Молекулярно-кинетическая теория роста кристаллов

Метод средних работ" отрыва применим при температуре Т = 0°К.

Согласно Фольмеру, при более высоких температурах  необходимо все ростовые вопросы разбирать с помощью химического (термодинамического) потенциала μ

где Vυ—величина, обратная концентрации насыщения в газовой фазе, соответствующая работе отрыва υ-й частицы, Vυ— объем, занимаемый колеблющейся частицей кристаллической структуры.

Введя химический потенциал, уравнение Томсона—Гиббса можно записать так:

где μ½—химический потенциал частицы в положении у полукристалла, μh — средний химический потенциал частицы на грани, находящейся на некотором расстоянии от центра кристалла (начала роста).

К сожалению, до настоящего времени  еще нет способа нахождения объемов, занимаемых отдельными колеблющимися частицами у поверхности кристалла, и поэтому попытки использования этой формулы не всегда себя оправдывают.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Заключение.

 

Как отмечалось, в настоящее время  еще нет удовлетворительной теории образования реального кристалла. Это результат прежде всего больших сложностей, которые таят в себе реальные кристаллы, содержащие множество самых разнообразных дефектов. Будучи порожденными в процессе кристаллизации, дефекты способны влиять на этот процесс. Поэтому следует рассматривать теорию кристаллизации, как частное выражение теории фазовых переходов непременно с учетом всех особенностей  кристаллического состояния. Однако такой учет не осуществлен ни одной из современных теорий. Все они исходят из ряда упрощающих  условия роста  предпосылок, что обеспечивает определенную, часто узкую область применения в практике кристаллизации. Каждая теория объясняет только одну сторону процесса кристаллизации (адсорбционную, диффузионную, дислокационную и т. п.). Одни подходят к решению* данной проблемы кристаллизации только с термодинамических позиций без учета особенностей  кристаллического строения вещества, другие, восполняя в некоторой степени этот пробел, рассматривают кристалл как идеальную  ненарушенную «решетку». Современная дислокационная теория учитывает только один тип дефектов — дислокации. Вероятно, можно ставить под сомнение возможность создания «универсальной»,  всеохватывающей теории роста кристаллов, учитывающей все  явления, связанные с ростом кристаллов. Тем не менее есть основание надеяться на то, что теория роста, максимально приближающая нас к практике кристаллизации, со временем будет создана.

 

 

Список литературы:

• Бакли Г. Рост кристаллов. М., ИЛ, 1954.
• Бюрен В. Дефекты в кристаллах. М., ИЛ, 1962.
• Варма А. Рост кристаллов и дислокации. М., ИЛ, 1958.
• Кузнецов В. Д. Кристаллы и кристаллизация. М., Гостехиздат, 1953.
• Леммлейн Г. Г. Секториальное строение кристаллов.
• Хонигман Б. Рост и форма кристаллов. М., ИЛ, 1961.
• Шафрановский И. И. Кристаллы минералов. Изд-во ЛГУ, 1961.
• Шубников А. В. Как растут кристаллы. М. — Л., Изд-во АН СССР, 1935.
• Козлова О. Г. Рост кристаллов