Автор работы: Пользователь скрыл имя, 24 Ноября 2013 в 08:35, контрольная работа
Задача №1 В германиевом р-n-переходе удельная проводимость р-области σр=104 См/м и удельная проводимость n-области σn=102 См/м. Подвижности электронов μn и дырок mp в германии соответственно равны 20 и 10-8 /(В×с). Концентрация собственных носителей в германии при Т=210 К составляет ni=1 м-3. Вычислить контактную разность потенциалов (высоту потенциального барьера) при Т=210 К.
Задача №2 Используя данные и результаты расчетов задачи из примера 1, найти плотность обратного тока насыщения, а также отношение дырочной составляющей обратного тока насыщения к электронной, если диффузионные длины для электронов и дырок Ln = Lp = 1×10-3м.