Расчет полупроводников

Прогресс неустанно идет вперед, появляются все новые и новые технологии, сложные, и использующиеся практически повсеместно. Вся современная электроника строится на полупроводниковых элементах. Поэтому знание характеристик и параметров полупроводников- это обязательное условие для специалиста в области телекоммуникаций.

Введение………………………………………………………………………4
1. Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике…………..…………….…..…5
2. Расчет температурной зависимости уровня Ферми в собственном полупроводнике…………………………………………………………………..…6
3. Расчет температуры ионизации донорной примеси Тs и ионизации основного вещества Тi в полупроводнике n тока методом последовательных приближений………………………………………………………………………...7
4. Расчет температуры ионизации Тs и Тi в акцепторном полупроводнике методом последовательных приближений………………….....9
5. Расчет температурной зависимости положения уровня Ферми Ef(T) в донорном полупроводнике………………………………………………………...11
6. Расчет критической концентрации вырождения донорной примеси……………………………………………………………………………..14
7. Расчет равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока в p-n и n – областях p-n перехода при температуре Т=300К.....15
8. Нахождение высоты потенциального барьера равновесного p-n-перехода и контактную разность потенциалов…………………………………..16
9. Нахождение положения уровней Ферми в p-n-перехода и n-областях относительно потолка зоны проводимости и дна валентной зоны соответственно……………………………………………………………………..16
10. Нахождение толщины p-n-перехода в равновесном состоянии (Т=300К)………………………………………………………………………….....17
11. Определение толщины пространственного заряда в p-n-областях..17
12. Построение графика 5 «Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии»…………………………………………………………..18
13. Нахождение максимальной напряженности электрического поля в равновесном p-n-переходе. Построение графика 6 «Зависимость напряженности электростатического поля от расстояния в p-n-переходе»…... 19
14. Нахождение падение потенциала в p-n-областях пространственного заряда p-n-перехода………………………………………… 19
15. Построение графика 6 «Зависимость потенциала в p-n-областях от расстояния»…………………………………………………………………………19
16. Вычисление барьерной емкости p-n-перехода в расчете на S=1 см²…………………………………………………………………………………...20
17. Вычисление коэффициента диффузии для электронов и дырок ( в см²/с) и диффузионную длину для электронов и дырок………………………. 21
18. Вычисление электропроводности и удельного сопротивления собственного полупроводника, полупроводника n-и p-типа……………………22
19. Определение величины плотности обратного тока p-n-перехода....22
20. Построение обратной ветви ВАХ p-n-перехода, Т=300 К………....23
21. Построение прямой ветви ВАХ p-n-перехода, Т=300 К…………...24
22. Вычисление отношения jпр/jобри…………………………………. 25
Заключение……………………………………………………………….…26
Список литературы…………………