Режим работы транзистора

write('  Введите сопротивление  коллектора Rк=');readln(r3);

write('  Введите коэффициент передачи тока эмиттера А=');readln(a);

clear;                {очистка экрана}

if n=1 then           {расчет для схемы с ОЭ}

 begin

  y:=r1+r3-a*r3;

  h1:=r2+r1*r3/y;

  h2:=r1/y;

  h3:=(a*r3-r1)/y;

  h4:=1/y;

end;

 if n=2 then           {расчет для схемы с ОБ}

 begin

  y:=r2+r3;

  h1:=r1+((1-a)*r2*r3)/y;

  h2:=r2/y;

  h3:=-(r2+a*r3)/y;

  h4:=1/y;

end;

 if n=3 then           {расчет для схемы с ОК}

 begin

  y:=r1+r3-a*r3;

  h1:=r2+r1*r3/y;

  h2:=r3*(1-a)/y;

  h3:=-r3/y;

  h4:=1/y;

end;

clear;            {очистка экрана}

 textColor(0);

{вывод результатов расчета}

tell(5,4,'Результаты расчета:',1);

writeln('     Входное сопротивление  h11=',h1);

writeln('     Коэффициент обратной  связи по напряжению h12=',h2);

writeln('     Коэффициент передачи  по току h21=',h3);

writeln('     Выходная проводимость h22=',h4);

ch1:=readKey;    {ожидание нажатия  клавиши}

end;

 

 

procedure h_po_fiz; {расчет физ. парам.  транз. по h-параметрам}

var n:byte;

    h1,h2,h3,h4,r1,r2,r3,r4,a:real;

begin

clear;            {очистка экрана}

tell(5,4,'РАСЧЕТ ФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ  ТРАНЗИСТОРА ПО h-ПАРАМЕТРАМ:',0);

tell(5,6,'Выберите вариант схемы  включения:',0);

tell(15,7,'[1]...С общей базой',1);

tell(15,8,'[2]...С общим эмиттером',1);

repeat

  ch1:=readKey;             {ожидание нажатия клавиши}

  if ch1='1' then n:=1;

  if ch1='2' then n:=2;

until (ch1='1')or(ch1='2');

writeln;

if n=1 then writeln(' Выбрана схема с ОБ');

if n=2 then writeln(' Выбрана схема с ОЭ');

writeln;

 textColor(0);

write('  Введите входное сопротивление h11=');readln(h1);

write('  Введите коэффициент обратной  связи по напряжению h12=');readln(h2);

write('  Введите коэффициент передачи  по току h21=');readln(h3);

write('  Введите коэффициент входную  проводимость h22=');readln(h4);

if n=1 then               {расчет для схемы с ОБ}

 begin

  r1:=h1-(1+h3)*h2/h4;

  r2:=h2/h4;

  r3:=(1-h2)/h4;

  r4:=-(h2+h3)/h4;

  a:=-(h2+h3)/(1-h2)

 end;

if n=2 then               {расчет для схемы с ОЭ}

 begin

  r1:=h2/h4;

  r2:=h1-(1+h3)*h2/h4;

  r3:=(1+h3)/h4;

  r4:=(h2+h3)/h4;

  a:=(h2+h3)/(1+h3)

end;

clear;              {очистка экрана}

 textColor(0);

{вывод результатов расчета}

tell(5,4,'Результаты расчета:',1);

writeln('     Сопротивление  эмиттера Rэ=',r1:3:3);

writeln('     Сопротивление  базы Rб=',r2:3:3);

writeln('     Сопротивление  коллектора Rк=',r3:3:3);

 

writeln('     Сопротивление  Rм=',r4:3:3);

writeln('     Коэффициент передачи  тока эмиттера А=',a:3:3);

ch1:=readKey;       {ожидание  нажатия клавиши}

 

end;

 

procedure tranzMenu;  {процедура меню расчета транзистора}

begin

clear;             {очистка экрана}

 

tell(5,5,'ВАРИАНТЫ РАСЧЕТА ТРАНЗИСТОРА:',0);

tell(10,6,'[1] ... Расчет физических параметров  по h-параметрам',1);

tell(10,7,'[2] ... Расчет h-параметров по  физическим параметрам',1);

tell(5,10,'Другие клавиши - возврат в главное меню',8);

 

ch1:=readKey;               {ожидание нажатой клавиши}

if ch1='1' then h_po_fiz;    {если нажата 1, то вызов процедуры h_po_fiz }

if ch1='2' then fiz_po_h;    {если нажата 2, то вызов процедуры fiz_po_h}

{если нажата другая клавиша,  то возврат в главное меню}

end;

 

 

procedure diodParam;      {процедура  расчета характеристик диода}

var It,It0,Io,Io0,t,I,U,r:real;

begin

clear;                  {очистка экрана}

tell(5,5,'Расчет характеристик диода',0);

writeln;

textColor(1);

{ввод данных для расчета}

write(' Введите тепловой ток диода  при t=20 град.С Iт(to)=');read(It0);

write(' Введите обратный ток диода  при t=20 град.С Iобр(to)=');read(Io0);

write(' Введите рабочую температуру,  град.С. t=');read(t);

write(' Введите ток проходящий  через диод, А I=');read(I);

write(' Введите сопротивление базы, Ом rб=');read(r);

 

clear;    {очистка экрана}

{расчет и вывод результатов}

 

tell(5,5,'Результаты расчета:',0);

 textColor(1);

It:=It0*exp(0.09*(t-20));

 writeln('      Тепловой ток при температуре t=',t:3:2,' град.С.');

writeln('       Для германиевых  диодов It=',It);

 It:=It0*exp(0.13*(t-20));

 writeln('       Для кремниевых диодов It=',It);

writeln;

writeln('      Обратный ток  при температуре t=',t:3:2,' град.С.');

 Io:=Io0*exp((t-20)/9);

 writeln('       Для германиевых диодов Iобр=',Io);

 Io:=Io0*exp((t-20)/6.5);

 writeln('       Для кремниевых диодов Iобр=',Io);

readKey;       {ожидание  нажатия клавиши}

end;

 

procedure menu;      {процедура  главного меню программы}

begin

repeat              {цикл опроса меню}

  textBackGround(7);  {серый цвет фона}

  clrscr;             {очистка экрана}

  textColor(0);       {черный  цвет символов}

  textBackGround(3);  {голубой цвет  фона}

  writeln('           ПРОГРАММА РАСЧЕТА ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ            ');

  textBackGround(7);  {серый цвет фона}

  tell(10,5,'Произвести рассчет:',0);

  tell(20,6,'[1] ............ Диода',1);

  tell(20,7,'[2] ...... Транзистора',1);

  tell(10,10,'Для выбора нажмите соответствующую клавишу',8);

  tell(10,12,'[пробел] ... Выход из программы',1);

  ch:=readKey;                    {ожидание нажатия клавиши}

 

  if ch='1' then diodParam;   {если нажата 1, то вызов процедуры diodParam}

  if ch='2' then tranzMenu;   {если нажата 2, то вызов процедуры tranzMenu}

  until ch=' ';      {если  нажат пробел, то выход из цикла  меню}

end;

 

BEGIN      {начало программы}

menu;                {вызов процедуры главного меню  программы}

textBackGround(0);   {черный цвет фона}

textColor(15);       {белый цвет символов}

clrScr;              {очистка экрана}

END.        {конец программы}

 

 

 

 

 

 

Заключение

 В данной работе я показал в большей степени не использование полупроводников в технике, а азы физики и теории  диодов и транзисторов без которых мы не можем представить современный мир. Приведенная в данной работе программа охватывает лишь малую часть всех характеристик диода и транзистора, поэтому  по ней нельзя в полной мере судить о применение того или иного диода или транзистора в различных схемах. Но может помочь в расчетах других параметров. Теория может быть полезна для понимания  принципа действия  данных полупроводниковых приборов и расширения их применения, как в выпрямительных, так и в усилительных каскадах.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Список  использованной литературы:

1. http://dssp.petrsu.ru/book/ - Твердотельная электроника

2. Г.Г. Шишкина “Электронные приборы” Москва 1989г

3. Савельев  И.В. “Курс общей физики “(т 3)  М. Наука 1987г