 1990.
34. Мякишев Г.Я., Буховцев Б.Б., Сотский Н.Н. Физика. Учебник для 10 класса        общеобразовательных учреждений. –  М.: Просвещение, 2001.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Қосымша

 

 

 

Тұрақты   мультивибратордың  сұлбасы.

 

 

Тұрақсыз   мультивибратордың  сұлбасы

                     

325 x 346 - 5 Кб – типті  мультивибратор

 

 

Биполярлы  транзисторлардағы  симметриялы  мультивибраторлар

 

 

 

 

 

Екі логикалық  инвертордан  тұратын  мультивибратордың  сұлбасы

 

Мультивибратордың жеңілдетілген  сұлбасы