Автор работы: Пользователь скрыл имя, 21 Октября 2013 в 17:41, реферат
Объектами данной работы является полупроводники. Цель работы: анализ применения полупроводников в науке и технике. В основной части работы даны методы исследования физики полупроводников, полученные результаты, основные конструктивные, технологические и технико-эксплуатационные характеристики. На основе них сделаны соответствующие выводы. Представлена к рассмотрению программа нахождения параметров диодов и транзисторов. Анализ возможностей использования полупроводников показал, что полупроводники могут широко использоваться в различных электронных устройствах.
Введение…………………………………………………………………………………..3
1. Физика полупроводников…………………………………….......................................4
1.1 Зонная структура полупроводников…………………………. …………...4
1.2 Терминология и основные понятия………………………….. …………..5
1.3 Статистика электронов и дырок в полупроводниках…………………..6
1.4 Кон-ция Эл-в и дырок в примесном полупроводнике……………….....11
1.5 Определение положения уровня Ферми…………………………………12
1.6 Проводимость полупроводников………………………..............................13
1.7 Токи в полупроводниках………………………………………………….14
1.8 Неравновесные носители………………………………………………….15
1.9 Уравнение непрерывности………………………………………………..17
2. Полупроводниковые диоды…………………………………………………………….18
2.1. Характеристики идеального диода на основе p-n перехода……………..18
2.2. Выпрямление в диоде…………………………………………………………19
2.3. Характеристическое сопротивление………………………………………..19
2.4. Влияние температуры на характеристики диодов………………………..20
3.Транзисторы……………………………………………………………………………..21
3.1. Принцип работы транзистора…………………………………………………22
3.2.Параметры транзистора как элемента цепи…………………………………23
3.3.Типы транзисторов………………………………………………………………25
3.4.Технологические разновидности биполярных транзисторов……………...26
4.Программа расчета параметров диода и транзистора……………………………..27
Заключение………………………………………………………………………………...32
Список использованной литературы…………………………………………………..33