Автор работы: Пользователь скрыл имя, 20 Января 2014 в 18:24, дипломная работа
Задачи курсового проекта: рассчитать и выбрать рациональное конструктивное исполнение микросборки с учетом технологических, монтажных, эксплуатационных и экономических требований, а также теплового режима её работы;
проанализировать спроектированную конструкцию; описать технологию изготовления микросборки; разработать комплект конструкторской и технологической документации на изготовление и сборку изделия, включающий пояснительную записку и графическую часть; Результатом проектирования является конструкция микросборки.
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ ………………………………………….
РЕФЕРАТ …………………………………………………………………………
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ, СИМВОЛОВ И ТЕРМИНОВ…
ВВЕДЕНИЕ.............................................................................................................
1. РАСЧЕТЫ КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.……………………………
1.1. Расчет тонкопленочных резисторов……………………………............
1.2. Расчет тонкопленочных конденсаторов.................................................
1.3. Расчет точности …………………………………………………………
1.4. Расчет печатных проводников ………………………………..……….
1.5. Экономичность конструкции ………………………………………….
2. РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ И СБОРОЧНОГО ЧЕРТЕЖА………………
3. АНАЛИЗ КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ ….………………………….
3.1. Расчет технологичности ……………..………………………………...
3.2. Расчет надежности ……………………………………………………...
3.3. Тепловой режим работы ……………………………………………….
4. ТЕХНИКА И ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА МИКРОСБОРКИ ……..
4.1. Термическое испарение ………….…………………………………….
4.2. Вакуумная напылительная техника ………….………………………..
4.3. Испаритель ………….…………………………………………………..
4.4. Изготовление пленочных элементов ………..………………………...
4.5. Технический контроль ……………………………...…………………
ЗАКЛЮЧЕНИЕ …………………………………………………………………
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ И ЛИТЕРАТУРЫ ….…..
=
=28000 ч.
Стандартный пересчет часов в годы дает результат T0 = 32 года.
Результаты расчетов по формуле P(t)=exp(-t/T0) представлены на рисунке:
Рис. 3.1. Вероятность безотказной работы
Полученные результаты свидетельствуют, что требования технического задания по надежности микросборки выполнены.
3.3. Тепловой режим работы
Тепловой режим микросборки характеризуется совокупностью температур отдельных её точек, т.е. температурным полем в 0С (рис.3.1.).
Рис. 3.1. Темпера- турное поле |
Для описания теплообмена в первом приближении используем соотношение: Q=k.S.(Tr – Toc), (3.3.1) где Q – тепловыделения всех резисторов и конденсаторов микросборки, Вт; k – коэффициент теплопередачи от пленочных элементов (резисторов и конденсаторов) в окружающую среду, Вт/(м2.0С); S=0,02х0,0135=0,0003 – пло- |
щадь крышки корпуса микросборки (см. сборочный чертеж), м2; Tос=30 – температура окружающей среды, 0С; Tr – температура пленочных элементов, 0С;
Тепловыделения резисторов
и конденсаторов микросборки по техническому заданию
[24,с.7, табл.1] с учетом рассчитанного ранее
угла диэлектрических потерь (см. п.1.2.)
составят Q=3.W+3.W.tg
=3.10.10-3+3.10.10-3.0,004=0,
Коэффициент теплопередачи
k =
=
= 1,1 Вт/(м2.0С),
где =0,003 – толщина слоя воздуха между подложкой и крышкой корпуса микросборки (см. сборочный чертеж), м; =0,028 – коэффициент теплопроводности воздуха, Вт/(м.0С); =2 – наиболее вероятное значение коэффициента теплоотдачи от крышки корпуса в окружающую среду в условиях свободной конвекции, Вт/(м2.0С).
Уравнения (3.5.1) и (3.5.2) позволяют рассчитать рабочую температуру пленочных элементов, главным образом резисторов, т.к. тепловыделения конденсаторов относительно невелики:
Tr = Toc + Q/(k.S) = 30 + 0,009/(1,1.0,0003) = 57 0С. (3.3.3)
Полученное значение Tr лежит в области допустимых значений температур, поэтому при конструировании микросборки не предусматриваем специальных мер ее охлаждения (оребрения теплоотводящих поверхностей, принудительной вентиляции и т.п.).
4. ТЕХНИКА И ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА МИКРОСБОРКИ
4.1. Термическое испарение
Нанесение тонких слоев (пленок) металлов или их сплавов на поверхность изделий или полуфабрикатов из различных металлических или неметаллических материалов называют металлизацией [21, с.296]. Цель металлизации – изменение физических и механических свойств поверхностей изделий: их электропроводности, износостойкости, коррозионной стойкости, теплопроводности и т.д. Техническим заданием [24, с.7, табл.1, вариант 99] для изготовления элементов микросборки предусмотрено термическое испарение.
Для нанесения тонких пленок на подложку применяем типовой технологический процесс – метод вакуумного напыления, составной частью которого является термическое испарение материалов пленок.
Металлизация, т.е нанесение на ситалловую подложку резистивных пленок и обкладок конденсаторов посредством термического испарения и конденсации в вакууме осуществляется в вакуумных напылительных установках при давлении 2.10-3 – 2.10-5 Па.
4.2. Вакуумная напылительная техника
Вакуумные напылительные установки – это установки и оборудование для управляемого нанесения пленочных покрытий в вакууме методом направленного осаждения частиц из потока испаряемого или распыляемого вещества. В соответствии с заданием проектируем использование вакуумной напылительной техники для формирования тонкопленочных элементов микросборки: токопроводящих слоев резисторов, металлизированных слоев – обкладок конденсаторов, а также коммутационных проводников и контактных площадок.
В технологии микроэлектроники
для создания тонкопленочных элементов
применяются вакуумные
По методу нанесения
пленки различают установки
В установках термического испарения используется либо тепло, выделяющееся при прохождении электрического тока через нагреватель, либо кинетическая энергия электронного пучка.
На рис.4.1. показана схема принятой в данном проекте установки периодического действия камерного типа с двумя электронно-лучевыми испарителями.
|
Рис. 4.1. Схема вакуумной
напылительной установки
1 – паромасляный насос;
2 – форвакуумная азотная ловушка
По режиму работы различают
вакуумные напылительные устано
4.3. Испаритель
Испаритель – теплообменное устройство для получения газообразной или паровой фазы вещества, находящегося в жидком или твердом состоянии. В электронном приборостроении применяется в технологии интегральных схем для создания тонких пленок и т.д.
Различают испарители резистивные (контактные и радиационного нагрева), индукционные, электронные, дуговые, лазерные.
В проектируемой вакуумной
напылительной установке
|
Рис.4.2. Электронно-лучевой испаритель:
1 – тигель с водяным охлаждением; 2 – испаряемое вещество; 3 – зона испарения; 4 – электронный луч; 5 – электронный прожектор.
В электронно-лучевом испарителе благодаря фокусировке электронов в узкий пучок – электронный луч – можно получить высокую концентрацию энергии (до 5.108 Вт/см2) на незначительном участке поверхности испаряемого вещества, в результате чего возникает локальная зона испарения, в то время как большая часть испаряемого вещества остается в твердом состоянии. Таким образом удается исключить соприкосновение расплавленного испаряемого вещества со стенками тигля, приводящее к загрязнению продуктов испарения.
4.4. Изготовление пленочных элементов
Типовой ТП — характеризуется единством содержания и последова-тельности большинства технологических операций и переходов для групп изделий с общими конструктивными признаками.
Изготовление основной сборочной единицы микросборки – ситалловой платы методом термического испарения выполняется в следующей последовательности:
Установка ситалловой подложки в подложкодержатель |
Помещение резистивного материала (NiCr) в тугоплавкий тигель |
Размещение между тигелем и подложкой экрана-маски |
Герметизация и вакуумирование установки до остаточного давления 10-3 Па |
Прогрев подложки, с целью очистки ее поверхности от посторонних примесей |
Нагрев тигеля
до температуры испарения резистив |
Переустановка подложки в установку для напыления нижних обкладок конденсаторов |
Установка ситалловой подложки в подложкодержатель |
Помещение материала обкладок конденсаторов (Al) в тугоплавкий тигель |
Размещение между тигелем и подложкой экрана-маски для нижних обкладок |
Герметизация и вакуумирование установки до остаточного давления 10-3 Па |
Прогрев подложки, с целью очистки ее поверхности от посторонних примесей |
Нагрев тигеля до температуры испарения алюминия |
Переустановка ситалловой подложки в установку для напыления контактных площадок |
Установка ситалловой подложки в подложкодержатель |
Помещение материала контактных площадок (Cu) в тугоплавкий тигель |
Размещение между тигелем и подложкой экрана-маски для контактных площадок |
Герметизация и вакуумирование установки до остаточного давления 10-3 Па |
Прогрев подложки, с целью очистки ее поверхности от посторонних примесей |
Нагрев тигеля до температуры испарения меди |
Переустановка
ситалловой подложки в установку
для напыления пленочных |
Установка ситалловой подложки в подложкодержатель |
Помещение материала пленочных проводников (Cu) в тугоплавкий тигель |
Размещение
между тигелем и подложкой
экрана-маски для пленочных |
Информация о работе Корпусная микросборка с жесткими выводами