Полупроводники. Строение полупроводников и принцип их действия

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 14 Мая 2013 в 22:07, контрольная работа

Описание работы

Как было уже сказано, полупроводники представляют собой особый класс кристаллов. Валентные электроны образуют правильные ковалентные связи. Такой идеальный полупроводник совершенно не проводит электрического тока (при отсутствии освещения и радиационного облучения). Так же как и в непроводниках электроны в полупроводниках связаны с атомами, однако данная связь очень непрочная. При повышении температуры ( T>0 K), освещении или облучении электронные связи могут разрываться, что приведет к отрыву электрона от атома. Такой электрон является носителем тока. Чем выше температура полупроводника, тем выше концентрация электронов проводимости, следовательно, тем меньше удельное сопротивление.

Файлы: 1 файл

1.docx

— 31.85 Кб (Скачать файл)

7) Транзистор (от английских «трансфер»—«переносить» и «резистор»—сопротивление») — трехэлектродный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и   преобразования   электрических   колебаний различных частот.

Наиболее массовый транзистор представляет собой пластинку германия, кремния или другого полупроводника размером 2x2 мм, обладающего электронной (и-типа) или дырочной (р-типа) проводимостью, в объеме которой искусственно созданы  две области, противоположные по электрической проводимости. Пластинка  полупроводника и две области  в ней образуют два р-п перехода, каждый из которых обладает такими же электрическими свойствами, как  и полупроводниковый диод. Если сама пластинка полупроводника обладает проводимостью n-типа, а созданные в ней области проводимостью р-типа, такой транзистор будет структуры р-п-р. Если, наоборот, проводимость пластинки р-типа, а проводимость ее областей n-типа, структура такого транзистора п-р-п.

 

Независимо от структуры  транзистора пластинку полупроводника называют б а-з о й Б, область  меньшего объема — эмиттером Э, а  область большего объема — коллектором  К. Электронно-дырочный переход между  коллектором и базой называют коллекторным, между эмиттером и  базой — эмиттерным.

Условные графические  изображения на схемах транзисторов разных структур независимо от технологии изготовления приборов отличаются лишь тем, что стрелка, символизирующая  эмиттер, у транзистора структуры  р-п-р обращена к базе ,а у транзистора п-р-п — от базы. Стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор.

Транзисторы структур р-п-р  и п-р-п называют биполярными (от латинского «бис»—«дважды»), так как  в их работе участвуют и положительные  носители тока —«дырки», и отрицательные  — электроны. Наряду с биполярными  транзисторами (их часто называют обычными) все большее распространение  получают униполярные (от латинского «унус»—«один») транзисторы, в которых работают носители тока одного знака — только электроны или только «дырки». Управляет  таким транзистором электрическое  поле, создаваемое напряжением входного сигнала. Отсюда второе, наиболее распространенное название униполярных транзисторов: полевые.

К семейству транзисторов относятся также фототранзисторы, двухбазовые диоды и некоторые  другие полупроводниковые приборы.

 

 


Информация о работе Полупроводники. Строение полупроводников и принцип их действия