Технологический процесс изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 21 Июня 2013 в 21:42, курсовая работа

Описание работы

Целью данной работы является разработка и описание технологического процесса изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры (КНК). Поэтапно, начиная с механической обработки подложки и заканчивая эпитаксией, описать все методы, используемые при изготовлении структуры КНК. Задачи
Механическая и химическая обработка подложки, методы и их описание;
Выбрать метод получения эпитаксиальной пленки кремния;
Выбрать тип реактора для эпитаксиального наращивания и материал для пьедестала;
Выбрать оптимальный режим процесса;

Содержание работы

ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………. 4
1 Механическая обработка подложки………………………………... 6
1.1 Калибровка монокристалла………………………………………… 6
1.2 Резка слитка монокристалла на пластины………………………… 6
1.3 Шлифовка пластины………………………………………………… 11
1.4 Полировка пластины………………………………………………... 12
1.5 Межоперационная и финишная очистка пластины………………... 13
2 Эпитаксиальное наращивание………………………………………. 15
2.1 Метод получения эпитаксиальной пленки кремния…………........ 17
2.2 Тип используемого реактора. Материал пьедестала……………... 21
2.3 Режимы эпитаксиального процесса………………………………... 23
2.4 Метод введения легирующей примеси и вид легирующей примеси…………………………………………................................ 26
2.5 Метод очистки водорода………………………………………........ 28
3 Расчет легирования эпитаксиальной пленки………………………. 29
3.1 Параметры процесса эпитаксии………………………………… 29
3.2 Расчет легирования переходного слоя пленка – подложка за счет диффузии……………………………………………………………… 32
3.3 Марка полученной структуры……………………………………... 37
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………………………... 39
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ…………………………... 40

Файлы: 1 файл

Курсовая работа по ТМЭТ.docx

— 403.22 Кб (Скачать файл)

Марка полученной кремниевой структуры:

 

 

 

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

  1. Нашельская А. Я. Технология спецматериалов электронной техники.: Учеб. пособие для техникумов. – М.: Металлургия, 1993. – 368 с.
  2. Пирс К., Адамс А., Кац Л., и др. Технология СБИС: В 2 – х кн. Кн. 1. Пер. с англ./ Под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. – 404 с.
  3. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие для вузов спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы». – 3 – е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1986. – 368 с.
  4. Никифорова – Денисова С. Н. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: Учеб. пособие для ПТУ. Кн. 4. Механическая и химическая обработка. – М.: Высш. шк., 1989. – 95 с.
  5. Никифорова – Денисова С. Н., Любушкин Е. Н. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: Учеб. пособие для ПТУ. Кн. 5. Термические процессы. – М.: Высш. шк., 1989. – 96 с.
  6. Шишлянников Б. М. Технология материалов и изделий электронной техники: Методические указания к курсовому проектированию. – Новгород 2006. - 27с.

 


Информация о работе Технологический процесс изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры