Автор работы: Пользователь скрыл имя, 10 Июля 2013 в 02:00, контрольная работа
Исходные и корректируемые данные:
1.Значение тока коллектора = 10 мА.
2.Напряжение коллектор-эмиттер =5В.
3.Длина эмиттера =0,015см.
4.Ширина эмиттера =0,015см.
5.Глубина области (эмиттер) =1,8∙10-4 см.
6. Глубина области (активная база) =2,6∙10-4 см.
7.Толщина эпитаксиальной пленки =5∙10-4 см.
1 Проектирование элементов ИС
2 Проектирование топологии кристалла
3 Оценка влияния паразитных емкостей
4 Расчет надежности ИМС
5 Тепловой расчет микросхем в корпусе
6 Разработка технологии изготовления ИС
Заключение
Литература