Автор работы: Пользователь скрыл имя, 29 Марта 2014 в 05:21, реферат
Описание работы
Принципы работы термионного диода были заново открыты 13 февраля 1880 года Томасом Эдисоном, и затем, в 1883 году, запатентованы (патент США № 307031). Однако дальнейшего развития в работах Эдисона идея не получила. В 1899 году германский учёный Карл Фердинанд Браун запатентовал выпрямитель на кристалле[4]. Джэдиш Чандра Боус развил далее открытие Брауна в устройство применимое для детектирования радио. Около 1900 года Гринлиф Пикард создал первый радиоприёмник на кристаллическом диоде. Первый термионный диод был запатентован в Британии Джоном Амброзом Флемингом (научным советником компании Маркони и бывшим сотрудником Эдисона) 16 ноября 1904 года (патент США № 803684 от ноября 1905 года). 20 ноября 1906 года Пикард запатентовал кремниевый кристаллический детектор (патент США № 836531).
Развитие диодов началось в
третьей четверти XIX века сразу по двум
направлениям: в 1873
году британский учёный Фредерик
Гутри открыл принцип действия термионных
(вакуумных ламповых с прямым накалом)
диодов, в 1874
году германский учёный Карл Фердинанд
Браун открыл принцип действия кристаллических
(твёрдотельных) диодов.
Принципы работы термионного
диода были заново открыты 13 февраля 1880
года Томасом
Эдисоном, и затем, в 1883
году, запатентованы (патент США
№ 307031). Однако дальнейшего развития в
работах Эдисона идея не получила. В 1899
году германский учёный Карл
Фердинанд Браун запатентовал выпрямитель
на кристалле[4]. Джэдиш Чандра Боус развил
далее открытие Брауна в устройство применимое
для детектирования радио. Около 1900
года Гринлиф Пикард создал первый радиоприёмник на кристаллическом диоде.
Первый термионный диод был запатентован
в Британии Джоном Амброзом Флемингом
(научным советником компании Маркони
и бывшим сотрудником Эдисона) 16 ноября 1904
года (патент США № 803684 от ноября
1905 года). 20 ноября 1906
года Пикард запатентовал кремниевый кристаллический детектор
(патент США № 836531).
В конце XIX века устройства подобного
рода были известны под именем выпрямителей,
и лишь в 1919 году Вильям Генри Иклс ввёл
в оборот слово «диод», образованное от
греческих корней «di» — два, и «odos» — путь[2].
Ключевую роль в разработке
первых отечественных полупроводниковых
диодов в 1930-х
годах сыграл советский физик Б. М.
Вул.
Типы диодов
Диоды бывают электровакуумными (кенотроны), газонаполненными (газотроны, игнитроны, стабилитроны), полупроводниковыми и др. В настоящее время в подавляющем
большинстве случаев применяются полупроводниковые
диоды.
Диоды
Полупроводниковые
Не полупроводниковые
Газозаполненные
Вакуумные
Полупроводниковые
диоды
Полупроводниковый диод в стеклянном
корпусе. На фотографии виден полупроводник
с контактами, подходящими к нему.
Основная статья: Полупроводниковый диод
Полупроводниковые диоды используют
свойство односторонней проводимости p-n перехода — контакта между полупроводниками
с разным типом примесной
проводимости, либо между полупроводником
и металлом (Диод
Шоттки).
Ламповые диоды
Основная статья: Электровакуумный диод
Ламповые диоды представляют
собой радиолампу с двумя рабочими электродами,
один из которых подогревается нитью накала.
Благодаря этому, часть электронов покидает
поверхность разогретого электрода (катода)
и под действием электрического поля движется
к другому электроду — аноду. Если же поле
направлено в противоположную сторону,
электрическое поле препятствует этим
электронам и тока (практически) нет.
Стабилитроны (диод Зенера). Используют обратную ветвь характеристики диода с обратимым пробоем для стабилизации напряжения.
Туннельные
диоды (диоды Лео Эсаки). Диоды, существенно использующие квантовомеханические эффекты. Имеют область т. н. «отрицательного сопротивления»
на вольт-амперной характеристике. Применяются как усилители, генераторы и пр.
Варикапы (диоды Джона Джеумма). Используется то, что запертый p—n-переход обладает большой ёмкостью, причём ёмкость зависит от приложенного обратного напряжения. Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости.
Светодиоды (диоды Генри Раунда). В отличие от обычных диодов, при рекомбинации электронов и дырок в переходе излучают свет в видимом диапазоне, а не в инфракрасном. Однако, выпускаются светодиоды и с излучением в ИК диапазоне, а с недавних пор — и в УФ.
Полупроводниковые
лазеры. По устройству близки к светодиодам, однако имеют оптический резонатор, излучают когерентный свет.
Фотодиоды. Запертый фотодиод открывается под действием света.
Солнечный
элемент. Подобен фотодиоду, но работает без смещения. Падающий на p-n переход свет вызывает движение электронов и генерацию тока.
Диоды
Ганна. Используются для генерации и преобразования частоты в СВЧ диапазоне.
Диод Шоттки. Диод с малым падением напряжения при прямом включении.
Лавинный
диод — диод, основанный на лавинном
пробое обратного участка вольт-амперной характеристики. Применяется для защиты цепей от перенапряжений
Лавинно-пролётный
диод — диод, основанный на лавинном
умножении носителей заряда. Применяется
для генерации колебаний в СВЧ-технике.
Магнитодиод. Диод, вольт-амперная характеристика которого существенно зависит от значения индукции магнитного поля и расположения его вектора относительно плоскости p-n-перехода.
Стабисторы. При работе используется участок ветви вольт-амперной характеристики, соответствующий «прямому напряжению» на диоде.
Смесительный диод — предназначен для перемножения
двух высокочастотных сигналов.
pin диод — содержит область собственной
проводимости между сильнолегированными
областями. Используется в СВЧ-технике, силовой электронике, как фотодетектор.
Классификация и
система обозначений
Классификация диодов по их
назначению, физическим свойствам, основным
электрическим параметрам, конструктивно-технологическим
признакам, роду исходного материала (полупроводника) отображается системой условных
обозначений их типов. Система условных
обозначений постоянно совершенствуется
в соответствии с возникновением новых
классификационных групп и типов диодов.
Обычно системы обозначений представлены
буквенно-цифровым кодом.
СССР
На территории СССР система
условных обозначений неоднократно претерпевала
изменения и до настоящего времени на
радиорынках можно встретить полупроводниковые
диоды, выпущенные на заводах СССР и с
системой обозначений согласно отраслевого
стандарта ОСТ 11 336.919-81, базирующегося на
ряде классификационных признаков изделий[3]. Итак,
первый элемент буквенно-цифрового
кода обозначает исходный материал (полупроводник),
на основе которого изготовлен диод, например:
Г или 1 — германий или его соединения;
К или 2 — кремний или его соединения;
А или 3 — соединения галлия (например, арсенид
галлия);
И или 4 — соединения индия (например, фосфид
индия);
второй элемент — буквенный
индекс, определяющий подкласс приборов;
Д — для обозначения выпрямительных, импульсных, магнито- и термодиодов;
Ц — выпрямительных столбов и блоков;
В — варикапов;
И — туннельных
диодов;
А — сверхвысокочастотных диодов;
С — стабилитронов, в том числе стабисторов и ограничителей;
Л — излучающие оптоэлектронные приборы;
О — оптопары;
Н — диодные тиристоры;
третий элемент — цифра (или
в случае оптопар — буква), определяющая один из основных признаков прибора (параметр, назначение или принцип действия);
четвёртый элемент — число,
обозначающее порядковый номер разработки
технологического типа изделия;
пятый элемент — буквенный
индекс, условно определяющий классификацию
по параметрам диодов, изготовленных по
единой технологии.
Кроме того, система обозначений
предусматривает (в случае необходимости)
введение в обозначение дополнительных
знаков для выделения отдельных существенных
конструктивно-технологических особенностей
изделий.
Россия
Продолжает действовать ГОСТ
2.730-73 — приборы полупроводниковые. Условные
обозначения графические.
Этот раздел статьи
ещё не написан.
Согласно замыслу одного из
участников Википедии, на этом месте должен
располагаться специальный раздел.
Вы можете помочь проекту, написав этот
раздел.
Импортные
радиодетали
Существует ряд общих принципов
стандартизации системы кодирования для
диодов за рубежом — наиболее распространены EIA/JEDEC и европейский Pro Electron стандарты.
[править] EIA/JEDEC
Дополнительные
сведения: Electronic Industries Alliance и Joint Electron Devices Engineering Council
Стандартизированная система EIA370 нумерации
1N-серии была введена в США EIA/JEDEC (Объединенный
Инженерный Консилиум по Электронным
Устройствам) приблизительно в 1960 году.
Среди самого популярного в этой серии
были: 1N34A/1N270 (германиевый), 1N914/1N4148 (кремниевый), 1N4001—1N4007 (кремниевый выпрямитель 1A)
и 1N54xx (мощный кремниевый выпрямитель
3A)[5][6][7].
Pro Electron
Дополнительные
сведения: Pro Electron
Согласно европейской системы
обозначений активных компонентов Pro Electron, введенной
в 1966 году и состоящей из двух букв и числового
кода:
первая буква обозначает материал
полупроводника:
A — Germanium (германий) или его соединения;
B — Silicium (кремний) или его соединения;
вторая буква обозначает подкласс
приборов:
A — сверхвысокочастотные диоды;
B — варикапы;
X — умножители напряжения;
Y — выпрямительные диоды;
Z — стабилитроны, например:
AA-серия — германиевые сверхвысокочастотные диоды (например, AA119);