Расчет температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников

Цель работы: рассчитать температурную зависимость концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике акцепторного типа, а так же построить график этой зависимости в координатах: ln n = F(1/T). Определить и построить графически зависимость энергии уровня Ферми от температуры, и произвести расчет температур перехода к собственной проводимости и истощения примеси.
Задачи: использовать данную курсовую работу как основу фундамента знаний о физике полупроводников, а так же развить свой технический кругозор для улучшения своей профессиональной пригодности.

Реферат……………………………………………………………………………..………..3
Введение……………………………………………………………………………………..4
1. Физические процессы в полупроводниках и их свойства……………………………..6
1.1 Собственные полупроводники…………………………………………………………6
1.2 Электронный полупроводник…………………………………………………………11
1.3 Дырочный полупроводник……………………………………………………………12
1.4 Энергетические диаграммы полупроводников……………………………….……..13
1.5 Основные и неосновные носители заряда………………………………………..….15
1.6 Температурная зависимость концентрации носителей заряда…………………….16
1.7 Донорные и акцепторные полупроводники……………………………………..…..24
1.8 Зависимость концентрации электронов от энергии уровня Ферми…………..…...28
1.9 Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда
в собственных полупроводниках…………………………………………………..…27
2. Вычисление температурных зависимостей электрофизических
параметров полупроводников....………………………………………………...….…32
Заключение………………………