Автор работы: Пользователь скрыл имя, 01 Июля 2013 в 22:51, дипломная работа
Современная тенденция рационального использования материальных ресурсов находит свое отражение в микроминиатюризации многих оптических и электронных устройств, применяемых в различных областях науки и техники. В связи с этим возрастает роль тонкослойных покрытий, позволяющих решать важные технические задачи с помощью компактных элементов при использовании минимального количества исходного материала. Для достижения заданного функционального назначения тонкослойных покрытий требуется соответствующее метрологическое обеспечение. При этом предъявляются повышенные требования к методам и средствам контроля их параметров и характеристик.
Введение 3
1 Физико-технологические особенности формирования композиционных углеродных покрытий и методы исследования их оптических характеристик 6
1.1 Экспериментальное оборудование для получения композиционных углеродных покрытий 6
1.1.1 Получение алмазоподобных пленок методом ионно-лучевого синтеза 12
1.1.2 Модернизация серийной вакуумной установки для получения алмазоподобных пленок лазерным методом 14
1.1.3 Комбинированный метод получения алмазоподобных пленок 15
1.2 Аппаратура для исследования структуры и состава углеродных алмазоподобных покрытий. 17
1.3 Методы исследования оптических характеристик углеродных алмазоподобных покрытий. 21
1.3.1 Спектральные методы определения основных оптических свойств тонких покрытий. 21
1.3.2 Эллипсометрические методы определения показателя преломления и коэффициента поглощения тонких покрытий: лазерная эллипсометрия, спектральная эллипсометрия. 25
2 Синтез композиционных углеродных покрытий и исследование их оптических характеристик 30
2.1 Синтез углеродных алмазоподобных покрытий импульсным катодно-дуговым распылением и с помощью углеродной плазмы. 30
2.2. Эллипсометрические методы определения основных оптических характеристик композиционных углеродных покрытий. 33
3 Исследование зависимости основных оптических характеристик композиционных углеродных покрытий от режимов и параметров их синтеза. 39
3.1 Эллипсометрические измерения оптических свойств композиционных углеродных покрытий 39
3.2 Спектрофотометрические измерения оптических характеристик композиционных углеродных покрытий 48
Заключение 51
Список использованных источников 52
Для нанесения алмазоподобных покрытий в данной работе использовалась установка УВНИПА-1-001.
Установка содержит:
Легированные металлами и азотом углеродные покрытия (C:Ме, C:Ме1:Ме2, C:N2, C:Ме:N2) формируются следующими основными методами:
Схема устройства для осаждения легированных покрытий представлена на рисунке 13.
1 – магнитные катушки; 2 – электродуговой
испаритель; 3 – источник плазмы
импульсного катодно-дугового
Рисунок 13 – Схема вакуумной установки, предназначенной для получения многослойных и легированных металл-углеродных покрытий
При реализации схемы, представленной на рисунке 13, формируются легированные системы. Использование в качестве материала катода сплавов, механической смеси металлов позволяет осаждать углеродные покрытия, легированные несколькими металлами. Концентрация легирующих элементов определяется составом распыляемой мишени и режимом испарения.
Нанесение покрытия осуществляется с помощью источника плазмы импульсного катодно-дугового разряда с центральным электродом из высокочистого графита марки МПГ-6 (99,999%) с плотностью 1,8 г/см3, являющимся катодом, который испаряется в процессе сильноточного дугового импульсного разряда. Этот разряд между анодом и катодом возбуждается с помощью специального устройства, которое обеспечивает стабильный поджиг основного разряда и задает частоту повторения инициирующих импульсов.
В результате пробоя вакуумного промежутка между анодом и катодом развивается сильноточный дуговой разряд в промежутке катод–анод, приводящий к испарению центрального электрода, созданию плазменного сгустка, переносу и конденсации последнего на подложке.
Формирование покрытий производится путем последовательного осуществления следующих операций:
В качестве материала подложек для покрытий использовался кремний.
Следует отметить, что предложенные варианты формирования легированных АПП позволяют реализовать различные условия и режимы протекающих на стадии генерации газовой фазы физико-химических процессов и, как следствие этого,- формировать слои с отличающимися составом, структурой и свойствами.
Эллипсометр представляет собой поляризационный гониометр, на подвижных плечах которого расположены поляризационные элементы: поляризатор, анализатор и компенсатор, а также источник света и фотодетектор. [56] Лимб гониометра обеспечивает установку заданного угла падения. Поляризационные элементы помещаются в собственные
лимбы, и могут свободно вращаться.
Источник света должен обеспечивать получение рабочего светового пучка с высокой степенью монохроматичности и узкой диаграммой направленности с тем, чтобы можно было считать волновой фронт плоским.
В качестве
поляризатора и анализатора
в исследовательских
Компенсатор представляет собой пластину из двулучепреломляющего кристалла, вырезанную и подобранную по толщине так, чтобы сдвиг фаз между необыкновенным и обыкновенным лучами составлял 90°. Нулевому отсчету азимута компенсатора соответствует плоскость, вдоль которой свет распространяется с наибольшей скоростью – так называемая быстрая ось компенсатора. Следует заметить, что для кристаллического компенсатора значения коэффициентов пропускания вдоль быстрой и медленной осей не совпадают, поэтому реальный компенсатор характеризуется, по крайней мере, двумя параметрами: сдвигом фаз δс и отношением коэффициентов пропускания вдоль быстрой и медленной осей рс
Образец устанавливается так, чтобы ось вращения плеч проходила через отражающую поверхность, а плоскость падения была ей перпендикулярна. Угол падения отсчитывается от перпендикуляра к отражающей поверхности; положительное направление углов поворота поляризационных элементов определяется правилом винта; отсчет начинается от плоскости падения.
Условная схема эллипсометра ЛЭФ-3М представлена на рисунке 14.
1 – источник излучения; 2 – модулятор; 3 – зеркальная диафрагма; 4 – экран; 5 – предметный столик; 6 – регистрирующие устройство
Рисунок 14 - Схема эллипсометра ЛЭФ-3М
Внешний вид эллипсометра ЛЭФ-3М-1 представлен на рисунке 15.
Рисунок 15 – Внешний вид эллипсометра ЛЭФ-3М-1
Принцип проведения эллипсометрического измерения состоит в следующем: поворотом поляризатора добиваются такой эллиптической поляризации при выходе компенсатора, т.е. в падающем на образец световом пучке, чтобы после отражения свет стал линейно поляризованным. В этом случае он может быть погашен путем соответствующего поворота анализатора и на выходе эллипсометра (на фотодетекторе) будет наблюдаться нулевая и(ли минимальная) интенсивность излучения. На отражающую поверхность подается линейно поляризованный свет с такой ориентацией плоскости поляризации, при которой после отражения свет стал так эллиптически поляризован, чтобы, пройдя компенсатор, он имел бы линейную поляризацию. Следовательно, и в этом случае отраженное излучение может быть погашено с помощью поворота анализатора. В силу этого обстоятельства описанная выше схема получила название нулевой эллипсометрической схемы. Ее главное достоинство состоит в том, что с помощью фотодетектора определяются положения поляризатора и анализатора, приводящие к минимуму интенсивности света на выходе прибора; сама по себе величина этой интенсивности не представляет интереса.
Как показал сравнительный анализ, нулевой метод обладает наивысшими метрологическими характеристиками.
Наибольшая точность метода обеспечивается при ориентации быстрой оси компенсатора ±45°. Именно так его устанавливают на эллипсометре. Изготовить идеальный компенсатор не удается; у реального компенсатора δс≠90о и рс≠1,0.
Обозначим азимуты поляризатора и анализатора в информативном положении (положение гашения) через Р и А. Если повернуть поляризатор или анализатор на 180°, то вновь достигается положение гашения. Все возможные положения поляризационных элементов, приводящие к гашению света на выходе эллипсометра, образует так называемые эллипсометрические зоны. Если такие положения разбить по угловым интервалам, в которые попадают азимуты поляризационных элементов, то образуется 8 зон, каждая из которых состоит из 4 подзон.
Наиболее важными выводами из такого рассмотрения является следующее: если измерены Р и А в какой либо подзоне то состояние поляризации отраженного света может быть однозначно определено только в том случае, если известны параметры компенсатора δс и рс .
Немонотонный характер измерения δс и рс указывает на существование нескольких причин нестабильности: кроме собственного изменения температуры в результате прогрева прибора, возможно, происходит незначительный поворот компенсатора из-за неравномерного нагревания плеч эллипсометра. Эти результаты показывают, что использование однозонной методики возможно только при условии тщательной температурной стабильности компенсатора и, по-видимому, всего прибора в целом. В противном случае необходимо измерять положение гашения в двух разных зонах.
Спектральный эллипсометр ESM-
Спектральный эллипсометр ESM-
Рисунок 16 - Внешний вид спектрального эллипсометра ESM-512 c источником питания
В эллипсометрии измеряется относительный фазовый сдвиг двух ортогонально поляризованных компонент и их относительное изменение при взаимодействии пучка с образцом. Для эллипсометрии с конфигурацией поляризатор- образец- анализатор интенсивность света на фотодетекторе определяется формулой:
(14)
где P и A – азимуты поляризатора и анализатора; I 0 - коэффициент, не зависящий от P и A; Ψ и Δ - эллипсометрические углы, определяющие отношение комплексных амплитудных коэффициентов отражения rp и rs для p и s поляризаций:
В данной модели спектрального эллипсометра используется оригинальный метод поляризационно-оптических измерений с переключением состояния поляризации, в котором на исследуемый образец попеременно направляется излучение с двумя ортогональными состояниями поляризации с азимутами P и P + 900 и анализируются сигналы на фотоприемниках для азимутов анализатора A и A + 900:
(A,P)
(A+90, P)
(16)
(A, P+90)
(A+90, P+90)
ha - коэффициент, характеризующий отношение чувствительностей 2-х каналов в анализаторе.
Для каждого из азимутов P и P + 900 измеряется отношение сигналов на фотоприемниках при азимутах анализатора А и А+ 900. По измеренным отношениям и определяются эллипсометрические параметры Ψ и Δ из соотношений:
(17)
(4)
здесь
; ; ;
Для выбранной модели образца по измеренным величинам Ψ и Δ параметры слоев могут быть рассчитаны из известных эллипсометрических уравнений.
Важная черта эллипсометрических методов состоит в том, что измеряемыми величинами являются углы, разности фаз и отношения амплитуд компонент световой волны. Вид эллипсометра ЛЭФ-3М-1, на котором проводились измерения оптических параметров полученных при различном давлении азота алмазоподобных пленок, легированных азотом, представлен на рисунке 17.
Информация о работе Оптические свойства композиционных углеродных покрытий