Создание р-n переходов ионным легированием

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 29 Января 2013 в 16:50, контрольная работа

Описание работы

Ионное легирование (имплантация) - процесс внедрения в твердотельную подложку высокоэнергетичных (10-17...10-18кДж) ионизированных атомов легирующей примеси. Ионы формируют в энергетические пучки, разгоняют и выстреливают ими в мишень- подложку. За счёт высокой энергии ионы ударяясь о подложку проникают внутрь её и задерживаются в ней создавая зону легирования.

Файлы: 1 файл