Автор работы: Пользователь скрыл имя, 18 Мая 2014 в 10:06, курсовая работа
Целями данной курсовой работы являются формирование научной основы для целенаправленного использования полученных знаний при создании элементов, приборов и устройств микроэлектроники, практическое освоение основных понятий, полупроводниковых устройств, в частности, полевых транзисторов, изучение основ создания электронной компонентной базы и ее применения для создания электронных устройств различного назначения. Задачами курсовой работы являются практическое освоение основных понятий, расширение научного кругозора и эрудиции на базе изучения основ строения материалов и физики происходящих в них явлений, технологии материалов электронной и микроэлектронной техники, для последующего использования их при создании приборов твердотельной электроники и разработке технологии микроэлектроники.
Введение
1 Принципы работы полевых транзисторов
1.1 История создания полевых транзисторов
1.2 Классификация полевых транзисторов
1.3 Транзисторы с управляющим p - n переходом
1.4 Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
1.5 МДП-транзисторы с индуцированным каналом
1.6 МДП-транзисторы со встроенным каналом
1.7 МДП-структуры специального назначения
2 Схемы включения полевых транзисторов
3 Применение полевых транзисторов
4 Перспективы развития
Заключение
Литература