Оптические свойства композиционных углеродных покрытий
Дипломная работа, 01 Июля 2013, автор: пользователь скрыл имя
Описание работы
Современная тенденция рационального использования материальных ресурсов находит свое отражение в микроминиатюризации многих оптических и электронных устройств, применяемых в различных областях науки и техники. В связи с этим возрастает роль тонкослойных покрытий, позволяющих решать важные технические задачи с помощью компактных элементов при использовании минимального количества исходного материала. Для достижения заданного функционального назначения тонкослойных покрытий требуется соответствующее метрологическое обеспечение. При этом предъявляются повышенные требования к методам и средствам контроля их параметров и характеристик.
Содержание работы
Введение 3
1 Физико-технологические особенности формирования композиционных углеродных покрытий и методы исследования их оптических характеристик 6
1.1 Экспериментальное оборудование для получения композиционных углеродных покрытий 6
1.1.1 Получение алмазоподобных пленок методом ионно-лучевого синтеза 12
1.1.2 Модернизация серийной вакуумной установки для получения алмазоподобных пленок лазерным методом 14
1.1.3 Комбинированный метод получения алмазоподобных пленок 15
1.2 Аппаратура для исследования структуры и состава углеродных алмазоподобных покрытий. 17
1.3 Методы исследования оптических характеристик углеродных алмазоподобных покрытий. 21
1.3.1 Спектральные методы определения основных оптических свойств тонких покрытий. 21
1.3.2 Эллипсометрические методы определения показателя преломления и коэффициента поглощения тонких покрытий: лазерная эллипсометрия, спектральная эллипсометрия. 25
2 Синтез композиционных углеродных покрытий и исследование их оптических характеристик 30
2.1 Синтез углеродных алмазоподобных покрытий импульсным катодно-дуговым распылением и с помощью углеродной плазмы. 30
2.2. Эллипсометрические методы определения основных оптических характеристик композиционных углеродных покрытий. 33
3 Исследование зависимости основных оптических характеристик композиционных углеродных покрытий от режимов и параметров их синтеза. 39
3.1 Эллипсометрические измерения оптических свойств композиционных углеродных покрытий 39
3.2 Спектрофотометрические измерения оптических характеристик композиционных углеродных покрытий 48
Заключение 51
Список использованных источников 52
Файлы: 1 файл
Оптические свойства композиионных углеродных покрытий.docx
— 1.72 Мб (Скачать файл)Для нанесения алмазоподобных покрытий в данной работе использовалась установка УВНИПА-1-001.
Установка содержит:
- газовый ионный источник типа «АИДА», с помощью которого производится очистка и нагрев подложек и, что особенно важно, введение в состав растущего покрытия азота;
- источник плазмы стационарного катодно-дугового разряда с металлическим катодом,
- источник плазмы импульсного катодно-дугового разряда с катодом из графита, используемого для нанесения углеродных покрытий.
Легированные металлами и азотом углеродные покрытия (C:Ме, C:Ме1:Ме2, C:N2, C:Ме:N2) формируются следующими основными методами:
- покрытия формируются одновременным нанесением углерода из источника плазмы импульсного катодно-дугового разряда с графитовым катодом и металла с помощью электродугового испарения металличесого катода;
- покрытия формируются из плазмы импульсного катодно-дугового разряда с помощью устройства, имеющего составной катод из графита и легирующего металла;
- покрытия формируются одновременным осаждением углерода из импульсной катодной плазмы, металла из потока, генерируемого электродуговым испарением, и одновременной имплантацией атомов азота с помощью ионного источника;
- покрытия формируются одновременным осаждением углерода из импульсной катодной плазмы, металла из потока, генерируемого электродуговым испарением, и в условиях введения азота путём его напуска в камеру.
Схема устройства для осаждения легированных покрытий представлена на рисунке 13.
1 – магнитные катушки; 2 – электродуговой
испаритель; 3 – источник плазмы
импульсного катодно-дугового
Рисунок 13 – Схема вакуумной установки, предназначенной для получения многослойных и легированных металл-углеродных покрытий
При реализации схемы, представленной на рисунке 13, формируются легированные системы. Использование в качестве материала катода сплавов, механической смеси металлов позволяет осаждать углеродные покрытия, легированные несколькими металлами. Концентрация легирующих элементов определяется составом распыляемой мишени и режимом испарения.
Нанесение покрытия осуществляется с помощью источника плазмы импульсного катодно-дугового разряда с центральным электродом из высокочистого графита марки МПГ-6 (99,999%) с плотностью 1,8 г/см3, являющимся катодом, который испаряется в процессе сильноточного дугового импульсного разряда. Этот разряд между анодом и катодом возбуждается с помощью специального устройства, которое обеспечивает стабильный поджиг основного разряда и задает частоту повторения инициирующих импульсов.
В результате пробоя вакуумного промежутка между анодом и катодом развивается сильноточный дуговой разряд в промежутке катод–анод, приводящий к испарению центрального электрода, созданию плазменного сгустка, переносу и конденсации последнего на подложке.
Формирование покрытий производится путем последовательного осуществления следующих операций:
- Производится откачка вакуумной камеры до остаточного давления 5 ·10-3 Па.
- Осуществляются очистка и нагрев подложки с помощью ионного источника АИДА.
- Наносится подслой Тi или TiN дуговым методом с сепарацией капельной фазы для улучшения адгезии
- Наносятся легированные углеродные покрытия.
В качестве материала подложек для покрытий использовался кремний.
Следует отметить, что предложенные варианты формирования легированных АПП позволяют реализовать различные условия и режимы протекающих на стадии генерации газовой фазы физико-химических процессов и, как следствие этого,- формировать слои с отличающимися составом, структурой и свойствами.
2.2. Эллипсометрические методы определения основных оптических характеристик композиционных углеродных покрытий.
Эллипсометр представляет собой поляризационный гониометр, на подвижных плечах которого расположены поляризационные элементы: поляризатор, анализатор и компенсатор, а также источник света и фотодетектор. [56] Лимб гониометра обеспечивает установку заданного угла падения. Поляризационные элементы помещаются в собственные
лимбы, и могут свободно вращаться.
Источник света должен обеспечивать получение рабочего светового пучка с высокой степенью монохроматичности и узкой диаграммой направленности с тем, чтобы можно было считать волновой фронт плоским.
В качестве
поляризатора и анализатора
в исследовательских
Компенсатор представляет собой пластину из двулучепреломляющего кристалла, вырезанную и подобранную по толщине так, чтобы сдвиг фаз между необыкновенным и обыкновенным лучами составлял 90°. Нулевому отсчету азимута компенсатора соответствует плоскость, вдоль которой свет распространяется с наибольшей скоростью – так называемая быстрая ось компенсатора. Следует заметить, что для кристаллического компенсатора значения коэффициентов пропускания вдоль быстрой и медленной осей не совпадают, поэтому реальный компенсатор характеризуется, по крайней мере, двумя параметрами: сдвигом фаз δс и отношением коэффициентов пропускания вдоль быстрой и медленной осей рс
Образец устанавливается так, чтобы ось вращения плеч проходила через отражающую поверхность, а плоскость падения была ей перпендикулярна. Угол падения отсчитывается от перпендикуляра к отражающей поверхности; положительное направление углов поворота поляризационных элементов определяется правилом винта; отсчет начинается от плоскости падения.
Условная схема эллипсометра ЛЭФ-3М представлена на рисунке 14.
1 – источник излучения; 2 – модулятор; 3 – зеркальная диафрагма; 4 – экран; 5 – предметный столик; 6 – регистрирующие устройство
Рисунок 14 - Схема эллипсометра ЛЭФ-3М
Внешний вид эллипсометра ЛЭФ-3М-1 представлен на рисунке 15.
Рисунок 15 – Внешний вид эллипсометра ЛЭФ-3М-1
Принцип проведения эллипсометрического измерения состоит в следующем: поворотом поляризатора добиваются такой эллиптической поляризации при выходе компенсатора, т.е. в падающем на образец световом пучке, чтобы после отражения свет стал линейно поляризованным. В этом случае он может быть погашен путем соответствующего поворота анализатора и на выходе эллипсометра (на фотодетекторе) будет наблюдаться нулевая и(ли минимальная) интенсивность излучения. На отражающую поверхность подается линейно поляризованный свет с такой ориентацией плоскости поляризации, при которой после отражения свет стал так эллиптически поляризован, чтобы, пройдя компенсатор, он имел бы линейную поляризацию. Следовательно, и в этом случае отраженное излучение может быть погашено с помощью поворота анализатора. В силу этого обстоятельства описанная выше схема получила название нулевой эллипсометрической схемы. Ее главное достоинство состоит в том, что с помощью фотодетектора определяются положения поляризатора и анализатора, приводящие к минимуму интенсивности света на выходе прибора; сама по себе величина этой интенсивности не представляет интереса.
Как показал сравнительный анализ, нулевой метод обладает наивысшими метрологическими характеристиками.
Наибольшая точность метода обеспечивается при ориентации быстрой оси компенсатора ±45°. Именно так его устанавливают на эллипсометре. Изготовить идеальный компенсатор не удается; у реального компенсатора δс≠90о и рс≠1,0.
Обозначим азимуты поляризатора и анализатора в информативном положении (положение гашения) через Р и А. Если повернуть поляризатор или анализатор на 180°, то вновь достигается положение гашения. Все возможные положения поляризационных элементов, приводящие к гашению света на выходе эллипсометра, образует так называемые эллипсометрические зоны. Если такие положения разбить по угловым интервалам, в которые попадают азимуты поляризационных элементов, то образуется 8 зон, каждая из которых состоит из 4 подзон.
Наиболее важными выводами из такого рассмотрения является следующее: если измерены Р и А в какой либо подзоне то состояние поляризации отраженного света может быть однозначно определено только в том случае, если известны параметры компенсатора δс и рс .
Немонотонный характер измерения δс и рс указывает на существование нескольких причин нестабильности: кроме собственного изменения температуры в результате прогрева прибора, возможно, происходит незначительный поворот компенсатора из-за неравномерного нагревания плеч эллипсометра. Эти результаты показывают, что использование однозонной методики возможно только при условии тщательной температурной стабильности компенсатора и, по-видимому, всего прибора в целом. В противном случае необходимо измерять положение гашения в двух разных зонах.
Спектральный эллипсометр ESM-
Спектральный эллипсометр ESM-
Рисунок 16 - Внешний вид спектрального эллипсометра ESM-512 c источником питания
В эллипсометрии измеряется относительный фазовый сдвиг двух ортогонально поляризованных компонент и их относительное изменение при взаимодействии пучка с образцом. Для эллипсометрии с конфигурацией поляризатор- образец- анализатор интенсивность света на фотодетекторе определяется формулой:
(14)
где P и A – азимуты поляризатора и анализатора; I 0 - коэффициент, не зависящий от P и A; Ψ и Δ - эллипсометрические углы, определяющие отношение комплексных амплитудных коэффициентов отражения rp и rs для p и s поляризаций:
В данной модели спектрального эллипсометра используется оригинальный метод поляризационно-оптических измерений с переключением состояния поляризации, в котором на исследуемый образец попеременно направляется излучение с двумя ортогональными состояниями поляризации с азимутами P и P + 900 и анализируются сигналы на фотоприемниках для азимутов анализатора A и A + 900:
(A,P)
(A+90, P)
(16)
(A, P+90)
(A+90, P+90)
ha - коэффициент, характеризующий отношение чувствительностей 2-х каналов в анализаторе.
Для каждого из азимутов P и P + 900 измеряется отношение сигналов на фотоприемниках при азимутах анализатора А и А+ 900. По измеренным отношениям и определяются эллипсометрические параметры Ψ и Δ из соотношений:
(17)
(4)
здесь
; ; ;
Для выбранной модели образца по измеренным величинам Ψ и Δ параметры слоев могут быть рассчитаны из известных эллипсометрических уравнений.
2.2.1 Методика проведения измерений оптических параметров и толщин композиционных покрытий методом лазерной эллипсометрии В СОДЕРЖАНИЕ
Важная черта эллипсометрических методов состоит в том, что измеряемыми величинами являются углы, разности фаз и отношения амплитуд компонент световой волны. Вид эллипсометра ЛЭФ-3М-1, на котором проводились измерения оптических параметров полученных при различном давлении азота алмазоподобных пленок, легированных азотом, представлен на рисунке 17.