Расчет зарядной емкости P-N-перехода и характеристик полевого транзистора
Курсовая работа, 15 Декабря 2011, автор: пользователь скрыл имя
Описание работы
Основным материалом, для создания полупроводникового прибора, являются различные полупроводники, т.е. это кристаллические или аморфные вещества. Для них характерна сильная зависимость сопротивления от температуры, напряженности электрического и магнитного полей, освещенности, механических напряжений, воздействие электромагнитных излучений и т.п.
В данной курсовой работе рассматривается структура и принцип действия полевого транзистора, его основные характеристики, а также расчет основных параметров.
Содержание работы
ВВЕДЕНИЕ
РАЗДЕЛ 1. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Ширина p-n перехода. Зарядная емкость p-n перехода
Принцип действия полевого транзистора
Основные характеристики
РАЗДЕЛ 2. РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ
Расчет зависимости зарядной емкости кремниевого p-n перехода от приложенного напряжения
Расчет крутизны выходной ВАХ
ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Файлы: 1 файл
курмак коваленко 3 фбе.docx
— 371.13 Кб (Скачать файл)При U3=7:
[A]
[A]
[A]
[A]
[A]
[A]
[A]
[A]
Используя полученные данные, строим график зависимости Ic=f(Uc):
Используя полученный график зависимости Ic=f(Uc) определяем крутизну характеристики по формуле:
Используя
полученные данные, строим график зависимости
g=f(Uз):
ВЫВОДЫ
- В данной курсовой работе был рассмотрен принцип действия полевого транзистора и его основные характеристики. По полученным данным построили графики зависимостей Ic=f(Uc) и g=f(Uз). Из графика крутизны видно, что с ростом напряжения на затворе крутизна характеристики уменьшается. Из графика ВАХ: с увеличением стокового напряжения наблюдается рост тока стока (Ic). Насыщение тока Ic происходит при Uc близких к значению Uзо.
- Расчет зависимости зарядной емкости (С3) кремниевого p-n перехода от приложенного напряжения дал график зависимости: С3=f(U). Из этого графика видно, что при увеличении обратного напряжения заряд уменьшается, это связано с увеличением ширины p-n перехода и наоборот.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 6-е изд., стер. – СПб.: Издательство «Лань», 2002. – 480 с., ил. – (Учебники для вузов. Специальная литература).
2. Москатов Е.А. Электронная техника. – Таганрог, 2004. – 121 с.
3. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и элементы: Учебное пособие – СПб.: Питер, 2003 – 512 с., ил.
4. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей низкой частоты, 1968 г.
5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: 2-х т., том -1. М.: Мир, 1984 – 456 с.
6. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов – М.: Сов. Радио, 1980 – 296 с.
7. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике для инженеров и студентов вузов. – М.: Наука, 1979 – 942 с.
8. Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990.
9. Шур М. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х т., том – 1. М.: Мир, 1992 – 480 с.
10.
Брук В.А., Горшенин В.В.,
Курносов А.И. Производство полупроводниковых
приборов. – М.: Высшая школа, 1973 – 264 с.