Шпаргалка по "Схемотехнике управляющих систем"

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 21 Января 2014 в 16:02, шпаргалка

Описание работы

Работа содержит ответы на вопросы для экзамена (зачета) по "Схемотехнике управляющих систем"

Файлы: 14 файлов

1,2,3,4,33.doc

— 216.00 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)

32,38,39,40,45,46.doc

— 106.00 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)

36-37,29-31.doc

— 4.97 Мб (Просмотреть файл, Скачать файл)

41,42,43,44.doc

— 374.50 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)

53-55.doc

— 39.00 Кб (Скачать файл)

53

Проектирование блока ОЗУ на м/сх статических ОЗУ.

Состоит из

- модуль ОЗУ

- буфер данных и шина

- система управления

Модуль ОЗУ предназначен для запоминания слова заданной размерности. Разрядность определяется шиной данных. Если инф. емкость , разработанного ОЗУ (1 стр. памяти), оказывается недостаточной, то можно увеличить  инф. емкость за счет добавления других страниц. При этом старшие разряды шины адреса, кот. не подаются непосредственно на м/сх  памяти, используется для адресации страниц. При построении 1 стр. памяти адресные входы м/сх включаются параллельно. Входы DI и выходы DO образуют шину данных , поэтому не включается в шину параллельно.

ША=16р

    А15  А14  А13  А12

CS1 CS2 CS3 …CS15

0    0     0   0

0    0   0   1

0    0   1   0

. . . . . . . . .

1    1   1   1

0    1     1        1

1     0     1        1

1     1     0        1

. . . . . . . . .

1      1      1      0


 

 

 

 

 

 

54

М/сх динамических ОЗУ. Элемент памяти. Режимы работы. УГО.

Элемент памяти состоит: 
- конденсатор

- управляющий ключ на МОП транзистроре

ЛВi – линия выбора элемента памяти. Исток ключа подключен к линии записи считывания ЛЗСj

Запись инф.:

1 активизируется линия тран-ра и появляется возможность записи.

UЛЗС = “1”    UСз =’1’

UЛЗС = “0”    UСз =’0’

 

УГО  К565РУ3

 

RAS, CAS – стробирующие входы для записи адреса в м/сх

RAS  актив – адрес подается строки матрицы накопителя

СAS - на столбцы

Информационная емкость I=214 =16 Кбит

 

Режимы работы

1 - запись одного разряда данных

2 - чтение одного разряда данных

3 - считывание, модификация, запись

4 - страничное считывание

5 - страничная запись

6 - режим регенерации

 

 

 

55

Микросхемы постоянных ЗУ. Классификация  ПЗУ. Структурная схема. УГО. Таблица  режимов работы ПЗУ.

Постоянная  инф. , кот. с течением времени не меняется. Поэтому п/проводниковые м/сх ПЗУ работают в 2 режимах: считывание и хранение.

Все м/сх ПЗУ  являются многоразрядными, т.е. в них  по n – разрядному адресу находится m- разрядное слово данных. Поэтому м/сх преобразователями кода адреса в код данных.

По способу  программирования делятся на 3 группы:

1) Масочные ПЗУ (ПЗУМ, ROM) - ПЗУ однократно программируемые заводом изготовителем, по методу фотошаблона или маски.

2) ППЗУ, PROM – ПЗУ однократно программируемые пользователем методом пережигания плавких перемычек.

3) Репрограммируемые ПЗУ - РПЗУ,EPROM – ПЗУ многократно программируемые пользователем.


9,10,11,12,34.doc

— 96.50 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)

ВОПРОСЫ ПО КУРСУ.doc

— 34.50 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)

Информация о работе Шпаргалка по "Схемотехнике управляющих систем"