Выбор основного и вспомогательного оборудования тепловоза

Расчет параметров и характеристик диода выполняем в предположении, что диод является кремниевым и имеет кусочно-однородную структуру типа p+-n.
Исходными данными для расчетов: геометрия кристалла – параллелепипед с квадратным основанием A=1.2 〖см〗^2, толщина базы W_б=282(мкм),концентрация N_б=〖10〗^6 (〖см〗^(-3)); примесных атомов в эмиттерной области N_э=〖10〗^17 (〖см〗^(-3) ); время жизни неравновесных носителей в исходном кремнии t_б=9(мкс); тепловое сопротивление корпуса диода R_т=1.5 к/Вт,концентрация собственных носителей в полупроводнике n_соб=1.4×〖10〗^10 〖(см)〗^(-3);