Измерительная схема на основе полупроводникового резистора

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 02 Июня 2013 в 18:03, курсовая работа

Описание работы

Существует несколько методов измерения температуры. Одним из них является метод на основе терморезистивного эффекта. Принцип работы датчиков основан на их свойстве изменять сопротивление при изменении температуры. Изменение сопротивления оценивается величиной температурного коэффициента сопротивления (ТКС). ТКС может быть положительным (при увеличении температуры величина сопротивления растет) и отрицательным. Величина ТКС характеризует чувствительность датчика.

Содержание работы

1. Введение…………………………………………………………………….3
2. Исследование технической литературы…………………….………….....4
2.1 Патентное исследование………………………………………………...12
2.2 Обзор преобразователей, тем и их схем включения………………......16
2.3 Z-термисторы как новый класс температурных сенсоров……………17
2.4 Выводы по обзору технической литературы…………………………..21
3. Разработка структурной схемы устройства……………………………..22
4.Разработка функциональной схемы устройства………………………...22
5. Разработка и расчет электрическая схема устройства……………….....23
6. Определение и компенсация погрешностей схемы…………………….28
7. Разработка методики настройки разрабатываемого устройства………34
8. Выводы…………………………………………………………………….37
9. Список использованной литературы…………………………………….38

Скачать архив (303.50 Кб) Сколько стоит заказать работу?
Файлы: 1 файл

курсовая эл(2003).doc

— 920.00 Кб (Скачать файл)

При анализе  погрешностей устройства были выведены и рассчитаны погрешности от напряжения смещения операционных усилителей и  погрешность нелинейности. Аддитивная составляющая погрешности от напряжения смещения была скомпенсирована специальной схемой компенсации. Погрешность нелинейности была по возможности уменьшена.

В ходе анализа  технической литературы не было найдено  полных аналогов данного устройства то есть можно сказать, что данное устройство может решать конкретные задачи с определенной точностью и может быть востребовано правда для довольно специфических задач.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  1. Список использованной литературы

 

  1. Маковеев В.М. “Курс лекций”.
  2. http://www.chipnews.ru/
  3. Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник/Б.П. Кудряшов,   Ю. В. Назаров, Б.В. Тарабин, В.А. Ушибышев – М.: Радио и связь, 1981. – 160с.
  4. Резисторы: Справочник/ В.В. Дубровский, Ду.М.Иванов, Н.Я. Пратусевич, и др.: Под общ. Ред. И.И. Четверткова и В.М. Терехова. – М.: Радио и связь, 1987. – 351с.
  5. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника. Учеб. для  вузов.- 3-е издание переработанное и дополненное. - М.: Высшая школа, 2004г., 790стр.  
  6. Промэлектроника: каталог 2006-2007г – 220с.
  7. Грабовски Б. Краткий справочник по электронике: Пер. с фр. - М.: ДМК Пресс, 2001. - 416с. (8 экз.)
  8. Александров К.К., Кузмина Е.Г. Электротехнические чертежи и схемы. –М.: Энергоатомиздат, 1990. –288с.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приложения

 

 

 

Приложение  П1 Перечень Элементов .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П1. Перечень элементов.

 

Поз. Обозначение

Наименование

Кол

Примечание

 

Интегральные микросхемы

    

DA1

К544УД1А

4

  
       
 

Диоды

    

VD1

L-3004HD

1

Uном=2.25В

       
 

Резисторы.

    

Rt

СТ1-17-300-1кОм±10% В-В

1

E24

R1

С2-33Н-2-560Ом±5% В-В 

1

E24

R2

СП5-1-1-100Ом±5% В-В

1

E24

R3

С2-33Н-2-590Ом±5% В-В

1

E24

R4

С2-33Н-2-3кОм±5% В-В

1

E24

R5

С2-33Н-2-604Ом±1% В-В

1

E96

R6

СП5-1-1-100Ом±5% В-В

1

E24

R7

С2-33-2-9.88кОм±0.5% В-В

1

E192

R8

СП5-1-1-330Ом±5% В-В

1

E24

R9

С2-33-2-9.88кОм±0.5% В-В

1

E192

R10

С2-33Н-2-1.82кОм±1% В-В

1

E96

R11

С2-33Н-2-2.5кОм±1% В-В

1

E96

R12

С2-33Н-2-3.3кОм±5% В-В

1

E24

       
 

Транзисторы

    

VT1

КП303В

1

  

 

 


Информация о работе Измерительная схема на основе полупроводникового резистора