Расчет зарядной емкости P-N-перехода и характеристик полевого транзистора

При U₃=7:

[A]

[A]

[A]

[A]

[A]

[A]

[A]

[A]

Используя полученные данные, строим график зависимости  I_c=f(U_c):

 Используя полученный график зависимости I_c=f(U_c) определяем крутизну характеристики по формуле:

Используя полученные данные, строим график зависимости  g=f(U_з): 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ВЫВОДЫ

1. В данной курсовой работе был рассмотрен принцип действия полевого транзистора и его основные характеристики. По полученным данным построили графики зависимостей I_c=f(U_c) и g=f(U_з). Из графика крутизны видно, что с ростом напряжения на затворе крутизна характеристики уменьшается. Из графика ВАХ: с увеличением стокового напряжения наблюдается рост тока стока (I_c). Насыщение тока  I_c происходит при U_c близких к значению U_зо.
2. Расчет зависимости зарядной емкости (С₃) кремниевого p-n перехода от приложенного напряжения дал график зависимости: С₃=f(U). Из этого графика видно, что при увеличении обратного напряжения заряд уменьшается, это связано с увеличением ширины p-n перехода и наоборот.

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

    СПИСОК  ИСПОЛЬЗОВАНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

    1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 6-е изд., стер. – СПб.: Издательство «Лань», 2002. – 480 с., ил. – (Учебники для вузов. Специальная литература).

    2. Москатов Е.А. Электронная техника. – Таганрог, 2004. – 121 с.

    3. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и элементы: Учебное пособие – СПб.: Питер, 2003 – 512 с., ил.

    4. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей низкой частоты, 1968 г.

    5.  Зи С. Физика полупроводниковых приборов: 2-х т., том -1. М.: Мир, 1984 – 456 с.

    6. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов – М.: Сов. Радио, 1980 – 296 с.

    7. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике для инженеров и студентов вузов. – М.: Наука, 1979 – 942 с.

    8. Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990.

    9. Шур М. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х т., том – 1. М.: Мир, 1992 – 480 с.

    10. Брук В.А., Горшенин В.В., Курносов А.И. Производство полупроводниковых приборов. – М.: Высшая школа, 1973 – 264 с.