Автор работы: Пользователь скрыл имя, 11 Марта 2013 в 19:57, контрольная работа
5. Оксид трехвалентного элемента содержит 31,58 % кислорода. Вычислите молярную массу эквивалента, молярную и атомную массу этого элемента.
где m(А) — масса вещества А, окисленного или восстановленного на электроде (г); М(1/z,А) — молярная масса эквивалента вещества А (г/моль); I — сила тока (А); t — продолжительность электролиза (с); F – число Фарадея, (F ≈ 96500 Кл/моль).
Отсюда выразим : .
Так как дан объем кислорода, то отношение заменяем отношением , где - объем кислорода (л); - эквивалентный объем кислорода (л).
Эквивалентный объем кислорода (н.у.):
Подставив в приведенную формулу значения , , (5 ч = 18000 с), находим:
Ответ: 5,74 А.
284. Если пластинку из чистого цинка опустить в разбавленную кислоту, то начавшееся выделение водорода вскоре почти прекращается. Однако при прикосновении к цинку медной палочкой на последней начинается бурное выделение водорода. Дайте этому объяснение, составив электронные уравнения анодного и катодного процессов. Напишите уравнения протекающей реакции.
Решение
Разбавленная и
Li, К, Ca, Na, Mg, Al, Mn, Zn, Fe, Co, Ni, Sn, Pb, H , Cu, Hg, Ag, Au
вытесняют водород из разбавленной серной кислоты. Поэтому при опускании пластинки из чистого цинка в разбавленную серную кислоту видим пузырьки водорода.
H SO + Zn = Zn SO + H ↑
Чистый металлический цинк медленно взаимодействует с разбавленными кислотами, поскольку образовавшийся атомарный водород покрывает поверхность цинка и выделение водорода уменьшается.
Медь стоит в ряду напряжений после водорода – поэтому разбавленная серная кислота не действует на медь. Медь, стоящая в электрохимическом ряду напряжений правее цинка, осаждается им, покрывает поверхность цинка и ускоряет, таким образом, растворение его в серной кислоте.
Поэтому при прикосновении к цинку медной палочкой на последней начинается бурное выделение водорода.
Анодный процесс: .
Катодный процесс:
в кислой среде
анодного растворения меди:
1 слои расположены в порядке заполнения подуровней.
2 слои расположены в порядке заполнения подуровней.