Технология материалов и изделий электронной техники

6. Saint-Goban Ceramics and Plastics, Inc., Haerle Andrew G., Buckley Richard F., Hengst Richard R. Метод обработки деталей, используемых при производстве полупроводников. Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby : Пат. 6825123 США, МПК⁷ H 01 L 21/311; - N 10/414563; Заявл. 15.04.2003; Опубл. 30.11.2004; НПК 438/695

7. Barnes Michael S., Holland John P., Mui David S. L., Liu Wei. Мониторинг обработки подложки с помощью детектирования отражнного дифракционного света. Monitoring substrate processing by detecting reflectively diffracted light : Пат. 6849151 США, МПК⁷ H p5 H 1/00%C 23 C 16/00; - N 10/215065; Заявл. 07.08.2002; Опубл. 01.02.2005; НПК 156/345.24

8. Cowan Thomas E., Roth Markus, Audebert Patrick. Метод и аппаратура для нанометрового фокусирования и создания рисунка пучками протонов и ионов с энергией в несколько МэВ и сверхнизкой расходимостью от лазерного ионного диода. Method and apparatus for nanometer-scale focusing and patterning of ultra-low emittance, multi-mev proton and ion beams from a laser ion diode : Пат. 6852985 США, МПК⁷ H 01 L 21/26%C 23 C 14/00; - N 10/361152; Заявл. 05.02.2003; Опубл. 08.02.2005; НПК 250/423P

9. Bien D. C. S., Rainey P. V., Mitchell S. J. N., Gamble H. S. Характеристика маскирующих материалов для глубокой микрообработки стекла. Characterization of masking materials for deep glass micromachining. Structures, Devices and Systems. - 2003. - 13, № 4. - С. S34-S40.

10. Kluth O., Rech B., Houben L., Wieder S., Schöpe G., Beneking C., Wagner H., Löff A., Schock H. W. Подложки из текстурно-травленого ZnO:Al на стекле для тонкопленочных солнечных элементов на основе кремния. Texture etched ZnO:Al coated glass substrates for silicon based thin film solar cells. Thin Solid Films. - 1999. - 351, 1-2. - С. 247-253

11. Ding Y., Jiang S., Luo T., Hu Y., Peyghambarian N.. Оптические волноводы, полученные в теллуритных стеклах с легированием Er³⁺ с помощью Ag⁺-Na⁺-ионного обмена. Optical waveguides prepared in Er³⁺-doped tellurite glass by Ag⁺-Na⁺ ion-exchange. Ding Y., Jiang S., Luo T., Hu Y., Peyghambarian N. Proc. SPIE. - 2001. - 4282. - С. 23-30.

12. Ronchin Sabina, Chiasera Alessandro, Montagna Maurizio, Rolli Raffaella, Tosello Cristiana, Pelli Stefano, Righini Giancarlo C., Gonзalves Rogeria R., Ribeiro Sidney, De Bernardi Carlo, Pozzi Fabio, Duverger Claire, Belli Romina, Ferrari Maurizio. Активированные эрбием планарные волноводы из диоксида кремния/оксида титана, изготовленные с помощью ВЧ-распыления. Erbium-activated silica-titania planar waveguides prepared by rf-sputtering. Proc. SPIE. - 2001. - 4282. - С. 31-39.

13. Подвязный А. А., Свистунов Д. В. О формировании ионообменных волноводов в стеклах при использовании серебросодержащих расплавов. Письма в ЖТФ. - 2003. - 29, № 11. - С. 35-40.

14. Fujimoto H. H., Das S. Способ изготовления волноводов оптических ИС. Method of forming an integrated circuit waveguide : Пат. 5465860 США, МКИ⁶ G 23 F 1/02; Intel Corp. - N 270051; Заявл. 1.7.94; Опубл. 14.11.95; НКИ 216/24

15. Tohyama Masaki, Hirayama Yuzo; K. K. Toshiba. Оптический полупроводниковый прибор и способ его изготовления. Optical semiconductor device and method of fabricating the same : Пат. 5901265 США, МПКМПК⁶ G 02 B 6/10 / - N 08/975158; Заявл. 20.11.97; Опубл. 4.5.99; Приор. 15.3.95, N 7-055953 (Япония); НПК 385/131

16. P. L., Ruнz E., Garrido J., Castaño J. L., Garcнa B. J. Выращивание канальных волноводов селективной химической лучевой эпитаксией. Channel waveguides grown by selective area chemical beam epitaxy: [Symposium G of the E-MRS-IUMRS-ICEM Spring Conference, Optoelectronics 1: Materials and Technologies for Optoelectronic Devices, Strasbourg, May 30 - June 2, 2000]. Opt. Mater. - 2001. - 17, № 1-2. - С. 259-262.

17. Drake John Paul; Bookham Technology Ltd. Технология изготовления оптических волноводов. Process for making optical waveguides: Заявка 2344933 Великобритания, МПК⁷ G 02 B 6/30 / - N 9827504.3; Заявл. 14.12.1998; Опубл. 21.06.2000; НПК H1K

18. Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. Усиленное пучком ионов химическое травление ИАГ-Nd для оптических волноводов. Ion beam enhanced chemical etching of Nd:YAG for optical waveguides. - 1997. - 127—128. - С. 507—511.

19. Gonella F., Knystautas E. J., Mattei G., Mazzoldi P., Meneghini C., Cattaruzza E., Garrido F., Osborne D. H.. Облучение стеклянных волноводов ионами с малой массой для образования квантовых точек меди. Low-mass ion irradiation of glass waveguides for Cu quantum-dots formation. Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. - 1997. - 127—128. - С. 562—565.

20. Cook J. P. D., Este G. O., Shepherd F. R., Westwood W. D., Arrington J., Moyer W., Nurse J., Powell S. Стабильные оптические волноводы и микрозеркала с малыми потерями, изготовленные в акрилатных полимерах. Stable, low-loss optical waveguides and micromirrors fabricated in acrylate polymers. Appl. Opt. - 1998. - 37, № 7. - С. 1220—1226.

21. Арефьев А. С., Антошкин В. А., Юдаев Ю. А. Расчет траекторий движения заряженных частиц в электронных приборах сложной конструкцию. Вестн. РГРТА. - 1999. - № 6. - С. 63-68, 108.

22. 02 Marconi M. C., Moreno C. H., Rocca J. J., Shlyaptsev V. N., Osterheld A. L. Динамика плазмы микрокапиллярного разряда, полученная с помощью осветителя - лазера мягкого рентгеновского излучения. Dynamics of a microcapillary discharge plasma using a soft X-ray laser backlighter. Phys. Rev. E. - 2000. - 62, № 5, Pt B. - С. 7209-7218.

23. Вольпяс В. А., Козырев А. Б. Физика слабоионизированной плазмы: прикладные вопросы ионно-плазменного распыления - СПб : ТОО „Складень“, 1997. - 130 с. ISBN 5-89028-005-8

24. Degeling A. W., Sheridan T. E., Boswell R. W. Интенсивная генерация плазмы на оси и связанные с ней релаксационные колебания в большом геликонном объемном источнике. Intense on-axis plasma production and associated relaxation oscillations in a large volume helicon source. Phys. Plasm. - 1999. - 6, № 9. - С. 3664-3673.

25. Chen B. X., Liu G. Y., Xia S. H., Su J., Lu Y. J., Huang L. S., Wang J. Y. Приближенные методы расчетов времени пролета электронов в вакуумных микроэлектронных приборах. Approximate calculating methods concerning the electron transit time for a vacuum microelectronics triode. J. Phys. D. - 2000. - 33, № 4. - С. L39-L43.

26. Gan S., Li L., Nguyen T., Qi H., Hicks R. F., Yang M. Сканирующая туннельная микроскопия поверхностей (100)германия, очищенных химическим способом. Scanning tunneling microscopy of chemically cleaned germanium (100) surfaces. Surface Sci. - 1998. - 395, 1. - С. 69—74.

27. Muscat Anthony J., Thorsness Adam G., Montano-Miranda Gerardo. Охарактеризование остатков, формирующихся при травлении легированных оксидов безводным фторводородом. Characterization of residues formed by anhydrous hydrogen fluoride etching of doped oxides : Докл. [47 International Symposium of AVS, Boston, Mass., 2-6 Oct., 2000. Pt II] - 2001. - 19, № 4, ч. 2. - С. 1854-1861

28. Li Shenping, Chan K. T. Многоволновой волоконный кольцевой лазер с активной синхронизацией мод и электрической перестройкой длины волны излучения. Electrical wavelength tunable and multiwavelength actively mode-locked fiber ring laser. Appl. Phys. Lett. - 1998. - 72, № 16. - С. 1954—1956.

29. J. P. D., Este G. O., Shepherd F. R., Westwood W. D., Arrington J., Moyer W., Nurse J., Powell S. Стабильные оптические волноводы и микрозеркала с малыми потерями, изготовленные в акрилатных полимерах. Stable, low-loss optical waveguides and micromirrors fabricated in acrylate polymers. Cook. Appl. Opt. - 1998. - 37, № 7. - С. 1220—1226

30. Ma Hui-lian, Yang Jian-yi, Jiang Xiao-qing, Wang Ming-hua. Оптимизация одномодовых оптических гребенчатых волноводов GaAs/GaAlAs с глубоким травлением посредством метода дискретного спектрального показателя преломления. Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond. - 2001. - 22, № 4. - С. 481—485.

31. Pedraza A. J., Fowlkes J. D., Jesse S., Mao C., Lowndes D. H. Микроструктурирование поверхности кремния излучением эксимерного лазера в химически активной атмосфере. Surface micro-structuring of silicon by excimer-laser irradiation in reactive atmospheres. Appl. Surface Sci. - 2000. - 168, № 1-4. - С. 251-257.

32. Vermelho M. V. D., De Araujo M. T., Gouveia E. A., Gouveia-Neto A. S., Aitchison J. S. Эффективная и усиливающаяся при нагреве апконверсия в скрытых волноводах из фосфосиликатного стекла на Si, активированных Tu³⁺ и Yb³⁺, при возбуждении на 1,064 мкм. Efficient and thermally enhanced frequency upconversion in Yb³⁺-sensitized Tm³⁺-doped silica-on-silicon buried waveguides excited at 1.064 мm . Opt. Mater. - 2001. - 17, № 3. - С. 419-423.

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

 

Расчет вакуумной системы

- площадь рабочей  камеры

- удельные газовыделения  камеры

- площадь изделия

- удельные газовыделения  изделия

- число течей вакуумной  камеры

- чувствительность 

- напуск газа

Скорость откачки высоковакуумного насоса

- рабочее давление  вакуумной камеры

- коэффициент запаса  для высоковакуумных насосов

Скорость откачки форвакуумного  насоса

- давление на выходе  высоковакуумного насоса

- поправочный коэффициент

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Время откачки высоковакуумным насосом

- приведенный обьем

Время откачки форвакуумным насосом

- обьем камеры

- начальное давление  в камере

- конечное давление  в камере