Транзистор
Уикипедия — ашық энциклопедиясынан
алынған мәлімет
Транзисторлар (жанындағы сызғыш арқылы
олардың өлшемдерін білуге болады.)
Транзистор (ағылш. transfer - тасымалдау және resistor - кедергіш) — электр тербелістерін күшейтуге, оларды тудыруға және түрлендіруге
арналып жартылай өткізгіш кристалл негізінде
жасалған электрондық құрал. Электрондық лампасияқты қызмет атқаратын транзисторлар
одан өлшемінің едәуір кішілігімен, электр энергиясын тұтынудағы аса үнемділігімен, механикалық
аса беріктігімен және бүлінбей ұзақ жұмыс
істейтіндігімен, бірден әсер етуге әзірлігімен
ерекшеленеді.Радиолампа орнына қолданылатын жартылай өткізгіш
аспаптар (транзисторлар) негізінде жасалған
өте кішкентай радиоқабылдағыштарды көбінесе транзисторлар деп дұрыс атамайды;
оның дұрыс атауы — транзисторлы қабылдағыш немесе транзистор негізінде жасалған қабылдағыш.
1956 жылы қос полярлық транзисторды
ойлап шығарғандары үшін Уильям
Шокли, Джон Бардин және Уолтер
Браттейн физикадан Нобель премиясын алған болатын.
Тарихы
Ең бірінші транзистор алтын фольгасына
оралған үшкір пластиктен, аз мөлшерде
германийден тұратын. Көпшілік те, ғалымдар
да бұл нәрсенің қалай істейтінін түсіндіре
алмады, ол құрал арқылы тек радио тыңдады.
Алғаш өріс эффектсіне негізделген транзисторге
патентті Канадада Julius Edgar Lilienfeld 1925 жылы
22 қазанда тіркеді. Бірақ ол өзінің құрылғысы
туралы мәлімет таратпағандықтан, жетістігі
ескерілмеді. Кейін, 1934 жылы
неміс ғалымы Oskar Heil өріс эффектсіне негізделген
басқа тразисторге патент алады.
1947 ж. желтоқсанның
16 Уильям Шокли (William Shockley), Джон Бардин
(John Bardeen), Уолтер Брэттэйн (Walter Brattain) істейтін
транзистор жасағандығы туралы хабарлады.
Бұл кезде олар Bell Labs. -та істейтін еді.
Алғашқы жұмыс істейтін транзистордың
көшірмесі.
Bell Labs. патент алып, нарыққа шығады. Бірақ
Bell Labs. барлық қиындықтарды жеңе алмай, 1952 жылы
транзисторға патентті сатып жібереді.
Сол уақыттан бері транзисторлар барлық
жерде таралды.
ТүрлеріТранзистор өрістік
(униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.
Өрістік (арналық)
транзистор – жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір таңбалы заряд тасушы –электрон немесе кемтік тудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар шартты түрде 2 топқа: #басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі
оқшауланған жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш
(МДШ) транзисторлар деп бөлінеді.
Өрістік транзисторлар әдетте
кремний немесе галий арсениді негізінде
жасалады. Олардың тұрақты ток бойынша
кірістік және шығыстық кедергілері жоғары,
инерциялығы төмен, жиіліктік шегі жоғары
болып келеді. Өрістік транзисторлар байланыс,
есептеуіш техникаларында, теледидарда
шусыз, қуатты және ауыстырып-қосқыш (кілттік)
ретінде қолданылады. Металл-диэлектрик-шалаөткізгіш
(МДШ) құрылымды өрістік транзисторлар
интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады.
Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллектордеп аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген. Эмиттерлік ауысу тура бағытта ығысқан және ол негізгі емес заряд тасушылардың инжексиясын (итерілуін, ендірілуін) қамтамасыз етеді, ал коллекторлық ауысу кері бағытта ығысқан, ол эмиттер итерген негізгі емес заряд тасушыларды жинап алуды қамтамасыз етеді. Биполярлық транзисторлар негізінен электр сигналдарын өндіруге, күшейтуге арналған. Транзисторлар физикалық және басқа да параметрлеріне байланысты төмен (3 МГц-ке дейін), жоғары (300 МГц-ке дейін), аса жоғары жиілікті (300 МГц-тен жоғары), аз қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-қа дейін), үлкен қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-тан жоғары), жоғары және төмен кернеулі, дрейфтік, т.б. түрлерге бөлінеді. Транзистор қазіргі кездегі микроэлектроника құ-рылғыларының негізгі элементі болып табылады.
Қолданылуы
Қазіргі кезде транзисторлар өмірімізде
түпкілікті орын алады. Аналогты және
сандық құралдар құрамында бола отырып,
олар электр құралдарының негізі саналады.
Қолданылатын аялары: компьютерлер, күшейткіштер,
электр кілттері, т.б.
Резистор[1] (ағыл. resіstor, лат. resіsto — қарсыласамын) — электр тізбегінің
әр түрлі тармақтарындағы ток күшін, не
кернеуді шектеу немесе реттеу үшін қолданылатын
радиотех. немесе электртех. бұйым. Радиоэлектрондық құрылғылардағы барлық бөлшектердің
жартысынан астамы (80%-ға дейін) Резисторлар
болады. Резистордың негізгі сипаттамаларына
кедергісінің номинал мәні (0,1 Ом-нан 1 ГОм-ға дейін),кедергінің номинал мәннен ауытқу мүмкіндігі
(0,25%-дан 20%-ға дейін), макс. сейілу қуаты
(Вт-тың жүздік үлесінен бірнеше МВт-қа
дейін) жатады. Ток өткізгіш бөлігінің материалына қарай
Резисторлар металдық, шалаөткізгіштік, сымдық, таспалық, т.б.; құрылымына қарай
тұрақты, айнымалы болады. Айнымалы Резистор
кедергісі жылжымалы тетік арқылы, не
ток күші мен кернеу арасындағы бейсызықтық
тәуелділікке байланысты өзгеруі мүмкін.
Диод.
Дио́д (көне
грекше: δις[1] — екі және -од[2] шекті) — екі электродты, электр тогының
бағытына байланысты әр-түрлі өтімділігі
бар электронды аспап
(прибор).
Жасау және
даму тарихы[өңдеу]
Сол жақтағы — жартылай өтізгішті диодтың қарапайым түрі. Жоғарғы және
сол жақтағы — диодтың сұлбадағы шартты
белгісі (ГОСТ 2.730-73 бойынша) .
Схемотехникалық кескінді электровакуумды
диод:
ортасындағы жылытқыш шыны лампалы — катод, шеткі жағындағы — анод. Оң жағындағы — лампалы диодтың сұлбадағы
белгіленуі. Диодтарды дамыту бiрден
екі бағытта XIX ғасырдың үшiншi ширегiнде
басталды: 1873 жылы британдық ғалым Фредерик
Гутри термиондық (вакуум шамды тікелей
қыздыру арқылы), ал 1874 жылы германдық
ғалымды Карл Фердинанд Браун (қатты денелi
) кристалды диодтарды жұмыс істеу принципн
ашты. 1880 жылдың 13 ақпанында Томас Эдисонды
қайтадан термионды диодтың жұмыс істеу
принципін қайта ашты, және содан соң 1883
жылы патенттеген(№ 307031-шi АҚШ патентi).
Дегенменде Эдисон жұмыстарын ары қарай
дамытуға идея болмады. 1899 жылы германдық
ғалым Карлы Браун Фердинанд кристаллды
түзеткiштi патенттады.
1. Екі электродты электровакуумдық аспап немесе жартылай
өткізгіштікдиод,
токты бір бағытта өткізетін құрал. Радиоаппаратуралардаайнымалы
токты түзету, модуляцияланған тербелістерді детекторлеу,
жиіліктерді өзгерту, электр тізбектерін
қайта қосу үшін қолданылады.
2. Екі электродты вакуумдық, газразрядты немесе
шалаөткізгіш аспап; электр тогы бағытына
байланысты өткізгіштігі әр түрлі болады:
тура бағыттагы токтар үшін өткізгіштігі
жоғары және кері бағыттағы токтар үшін
— төмен. Электр және радиоэлектрондық аппараттарда айнымалы
токты түзету, детекторлеу,
электр тербелістерін түрлендіру, электр тізбектерін
ажыратып-қосу үшін қолданылады. [3]