Жартылай өткізгіштердің түрлері

МАЗМҰНЫ

 

Кіріспе.................................................................................................................          2

1.    Қатты дененің физика элементтері ..........................................................          6        

1.1. Қатты денелердің зоналық теориясы туралы түсінік .............................         6

1.2. Зоналар теориясы бойынша металдар, жартылай

       өткізгіштер және диэлектриктер ..............................................................         7

2.    Әртүрлі материалдан жасалған өткізгіштердегі түйісу құбылыстары....      10

2.1. Түйісу потенциалдар айырымы...................................................................      10

2.2. Термоэлектрлік құбылыс.............................................................................      11

2.3. Пельтье эффектісі.........................................................................................      13

2.4. Томсон эффектісі..........................................................................................      15

2.5. Термоэлектрлік құбылыстарды  пайдалану................................................      16       

3.   Негізгі қасиеттері бойынша өткізгіштердің, диэлектриктердің және

      жартылай өткізгіштердің бір-бірінен айырмашылықтары........................      18

3.1. Жартылай өткізгіштердің металдардан және диэлектриктерден

       айырмашылығы............................................................................................      18        

3.2. Жартылай өткізгіштердің меншікті кедергілерінің температураға

        тәуелділігі ....................................................................................................      19

4.  Жартылай өткізгіштердің түрлері ................................................................     22         

4.1. Өзіндік жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігі .............................      22        

4.2. Қоспалы жартылай өткізгіштердің өткізгіштігі .......................................      25        

4.3. р - n  ауысуының қасиеттері .......................................................................      31        

5.    Жартылай өткізгіштік құралдар ................................................................       36

5.1. Жартылай өткізгіштік диод ........................................................................      36         

5.2. Транзисторлар .............................................................................................      40      

Қорытынды .........................................................................................................      47      

Пайдаланылған әдебиеттер тізімі ....................................................................      50      

 

                       

 

КІРІСПЕ

 

Екі өткізгішті бір-біріне түйістірген кезде  жылулық қозғалыстың әсерінен электрондар бір өткізгіштен басқа өткізгішке өтеді. Егер түйісетін өткізгіштер әртүрлі материалды болып келсе немесе  олардың әртүрлі нүктелеріндегі  температуралары бірдей  болмаса,  онда электрондар диффузиясының екі жақты ағындары бірдей болмайды, осының нәтижесінде бір өткізгіш оң, ал екіншісі – теріс зарядталып қалады. Сондықтан өткізгіштің ішінде және өткізгіштер арасындағы сыртқы кеңістікте электр өрісі пайда болады. Тепе-теңдік күйінде өткізгіштің ішінде диффузия ағындарының айырмашылығын дәл компенсациялайтын өріс тұрақталанады. Осы электр өрістерінің болуына өткізгіш-өткізгіш, өткізгіш-жартылай өткізгіш, жартылай өткізгіш – жартылай өткізгіш түйісулерінде пайда болатын бірқатар құбылыстар негізделінген.

Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін зоналық теория негізінде тек кванттық механика жан-жақты түсіндіріп бере алады. Орта мектепте ол кристалдардағы коваленттік байланыс моделінің, мысалы кремний немесе германий кристалдарындағы, көмегімен түсіндіріледі. Кристалдың әр атомы (мысалы, а- атомы) өзіне жақын орналасқан төрт атоммен сегіз электрон көмегімен байланысады:  оның төртеуі – қарастырылып отырған атомның электрондары да, ал қалған төртеуі бір біреуден байланысқа түсіп отырған атомдардікі.

Бұл байланысты түсіндіру жеткілікті түрде оқу және әдістемелік әдебиеттерде келтірілгендіктен, модель көмегімен талқылау керек болатын басты мәселелерге ғана тоқталамыз:

а) Егер жартылай өткізгіштің температурасы абсолют нөлге жақындаса, онда кристалдағы барлық байланыстар бұзылмайды, сондықтан жартылай өткізгіш диэлектрикке айналады.

ә) Температура жоғарылағанда немесе сыртқы әсердің себебінен кейбір байланыстар бұзылып, кристалл ішінде электр өрісінде қозғала алатын «еркін» электрондар пайда болады.

б) Электроны кетіп, байланыстың үзілген орны «кемтік» деп аталады, оның заряды оң, сондықтан кемтіктер де электр өрісінде қозғала алады.

Электр өрісіндегі электрондар мен кемтіктердің қозғалысын оқушылар шын мәнінде түсінуі тиіс. Ол үшін көрермендер залындағы бос орындар ұқсастығын пайдалануға болады. Көрермендер ауысып отырғанда бос орындар да жылжиды.

в) Егер жартылай өткізгіштер ұщтарына кернеу берілсе, онда электрондар да, кемтіктер де қозғалысқа түседі. Жалпы ток электрондар мен кемтіктер жасайтын токтардың қосындысына тең. Таза жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігі меншікті өткізгіштік деп аталады, олардағы электрондар саны мен кемтіктер саны өзара тең.

Жасанды жолмен жартылай өткізгіштегі еркін электрондардың санын не кемтіктердің санын көбейтуге болады. Ол үшін кремний кристалына бес валентті мышьяк атомдарын, болмаса үш валентті индий атомдарын ендіреді. Бірінші жағдайда кемтіктеріне қарағанда электрондары өте көп жартылай өткізгіш қоспа алынады, оны  n –типті (negativus – теріс сөзінің бас әріпі) жартылай өткізгіш деп атайды. Ал, екінші жағдайда – кемтік саны көп болады, мұндай қоспаны  р –типті (positivus – оң сөзінің бас әріпі) жартылай өткізгіш деп атайды. Ондай жағдайда  n –типті жартылай өткізгіштердегі негізгі заряд тасымалдаушы – электрондар, ал  р –типті жартылай өткізгіштерде – кемтіктер болып қалады.

Бұл мәселелерді оқушылардың терең түсінуі үшін «Жартылай өткізгіштер және олардың техникада қолданылуы» фильмінің сәйкес фрагменттерін көрсетуге болады.

р – n  - ауысу. Жартылай өткізгіштерге тән қасиеттердің ең маңыздысы - әр типті екі жартылай өткізгіштердің түйісуі екендігі, оның  р-n – ауысу деп аталатындығы айтылады. р-n – ауысу қасиетін түсіндіруді тәжірибеден бастаған тиімді. Жартылай өткізгішті диодтың бір бағытта токты жақсы өткізетіндігін, екінші бағытта өте нашар өткізетіндігі көрсетіледі.

Бұл құбылыстардың себебі жөнінде сыныпта проблемалық жағдай туғызуға болады. Алдымен әр типті өткізгіштерді түйістіргенде жүретін процесс түсіндіріледі. Дереу түйісу арқылы негізгі заряд тасымалдаушылардың nдиффузиясы басталады да, түйісу аймағында зарядтардың бейтараптануы нәтижесінде аймақтың кедергісі артып кетеді. Жартылай өткізгіштердің түйіскен жерінде пайда болған қосарланған электр қабаты зарядтар қозғалысына кедергі жасап, белгілі моментте диффузия процесін тоқтатып тастайды.

Міне осындай жартылай өткізгіштерді ток көзіне қосып көрейік. Егер ток көзінің электр өрісі  р-n – ауысуда пайда болған қосарланған электр қабатының өрісіне қарама-қарсы бағытта болса, онда сыртқы электр өрісі негізгі заряд тасымалдаушыларды түйісуге қарай қозғап, ол аймақтың кедергісін азайтып жібереді. Мұндай жағдайда  р-n – ауысу арқылы ток жүреді.

Егер ток көзінің электр өрісі  р-n – ауысудағы электр өрісімен бағыттас болса, онда сыртқы электр өрісі негізгі  заряд тасымалдаушыларды жан-жаққа тартып кетеді де,  р-n – ауысу аймағындағы кедергі күрт өседі. Бұл жағдайда түйісу аймағында жапқыш қабат пайда болады деп айтады, өте аз ғана ток жүреді. Токты негізгі емес заряд тасымалдаушылар жасайды.

Қорыта келгенде,  р- n – ауысудың токты бір бағытта өткізіп, екінші бағытта, практикалық тұрғыдан қарағанда, өткізбейтін қасиеті бар екен.

Жартылай өткізгішті диод. Диод деп бір  р-n –ауысудан тұратын жартылай өткізгішті приборларды айтады. Диодтың құрылысын арнайы дайындалған кесте көмегімен түсіндіріп, оның жұмысын тәжірибе жасап көрсеткен тиімді.

Әрі қарай диодтың вольт-амперлік сипаттамасы қарастырылады. Токты өткізу бағытында кернеуге байланысты ток жылдам өседі де, жапқыш бағытта ток аз және кернеуге айтарлықтай тәуелді емес. Графиктен  р-n – ауысудағы токтың  Ом  заңына бағынбайтығын байқауға болады. Жартылай өткізгішті диодтардың айнымалы токты түзету үшін қолданылатындығы  айтылады. Сонымен қатар әр түрлі мақсаттарда диодтардың радио – техникада, автоматикада, телемеханикада, кеңінен қолдалынып келе жатқандығын айту керек.

Транзистор. Екі  р-n – ауысудан тұратын жартылай өткізгіштік құрылғыны транзистор деп атайды  (transfer – тасу, resistor – кедергі)  оны екі  р-  типті жартылай өткізгіштер қабатының арасына  n-  типті жартылай өткізгіш қабатын орналастыру арқылы, немесе екі  n- типті жартылай өткізгіш қабатының ортасына p- типті жартылай өткізгіш орналастыру арқылы дайындайды. Екі шеткі жартылай өткізгіштердің бірі эмиттер деп, екіншісі – коллектор деп аталады, ортағы қабатты база дейді. Бұл алынған екі  р-n – ауысулардың электр тогын өткізу бағыттары бір-біріне қарама-қарсы. Эмиттер база арасына  ε1 , база коллектор арасына  ε2  батареяларын қосамыз. Сол жақтағы  р-n – ауысу арқылы ток өтеді – ол  р-n – ауысу ашық,  ал   оң  жақтағы р-n – ауысуға батарея ток өткізбейтіндей бағытта жалғанған.

База қабаты өте жұқа болады, оның ені әдетте электрондардың еркін жолының орташа ұзындығымен өлшемдес. База енінің мұншалықты жұқа болуы эмиттерден базаға өткен электрондардың түгел дерлік екінші  р-n – ауысуға өтіп кетуіне мүмкіндік жасайды. Соның нәтижесінде база-коллектор тізбегінде ток пайда болады. Ол ток шамасы эмиттер – база тізбегіндегі ток шамасына тәуелді болатындығы өзінен өзі түсінікті. Егер эмиттер – база тізбегіндегі ток өзгеретін болса, онда синхронды түрде база-коллектор тізбегіндегі ток та өзгереді.

Міне, транзистордың осы айтылған қасиеті әлсіз электр сигналдарын күшейту мақсатында қолданылады. Ол үшін әлсіз сигнал көзін эмиттер-база тізбегіне тізбектеп қосады, ондай жағдайда  R  кедергісін үлкен етіп алу нәтижесінде, оған түсетін кернеудің мәнін де үлкейтіп алуға болады. Транзистор көмегімен әлсіз сигналды он мың есеге дейін күшейте аламыз.

Басқа жартылай өткізгіш приборлар тәріздес транзисторлардың да радиотехникада, автоматикада, телемеханикада және техниканың басқа да салаларында қолданылатындығы жөнінде мысалдар келтіруге болады.

Тақырыпты бекіту мақсатында, ең соңында жартылай өткізгіштердің электр өткізу қасиетін металдардың электр тогын өткізумен салыстыруға болады.

 

        1.    ҚАТТЫ ДЕНЕНІҢ ФИЗИКА ЭЛЕМЕНТТЕРІ

          

        1.1. Қатты денелердің зоналық теориясы  туралы түсінік

Еркін электрондар моделіне сәйкес металл атомдарының валенттілік электрондары үлгінің шегінде еркін орын ауыстыра алады. Металдардың электр өткізгіштігін нақ осы валенттілік электрондар жасайды, осы себебтен оларды өткізгіштік электрондар деп атайды.

Еркін электрондарды кристалда бір-біріне жақындатқанда валенттік электрондардың энергиясы квазиүздіксіз өзгереді. Бұл, рұқсат етілген энергия мәндерінің өте көп жақын орналасқан дискретті деңгейлерден тұратынын білдіреді. Шын мәнінде кристалда валенттілік электрондар толығымен еркін қозғала алмайды – оларға тордың периодтық өрісі әсер етеді. Бұл жағдай, валенттік электрондардың энергияларының мүмкін болатын мәндерінің спектрінің бір қатар, рұқсат етілген және тыйым салынған зоналарға ыдырайды (1-сур.). Рұқсат етілген зоналар шегінде энергия квазиүздіксіз өзгереді.  Тыйым

салынған зоналардағы энергия мәндерін қабылдау мүмкін емес.

Зоналардың пайда болуын түсіну үшін атомдардың кристалдарға бірігу процесін елестетіп көрейік. Айталық алғашқыда кейбір заттың  N  оқшауланған атомдары болсын. Атомдар бір-бірімен жеке – дара тұрғанда олардың бәрін де бірдей сұлбада энергетикалық деңгейлер болады. Әрбір атомда энергетикалық деңгейлердің электрондармен толықтырылуы басқа атомдардың сәйкес деңгейлерінің толықтырылуына тәуелсіз болады. Атомдар біріне-бірі

 

1 - сур.

жақындаған сайын бірте-бірте күшейе беретін өзара әсерлесу пайда болады, бұл деңгейлердің орналасу жағдайларының өзгеруіне алып келеді. Барлық  N  атомға бірдей деңгейлердің орнына,  N  өте жақын орналасқан, бірақ бір-біріне дәл келмейтін деңгейде р пайда болады. Сонымен оқшау тұрған атомның әрбір деңгейі кристалда ыдырап,  N  тығыз орналасқан деңгейлер жолақ немесе зона құрайды.

Әртүрлі деңгейлер үшін ыдыраудың шамасы бірдей емес. Атомда сыртқы электрондармен      толтырылған   деңгейлер   күшті      ауытқиды.   2 – суретте

                            

2 - сур.

деңгейлердің ыдырауының атомдар аралық қашықтыққа  r  функциясы ретіндекөрсетілген. Сұлбадан, кристалда ішкі электрондардың орын алған деңгейлерінің ыдырауы өте аз екендігі көрініп тұр. Тек валенттік электрондармен толтырылған деңгейлер едәуір ыдырайды. Атомның негізгі

күйінде электрондармен толтырылмаған жоғарырақ деңгейлер де осындай ыдырауға ұшырайды.

 

1.2. Зоналар теориясы бойынша металдар, жартылай

                  өткізгіштер және диэлектриктер

Энергетикалық зоналардың болуы, бір көзқарас тұрғысынан, металдардың, жартылай өткізгіштердің және диэлектриктің болуын, түсіндіреді.

Атомның негізгі күйіндегі валенттік электрондар тұратын рұқсат етілген зонаны, валенттік зона деп атаймыз. Абсолюттік нольде валенттік электрондар валенттік зонаның төменгі деңгейлерін екі-екіден толтырады. Жоғарырақ рұқсат етілген зоналар электрондардан бос болады. Валенттік зонаның толу дәрежесіне қарай және тыйым салынған зонаның еніне қарай, 3 – суретте көрсетілгендей, үш жағдай болуы мүмкін. а  жағдайында электрондар валенттік

                 

3 - сур.

зонаны толығымен толтырмайды. Сондықтан, жоғары деңгейде тұрған электрондарға өте аз энергия берілсе болды, олар жоғарғы деңгейге ауысады. Электр өрісінің электронға әсерінен пайда болған қосымша энергия да, электрондарды жоғарырақ деңгейге ауыстыруға жеткілікті болады. Сондықтан, электр өрісінен электрондар үдетіліп және, өріске қарсы бағытта, қосымша жылдамдық алады. Сонымен, осындай сұлбалы энергетикалық деңгейлері бар кристалл металл болып саналады.

Валенттік зонаны жарым-жартылай толтыру (металл жағдайында оны өткізгіштік зонасы деп те атайды), атомдағы соңғы орын алған деңгейде тек бір ғана электрон болады немесе зоналардың бірін-бірі көмкеруі бақыланады. Бірінші жағдайда  N  өткізгіштік электрондар валенттік зонаның жартысын ғана жұптасып толтырады. Екінші жағдайда, өткізгіштік зонасында деңгейлердің саны  N-нен артық болады, егер де тіптен өткізгіштік электрондардың саы  2N болса да, олар зонаның барлық деңгейін толтыра алмайды.