Автор работы: Пользователь скрыл имя, 29 Января 2013 в 16:50, контрольная работа
Ионное легирование (имплантация) - процесс внедрения в твердотельную подложку высокоэнергетичных (10-17...10-18кДж) ионизированных атомов легирующей примеси. Ионы формируют в энергетические пучки, разгоняют и выстреливают ими в мишень- подложку. За счёт высокой энергии ионы ударяясь о подложку проникают внутрь её и задерживаются в ней создавая зону легирования.
Практическая расчётная работа по дисциплине
СВЭТРЭС
«СОЗДАНИЕ р-n ПЕРЕХОДОВ ИОННЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ»
Выполнил студент : Варламов Е.В.
200101 сокр. форма обучения.
Проверил: Вигдорович Е.Н.
МГУПИ 2012г.
Ионное легирование (имплантация) - процесс внедрения в твердотельную подложку высокоэнергетичных (10-17...10-18кДж) ионизированных атомов легирующей примеси. Ионы формируют в энергетические пучки, разгоняют и выстреливают ими в мишень- подложку. За счёт высокой энергии ионы ударяясь о подложку проникают внутрь её и задерживаются в ней создавая зону легирования.
Исходные данные:
Легирование кремния марки КДБ фосфором.
N0 = 1.1016 см-3
Nмах = 1.1019 см-3
DRp = 51,8 нм Rn = 200 нм
Е=160кэВ
Расчётная часть :
N(x)= ------------ exp (--------------)
Аналогично рассчитаем подставляя значения Х справой и с левой стороны от Nмах = 1.1019 см-3
При температуре
Время отжига
к = 8,61 10-5эВ/град
значение D для фосфора определяется как: .
N(x,t) = ----------------------- exp (------------------)
Ö2p( DRp2 +2Dt) 2(DRp2 + 2Dt)
Определим значение при
Rp = 200 нм
N(x,t) = 6.5*
Rp = 250 нм
N(x,t) = 6.0 *
Rp = 350 нм
N(x,t) =1.5 *
Rp =400 нм
N(x,t) =7.2 *
4) Расчитаем глубину образовавшегося p-n перехода:
5) предствим графически рассчитанные параметры
График профиля торможения до и после отжига:
Информация о работе Создание р-n переходов ионным легированием