Создание р-n переходов ионным легированием

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 29 Января 2013 в 16:50, контрольная работа

Описание работы

Ионное легирование (имплантация) - процесс внедрения в твердотельную подложку высокоэнергетичных (10-17...10-18кДж) ионизированных атомов легирующей примеси. Ионы формируют в энергетические пучки, разгоняют и выстреливают ими в мишень- подложку. За счёт высокой энергии ионы ударяясь о подложку проникают внутрь её и задерживаются в ней создавая зону легирования.

Файлы: 1 файл

График тороможения при ионной имплантации.doc

— 71.00 Кб (Скачать файл)

 

 

 

 

Практическая  расчётная работа по дисциплине

СВЭТРЭС

«СОЗДАНИЕ  р-n ПЕРЕХОДОВ ИОННЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ»

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выполнил студент : Варламов Е.В.

200101 сокр. форма обучения.

Проверил: Вигдорович Е.Н.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

МГУПИ 2012г.

 

Ионное легирование (имплантация)  -  процесс внедрения в твердотельную подложку высокоэнергетичных (10-17...10-18кДж) ионизированных атомов  легирующей примеси.  Ионы формируют в энергетические пучки, разгоняют и выстреливают ими в мишень- подложку. За счёт высокой энергии ионы ударяясь о подложку проникают внутрь её и задерживаются в ней  создавая зону легирования.

 

Исходные данные:

 

Легирование кремния  марки КДБ фосфором.

N0 = 1.1016 см-3

Nмах =  1.1019  см-3 

DRp  = 51,8 нм   Rn = 200 нм

Е=160кэВ

 

 

Расчётная часть :

 

 

  1. Рассчитаем по уравнению значение Q :

 


 

 

 

  1. Рассчитаем  профиль торможения :

 

                                  Q                 - (x - Rp)2

 N(x)= ------------ exp (--------------)                              


                                          DRp Ö 2 p            2 DRp2

 

Аналогично рассчитаем подставляя значения Х справой и  с левой стороны от  Nмах =  1.1019  см-3 

 

  1. Рассчитаем профиль торможения после диффузионного отжига:

При температуре

Время отжига 

к  = 8,61 10-5эВ/град

 

значение D для фосфора определяется как: .

 

 

 

                                      Q                               - (x - Rp )2

 N(x,t) = ----------------------- exp (------------------)                 


                            Ö2p( DRp2 +2Dt)              2(DRp2 + 2Dt)

 

 

Определим значение при 

Rp = 200 нм

N(x,t) = 6.5*

Rp = 250 нм

N(x,t) = 6.0 *

Rp = 350 нм

N(x,t) =1.5 *

Rp =400 нм

N(x,t) =7.2 *

 

 

 

 

4) Расчитаем глубину   образовавшегося p-n перехода:

 

5) предствим графически  рассчитанные параметры

 

График профиля торможения до и после отжига:

 


Информация о работе Создание р-n переходов ионным легированием