Расчет зарядной емкости P-N-перехода и характеристик полевого транзистора

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 15 Декабря 2011 в 14:53, курсовая работа

Описание работы

Основным материалом, для создания полупроводникового прибора, являются различные полупроводники, т.е. это кристаллические или аморфные вещества. Для них характерна сильная зависимость сопротивления от температуры, напряженности электрического и магнитного полей, освещенности, механических напряжений, воздействие электромагнитных излучений и т.п.
В данной курсовой работе рассматривается структура и принцип действия полевого транзистора, его основные характеристики, а также расчет основных параметров.

Содержание работы

ВВЕДЕНИЕ
РАЗДЕЛ 1. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Ширина p-n перехода. Зарядная емкость p-n перехода
Принцип действия полевого транзистора
Основные характеристики
РАЗДЕЛ 2. РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ
Расчет зависимости зарядной емкости кремниевого p-n перехода от приложенного напряжения
Расчет крутизны выходной ВАХ
ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ